Resultados globales: 24 registros encontrados en 0.02 segundos.
Artículos, Encontrados 24 registros
Artículos Encontrados 24 registros  1 - 10siguientefinal  ir al registro:
1.
7 p, 2.2 MB Geometry Optimization for Miniaturized Thermoelectric Generators / Dalkiranis Pereira, Gustavo Gonçalves (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bocchi, João H. C. (University of São Paulo) ; Oliveira, Osvaldo N. (University of São Paulo) ; Faria, Gregório C. (University of São Paulo)
Thermoelectric materials capable of converting heat into electrical energy are used in sustainable electric generators, whose efficiency has been normally increased with incorporation of new materials with high figure of merit (ZT) values. [...]
2023 - 10.1021/acsomega.2c07916
ACS omega, Vol. 8, Issue 10 (March 2023) , p. 9364-9370  
2.
14 p, 731.4 KB Assessment of large critical electric field in ultra-wide bandgap p-type spinel ZnGa2O4 / Chi, Zeyu (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Tchelidze, Tamar (Ivane Javakhishvili Tbilisi State University. Department of Physics) ; Sartel, Corinne (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Gamsakhurdashvili, Tsotne (Ivane Javakhishvili Tbilisi State University. Department of Physics) ; Madaci, Ismail (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Yamano, Hayate (Danube University Krems. Department for Integrated Sensor Systems) ; Sallet, Vincent (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Dumont, Yves (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Medjdoub, Farid (Centre national de la recherche scientifique (França). Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie) ; Chikoidze, Ekaterine (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée)
The spinel zinc gallate ZnGaO stands out among the emerging ultra-wide bandgap (∼5 eV) semiconductors as the ternary complex oxide with the widest gap where bipolar conductivity has been demonstrated. [...]
2023 - 10.1088/1361-6463/acbb14
Journal of Physics D: Applied Physics, Vol. 56, núm. 10 (March 2023) , art. 105102  
3.
24 p, 3.9 MB Electrochemical conversion of alcohols into acidic commodities on nickel sulfide nanoparticles / Li, Junshan (Chengdu University. Institute of Advanced Study) ; Tian, Xi (Chengdu University. College of Food and Biological Engineering) ; Wang, Xiang (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats) ; Zhang, Ting (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Spadaro, Maria Chiara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Li, Luming (Chengdu University. College of Food and Biological Engineering) ; Zuo, Yong (Institut de Recerca en Energia de Catalunya) ; Cabot, Andreu (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats)
The electrocatalytic oxidation of alcohols is a potentially cost-effective strategy for the synthesis of valuable chemicals at the anode while simultaneously generating hydrogen at the cathode. For this approach to become commercially viable, high-activity, low-cost, and stable catalysts need to be developed. [...]
2022 - 10.1021/acs.inorgchem.2c01695
Inorganic chemistry, Vol. 61, issue 34 (Aug. 2022) , p. 13433-13441  
4.
25 p, 4.7 MB Design, fabrication, characterization and reliability study of CMOS-MEMS Lorentz-force magnetometers / Valle, Juan (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Sánchez-Chiva, Josep Maria (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernández Martínez, Daniel (Institut de Física d'Altes Energies) ; Madrenas, Jordi (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This article presents several design techniques to fabricate micro-electro-mechanical systems (MEMS) using standard complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) processes. They were applied to fabricate high yield CMOS-MEMS shielded Lorentz-force magnetometers (LFM). [...]
2022 - 10.1038/s41378-022-00423-w
Microsystems & Nanoengineering, Vol. 8 (2022) , art. 103  
5.
13 p, 1.0 MB Cobalt hexacyanoferrate as a selective and high current density formate oxidation electrocatalyst / Han, Lijuan (Institut Català d'Investigació Química) ; González-Cobos, Jesús (Institut de Ciència i Tecnologia de Barcelona) ; Sánchez-Molina, Irene (Institut Català d'Investigació Química) ; Giancola, Stefano (Institut Català d'Investigació Química) ; Folkman, Scott J. (Institut de Ciència i Tecnologia de Barcelona) ; Tang, PengYi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Heggen, Marc (Ernst Ruska-Centre for Microscopy and Spectroscopy with Electrons (Jülich, Alemanya)) ; Dunin-Borkowski, Rafal E. (Ernst Ruska-Centre for Microscopy and Spectroscopy with Electrons (Jülich, Alemanya)) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Giménez, Sixto (Universitat Jaume I. Institute of Advanced Materials) ; Galán-Mascarós, José Ramón (Institut Català d'Investigació Química)
Herein we report the selectivity, stability, and electrochemical characterization of cobalt hexacyanoferrate, the Co-Fe Prussian Blue derivative (CoFePB), as a formate/formic acid oxidation electrocatalyst in aqueous media. [...]
2020 - 10.1021/acsaem.0c01548
ACS Applied Energy Materials, Vol. 3, issue 9 (Sep. 2020) , p. 9198-9207  
6.
