Página principal > Resultados de la búsqueda: Dielectrics
  Consejos para la búsqueda
Búsqueda avanzada
Buscar colecciones:
Ordenar por: Mostrar resultados: Formato de visualización:
Resultados globales: 21 registros encontrados en 0.02 segundos.
Artículos, Encontrados 12 registros
Documentos de investigación, Encontrados 9 registros
Artículos Encontrados 12 registros  1 - 10siguiente  ir al registro:
1.
7 p, 1.0 MB Revealing the improved stability of amorphous boron-nitride upon carbon doping / Kaya, Onurcan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Colombo, Luigi (The University of Texas at Dallas. Department of Materials Science and Engineering) ; Antidormi, Aleandro (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Lanza, Mario (King Abdullah University of Science and Technology. Department of Material Science and Engineering) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We report on a large improvement of the thermal stability and mechanical properties of amorphous boron-nitride upon carbon doping. By generating versatile force fields using first-principles and machine learning simulations, we investigate the structural properties of amorphous boron-nitride with varying contents of carbon (from a few percent to 40 at%). [...]
2022 - 10.1039/d2nh00520d
Nanoscale horizons, Vol. 8, Issue 3 (March 2022) , p. 361-367  
Registro completo - Creative Commons
2.
7 p, 2.6 MB A First Evaluation of Thick Oxide 3C-SiC MOS Capacitors Reliability / Li, Fan (University of Warwick) ; Mawby, Philip A. (University of Warwick) ; Song, Qiu (University of Warwick) ; Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Shah, Vishal (University of Warwick) ; Sharma, Yogesh (Dynex Semiconductor Ltd.) ; Hamilton, Dean P. (De Montfort University) ; Fisher, Craig (University of Warwick) ; Gammon, Peter (University of Warwick) ; Jennings, M. R. (Swansea University)
Despite the recent advances in 3C-SiC technology, there is a lack of statistical analysis on the reliability of SiO layers on 3C-SiC, which is crucial in power MOS device developments. This article presents a comprehensive study of the medium-and long-term time-dependent dielectric breakdowns (TDDBs) of 65-nm-thick SiO layers thermally grown on a state-of-the-art 3C-SiC/Si wafer. [...]
2020 - 10.1109/TED.2019.2954911
IEEE transactions on electron devices, Vol. 67, Issue 1 (January 2020) , p. 237-242  
Registro completo -
3.
6 p, 4.0 MB Resistive switching in hafnium dioxide layers : local phenomenon at grain Boundaries / Lanza, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica)) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Overcoming challenges associated with implementation of resistive random access memory technology for non-volatile information storage requires identifying the material characteristics responsible for resistive switching. [...]
2012 - 10.1063/1.4765342
Applied physics letters, Vol. 101 (2012) , p. 193502-1/193502-5  
Registro completo -
4.
5 p, 939.8 KB Channel-Hot-Carrier degradation of strained MOSFETs : A device level and nanoscale combined approach / Wu, Qian (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Simoen, E. (IMEC. Belgium.)
Strained MOSFETs with SiGe at the source/drain regions and different channel lengths have been studied at the nanoscale with a conductive atomic force microscope (CAFM) and at device level, before and after channel-hot-carrier (CHC) stress. [...]
2015 - 10.1116/1.4913950
Journal of vacuum science and technology. B, Nanotechnology & microelectronics, Vol. 33, Issue 2 (March 2015) , p. 22202  
Registro completo -
5.
5 p, 1.0 MB Temperature dependence of the resistive switching-related currents in ultra-thin high-k based MOSFETs / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the temperature dependence of the resistive switching phenomenon in metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor (MOSFETs) with an ultra-thin Hf-based high-k dielectric is studied through analysis of the gate and drain currents for the two dielectric conductivity states. [...]
2013 - 10.1116/1.4789518
Journal of vacuum science and technology. B, Nanotechnology & microelectronics, Vol. 31 (2013) , p. 22203-22203-5  
Registro completo -
6.
6 p, 228.6 KB Resistive switching like-behavior in MOSFETs with ultra-thin HfSiON dielectric gate stack : pMOS and nMOS comparison and reliability implications / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the Resistive Switching (RS) phenomenon in n and pMOSFETs with ultrathin Hf based high-k dielectric is studied. Two different conductive levels, a high (HRS) and a low (LRS) resistance states can be distinguished in the dielectric. [...]
2013 - 10.1016/j.microrel.2013.07.046
Microelectronics reliability, Vol. 53, No. 9-11 (Sep.-Nov. 2013) , p. 1247-1251  
Registro completo -
7.
