Resultats globals: 19 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 19 registres trobats
Articles 19 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
19 p, 1.6 MB Large thermoelectric power variations in epitaxial thin films of layered perovskite GdBaCo2O5.5±δwith a different preferred orientation and strain / Chatterjee, Arindom (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Chávez Ángel, Emigdio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Ballesteros, Belén (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Caicedo Roque, Jose Manuel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Padilla-Pantoja, Jessica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Leborán, Víctor (Universidade de Santiago de Compostela. Departamento de Química-Física) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Rivadulla, Francisco (Universidade de Santiago de Compostela. Departamento de Química-Física) ; Santiso, José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
This work describes the growth of thin epitaxial films of the layered perovskite material GdBaCoO(GBCO) on different single crystal substrates SrTiO(STO), (LaAlO)(SrTaAlO)(LSAT) and LaAlO(LAO) as an approach to study changes in the thermoelectric properties by means of the induced epitaxial strain. [...]
2020 - 10.1039/d0ta04781c
Journal of materials chemistry, Vol. 8, issue 38 (Oct. 2020) , p. 19975-19983  
2.
19 p, 775.1 KB Ultra-high critical electric field of 13.2 MV/cm for Zn-doped p-type β-Ga₂O₃ / Chikoidze, Ekaterine (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Tchelidze, Tamar (Ivane Javakhishvili Tbilisi State University. Department of Physics) ; Sartel, Corinne (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Chi, Z. (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Kabouche, R. (Centre national de la recherche scientifique (França). Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie) ; Madaci, Ismail (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Rubio, Carles (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mohamed, Hagar (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Sallet, Vincent (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Medjdoub, Farid (Centre national de la recherche scientifique (França). Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie) ; Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Dumont, Yves. (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée)
Which the actual critical electrical field of the ultra-wide bandgap semiconductor β-Ga₂O₃ is? Even that it is usual to find in the literature a given value for the critical field of wide and ultra-wide semiconductors such as SiC (3 MV/cm), GaN (3. [...]
2020 - 10.1016/j.mtphys.2020.100263
Materials today physics, Vol. 15 (Dec. 2020) , art. 100263  
3.
19 p, 1.0 MB P-type β-gallium oxide : a new perspective for power and optoelectronic devices / Chikoidze, Ekaterine (Université de Versailles Saint Quentin en Yvelines - CNRS) ; Fellous, Adel (Université de Versailles Saint Quentin en Yvelines - CNRS) ; Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sauthier, Guillaume (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Tchelidze, Tamar (Ivane Javakhishvili Tbilisi State University. Department of Physics) ; Ton-That, C. (University of Technology Sydney) ; Huynh, Tung Thanh (University of Technology Sydney) ; Phillips, Matthew (University of Technology Sydney) ; Russell, Stephen A.O. (University of Warwick) ; Jennings, M.R. (University of Warwick) ; Berini, Bruno (Université de Versailles Saint Quentin en Yvelines - CNRS) ; Jomard, François (Université de Versailles Saint Quentin en Yvelines - CNRS) ; Dumont, Yves (Université de Versailles Saint Quentin en Yvelines - CNRS)
Wide-bandgap semiconductors (WBG) are expected to be applied to solid-state lighting and power devices, supporting a future energy-saving society. Here we present evidence of p-type conduction in the undoped WBG β-Ga O . [...]
2017 - 10.1016/j.mtphys.2017.10.002
Materials today physics, Vol. 3 (December 2017) , p. 118-126  
4.
8 p, 3.3 MB Thermoelectric properties of semiconductor-metal composites produced by particle blending / Liu, Yu (Institut de Recerca en Energia de Catalunya) ; Cadavid, Doris (Institut de Recerca en Energia de Catalunya) ; Ibáñez, M. (Empa-Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology) ; Ortega, Silvia (Institut de Recerca en Energia de Catalunya) ; Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Dobrozhan, Oleksandr (Institut de Recerca en Energia de Catalunya) ; Kovalenko, Maksym V. (Institute of Inorganic Chemistry (Bratislava, Eslovàquia)) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cabot, Andreu (Institut de Recerca en Energia de Catalunya)
In the quest for more efficient thermoelectric material able to convert thermal to electrical energy and vice versa, composites that combine a semiconductor host having a large Seebeck coefficient with metal nanodomains that provide phonon scattering and free charge carriers are particularly appealing. [...]
2016 - 10.1063/1.4961679
APL Materials, Vol. 4, Núm. 10 (January 2016) , p. 104813  
5.
25 p, 7.5 MB Electrical and Thermal Transport in Coplanar Polycrystalline Graphene-hBN Heterostructures / Barrios-Vargas, José Eduardo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mortazavi, Bohayra (Bauhaus-Universität Weimar (Alemanya)) ; Cummings, Aron (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Martínez Gordillo, Rafael (Aix-Marseille Université) ; Pruneda, Miguel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Colombo, Luciano (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Rabczuk, Timon (Bauhaus-Universität Weimar (Alemanya)) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We present a theoretical study of electronic and thermal transport in polycrystalline heterostructures combining graphene (G) and hexagonal boron nitride (hBN) grains of varying size and distribution. [...]
2017 - 10.1021/acs.nanolett.6b04936
Nano letters, Vol. 17 Núm. 3 (March 2017) , p. 1660-1664  
6.
17 p, 2.7 MB Conductive-AFM topography and current maps simulator for the study of polycrystalline high-k dielectrics / Couso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, a simulator of conductive atomic force microscopy (C-AFM) was developed to reproduce topography and current maps. In order to test the results, the authors used the simulator to investigate the influence of the C-AFM tip on topography measurements of polycrystalline high-k dielectrics, and compared the results with experimental data. [...]
2015 - 10.1116/1.4915328
Journal of Vaccuum Science and Technology B, Vol. 33 No. 3 (May-June 2015) , p031801/1-031801/6  
7.
4 p, 1003.7 KB Degradation of polycrystalline HfO2-based gate dielectrics under nanoscale electrical stress / Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Zhang, K. (Peking University. Department of Electronics) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Benstetter, Guenther (University of Applied Sciences Deggendorf. Electrical Engineering Department) ; Shen, Z. Y. (Peking University. Department of Electronics) ; Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica))
The evolution of the electrical properties of HfO2/SiO2/Si dielectric stacks under electrical stress has been investigated using atomic force microscope-based techniques. The current through the grain boundaries (GBs), which is found to be higher than thorough the grains, is correlated to a higher density of positively charged defects at the GBs. [...]
2011 - 10.1063/1.3637633
Applied physics letters, Vol. 99, Issue 10 (September 2011) , p. 103510/1-103510/3  
8.
4 p, 232.3 KB Effects of high-field electrical stress on the conduction properties of ultra-thin La2O3 films / Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Molina, J. (Tokyo Institute of Technology. Frontier Collaborative Research Center) ; Kim, Y. (Tokyo Institute of Technology. Frontier Collaborative Research Center) ; Iwai, H. (Tokyo Institute of Technology. Frontier Collaborative Research Center) ; American Physical Society
Electron transport in high-field stressed metal-insulator-silicon devices with ultrathin (<5nm) lanthanum oxide layers is investigated. We show that the leakage current flowing through the structure prior to degradation is direct and Fowler-Nordheimtunneling conduction, while that after stress exhibits diode-like behavior with series and parallel resistances. [...]
2005 - 10.1063/1.1944890
Applied physics letters, Vol. 86, Issue 23 (June 2005) , p. 232104/1-232104/3  
9.
4 p, 257.1 KB Alternating current loss in a cylinder with power-law current-voltage characteristic / Chen, D. -X. (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats) ; Gu, C. (Tsinghua University. Applied Superconductivity Research Center) ; American Physical Society
The transportac loss Q in a superconducting cylinder of radius a with a power-law current-voltage characteristicE=Ec∣J/Jc∣n as a function of current amplitude Im is numerically calculated for a set of given values of a,Jc, and frequency f at n=5, 10, 20, and 30. [...]
2005 - 10.1063/1.1947912
Applied physics letters, Vol. 86, Issue 25 (Juny 2005) , p. 252504  
10.
4 p, 309.7 KB Soft breakdown fluctuation events in ultrathin SiO2 layers / Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
When an ultrathin (<5 nm) oxide is subjected to electrical stress, several soft-breakdown events can occur prior to the final dielectric breakdown. After the occurrence of such failure events, the current-voltage (I-V)characteristic corresponds to the superposition of highly conductive spots and background conduction through the undegraded capacitor area. [...]
1998 - 10.1063/1.121910
Applied physics letters, Vol. 73, Issue 4 (July 1998) , p. 490-492  

Articles : 19 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.