4 p, 1003.7 KB Degradation of polycrystalline HfO2-based gate dielectrics under nanoscale electrical stress / Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lanza, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Zhang, K. (Peking University. Department of Electronics) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Benstetter, Guenther (University of Applied Sciences Deggendorf. Electrical Engineering Department) ; Shen, Z. Y. (Peking University. Department of Electronics) ; Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica))
The evolution of the electrical properties of HfO2/SiO2/Si dielectric stacks under electrical stress has been investigated using atomic force microscope-based techniques. The current through the grain boundaries (GBs), which is found to be higher than thorough the grains, is correlated to a higher density of positively charged defects at the GBs. [...]
2011 - 10.1063/1.3637633
Applied physics letters, Vol. 99, Issue 10 (September 2011) , p. 103510/1-103510/3  
Registro completo -
8.
4 p, 238.9 KB Temperature-dependent transition to progressive breakdown in thin silicon dioxide based gate dielectrics / Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
The transition between well-defined soft and hard breakdown modes to progressive breakdown in ultrathin silicon dioxide based dielectrics is studied by means of the statistics of residual time (the time from first breakdown to device failure). [...]
2005 - 10.1063/1.1925316
Applied physics letters, Vol. 86, Issue 19 (May 2005) , p. 193502/1-193502/3  
Registro completo -
9.
4 p, 232.3 KB Effects of high-field electrical stress on the conduction properties of ultra-thin La2O3 films / Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Molina, J. (Tokyo Institute of Technology. Frontier Collaborative Research Center) ; Kim, Y. (Tokyo Institute of Technology. Frontier Collaborative Research Center) ; Iwai, H. (Tokyo Institute of Technology. Frontier Collaborative Research Center) ; American Physical Society
Electron transport in high-field stressed metal-insulator-silicon devices with ultrathin (<5nm) lanthanum oxide layers is investigated. We show that the leakage current flowing through the structure prior to degradation is direct and Fowler-Nordheimtunneling conduction, while that after stress exhibits diode-like behavior with series and parallel resistances. [...]
2005 - 10.1063/1.1944890
Applied physics letters, Vol. 86, Issue 23 (June 2005) , p. 232104/1-232104/3  
Registro completo -
10.
4 p, 296.7 KB Second harmonic generation in a photonic crystal / Martorell, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Vilaseca, Ramon (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Física i Enginyeria Nuclear) ; Corbalán, R. (Ramón) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; American Physical Society
Phase matched second harmonic generation is observed experimentally in a centrosymmetric crystalline lattice of dielectric spheres of optical dimensions. The inversion symmetry is broken locally at the surface of each sphere in such a way that the scattered second harmonic light interferes constructively leading to a nonvanishing macroscopic field. [...]
1997 - 10.1364/OPN.8.12.000034
Applied physics letters, Vol. 70, Issue 6 (February 1997) , p. 702-704  
Registro completo -

Artículos : Encontrados 12 registros   1 - 10siguiente  ir al registro:
Documentos de investigación Encontrados 9 registros  
1.
177 p, 12.1 MB Analysis and modeling of filamentary conduction in Hf0₂-based structures / Rodríguez Fernández, Alberto ; Miranda, Enrique, dir. ; Bargallo Gonzalez, Mireia, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Actualmente nos enfrentamos a una revolución en los campos de la microelectrónica y las tecnologías de la información y la comunicación, que seguramente afectaran nuestra forma de vida en los años venideros. [...]
We are currently facing a revolution in the fields of microelectronics and information technologies that will surely affect our way of life in the years to come. In this regard, the proposal of a memory device based on the combined action of ions and electrons is considered to be a breakthrough of our time. [...]
[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.
2 documentos
Registro completo - Creative Commons
2.
110 p, 3.0 MB Flexoelectricity in single crystals / Narvaez Morales, Jackeline ; Catalan, Gustau, dir. ; Domingo Marimon, Neus, tut. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
En términos generales, la flexoelectricidad es la respuesta de la polarización a un gradiente de deformación. A diferencia del efecto piezoeléctrico, este efecto está presente en todos los materiales independientemente de su estructura cristalina. [...]
In general terms, flexoelectricity is the response of polarization to a strain gradient. In contrast to the piezoelectric effect, this effect is present in all materials regardless of their crystal structure. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016  
Registro completo - Creative Commons
3.
212 p, 4.3 MB Filamentos conductores de ruptura dieléctrica en aislantes delgados / Saura Mas, Xavier ; Suñé, Jordi, 1963- , dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La industria micro y nanoelectrónica requiere de múltiples líneas de investigación para la introducción de continuas mejoras en los dispositivos en términos de rendimiento, funcionalidad y escalabilidad. [...]
Micro and nanoelectronics industry requires multiple lines of research for introducing continuous improvements in electronic devices in terms of performance, functionality and scalability. One of these improvements focuses on the idea of using the dielectric breakdown phenomenon as a principle of operation of these devices. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2015  
Registro completo - Creative Commons
4.
149 p, 4.9 MB Variability and reliability at the nanoscale of gate dielectrics of MOS devices and graphene based structures / Bayerl, Albin ; Porti i Pujal, Marc, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
In the first chapter of this thesis, the MOSFET transistor and an overview of the implications of ongoing device shrinking will be given. Possible alternatives to allow the scaling down such as the introduction of high-k dielectrics and the potential of graphene for nanoelectronic applications are also explained. [...]
En el primer capítulo de ésta tesis, se les dará un resumen del transistor MOSFET y de las consecuencias del escalado de dispositivos electrónicos. También se explican las alternativas posibles para permitir mantener dicha tendencia, como la introducción de dieléctricos high-k y el potencial del grafeno para aplicaciones en nanoelectrónica. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
Registro completo -
5.
154 p, 4.1 MB Estudio de la reversibilidad de la ruptura dieléctrica en dispositivos MOS con dieléctrico de puerta high-k ultra delgado / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Para lograr el estudio de la ruptura dieléctrica, y concretamente la caracterización y observación del fenómeno de su reversibilidad, se ha realizado una elevada cantidad de medidas que ha generado un volumen muy grande de datos que procesar y analizar, ha sido necesario el análisis estadístico de algunos de los parámetros y eventos que caracterizan el fenómeno, lo que requiere reproducir el fenómeno un gran número de veces, tanto en un mismo dispositivo como en diferentes, y en diversas condiciones de trabajo y/o con procedimientos de medida distintos. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
Registro completo -
6.
148 p, 16.4 MB CAFM nanoscale electrical properties and reliability of HfO₂ based gate dielectrics in electron devices : impact of the polycrystallization and resistive switching / Iglesias Santiso, Vanessa ; Porti i Pujal, Marc, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La evolución de los dispositivos MOS ha conllevado una reducción de tamaño de los mismos con el fin de mejorar sus prestaciones. Sin embargo, este continuo escalado se ha topado con un límite físico: la delgada capa aislante de SiO2 (entre otros), que fuerza la búsqueda de nuevas alternativas que permitan abastecer al exigente mercado tecnológico. [...]
The evolution of MOS devices has involved an important shrinking in the transistor size with the aim of improve their benefits. However, this continuous miniaturization has found its physical limits in the thin SiO2 dielectric layer with current sizes at nanometric scale. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
Registro completo -
7.
14 p, 542.4 KB Estadística de ruptura de dielèctrics nanolaminats / Conde Giménez, Adrià ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
2011
2 documentos
Registro completo - Creative Commons
8.
64 p, 4.0 MB Caracterització elèctrica de dielèctrics de porta de dispositius MOS amb CAFM : SiO2 i dielèctrics d'alta permitivitat / Blasco Jiménez, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Des dels seus inicis fa unes quatre dècades, la tecnologia microelectrònica ha anat reduint contínuament les dimensions dels dispositius, per tal d'oferir millors prestacions. Actualment les dimensions d'interès dels dispositius han entrat profundament en el rang nanomètric. [...]
Desde sus inicios hace unas cuatro décadas, la tecnología microelectrónica ha ido reduciendo continuamente las dimensiones de los dispositivos, para ofrecer mejores prestaciones. Actualmente las dimensiones de interés de los dispositivos han entrado profundamente en el rango nanométrico. [...]
Since its early days, microelectronics has always searched for smaller devices in order to increase the performance of its products. At present, this means that the dimensions of the electronic devices have deeply entered into the nanometric range. [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2006
2 documentos
Registro completo -
9.
205 p, 7.9 MB Novel materials and processes for gate dielectrics on silicon carbide / Perez-Tomas, Amador ; Godignon, Philippe, dir. (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
There is considerable evidence of the need for a semiconductor technology which exceeds the limitations imposed by silicon across a wide spectrum of industrial applications. Wide bandgap semiconductor, such as silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN) and diamond, offer the potential to overcome both the temperature and voltage blocking limitations of Si. [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2007  
Registro completo -

¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.
Depósito Digital de Documentos de la UAB :: Buscar :: Enviar :: Personalizar :: Ayuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantenido por ddd.bib@uab.cat  :: Metadatos sujetos a:
Colaboramos