19 p, 1.6 MB Large thermoelectric power variations in epitaxial thin films of layered perovskite GdBaCo2O5.5±δwith a different preferred orientation and strain / Chatterjee, Arindom (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Chávez Ángel, Emigdio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Ballesteros, Belén (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Caicedo Roque, Jose Manuel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Padilla-Pantoja, Jessica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Leborán, Víctor (Universidade de Santiago de Compostela. Departamento de Química Física) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Rivadulla, Francisco (Universidade de Santiago de Compostela. Departamento de Química Física) ; Santiso, José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
This work describes the growth of thin epitaxial films of the layered perovskite material GdBaCoO(GBCO) on different single crystal substrates SrTiO(STO), (LaAlO)(SrTaAlO)(LSAT) and LaAlO(LAO) as an approach to study changes in the thermoelectric properties by means of the induced epitaxial strain. [...]
2020 - 10.1039/d0ta04781c
Journal of materials chemistry, Vol. 8, issue 38 (Oct. 2020) , p. 19975-19983  
7.
19 p, 775.1 KB Ultra-high critical electric field of 13.2 MV/cm for Zn-doped p-type β-Ga₂O₃ / Chikoidze, Ekaterine (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Tchelidze, Tamar (Ivane Javakhishvili Tbilisi State University. Department of Physics) ; Sartel, Corinne (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Chi, Zeyu (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Kabouche, R. (Centre national de la recherche scientifique (França). Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie) ; Madaci, Ismail (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Rubio, Carles (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mohamed, Hagar (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Sallet, Vincent (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Medjdoub, Farid (Centre national de la recherche scientifique (França). Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie) ; Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Dumont, Yves. (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée)
Which the actual critical electrical field of the ultra-wide bandgap semiconductor β-Ga₂O₃ is? Even that it is usual to find in the literature a given value for the critical field of wide and ultra-wide semiconductors such as SiC (3 MV/cm), GaN (3. [...]
2020 - 10.1016/j.mtphys.2020.100263
Materials today physics, Vol. 15 (Dec. 2020) , art. 100263  
8.
19 p, 1.0 MB P-type β-gallium oxide : a new perspective for power and optoelectronic devices / Chikoidze, Ekaterine (Université de Versailles Saint Quentin en Yvelines - CNRS) ; Fellous, Adel (Université de Versailles Saint Quentin en Yvelines - CNRS) ; Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sauthier, Guillaume (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Tchelidze, Tamar (Ivane Javakhishvili Tbilisi State University. Department of Physics) ; Ton-That, C. (University of Technology Sydney) ; Huynh, Tung Thanh (University of Technology Sydney) ; Phillips, Matthew (University of Technology Sydney) ; Russell, Stephen A. O. (University of Warwick) ; Jennings, M. R. (University of Warwick) ; Berini, Bruno (Université de Versailles Saint Quentin en Yvelines - CNRS) ; Jomard, François (Université de Versailles Saint Quentin en Yvelines - CNRS) ; Dumont, Yves (Université de Versailles Saint Quentin en Yvelines - CNRS)
Wide-bandgap semiconductors (WBG) are expected to be applied to solid-state lighting and power devices, supporting a future energy-saving society. Here we present evidence of p-type conduction in the undoped WBG β-Ga O . [...]
2017 - 10.1016/j.mtphys.2017.10.002
Materials today physics, Vol. 3 (December 2017) , p. 118-126  
9.
8 p, 3.3 MB Thermoelectric properties of semiconductor-metal composites produced by particle blending / Liu, Yu (Institut de Recerca en Energia de Catalunya) ; Cadavid, Doris (Institut de Recerca en Energia de Catalunya) ; Ibáñez, Maria (Empa-Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology) ; Ortega, Silvia (Institut de Recerca en Energia de Catalunya) ; Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Dobrozhan, Oleksandr (Institut de Recerca en Energia de Catalunya) ; Kovalenko, Maksym V. (Institute of Inorganic Chemistry (Bratislava, Eslovàquia)) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cabot, Andreu (Institut de Recerca en Energia de Catalunya)
In the quest for more efficient thermoelectric material able to convert thermal to electrical energy and vice versa, composites that combine a semiconductor host having a large Seebeck coefficient with metal nanodomains that provide phonon scattering and free charge carriers are particularly appealing. [...]
2016 - 10.1063/1.4961679
APL materials, Vol. 4, Núm. 10 (January 2016) , p. 104813  
10.
25 p, 7.5 MB Electrical and Thermal Transport in Coplanar Polycrystalline Graphene-hBN Heterostructures / Barrios Vargas, José Eduardo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mortazavi, Bohayra (Bauhaus-Universität Weimar (Alemanya)) ; Cummings, Aron (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Martínez Gordillo, Rafael (Aix-Marseille Université) ; Pruneda, Miguel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Colombo, Luciano (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Rabczuk, Timon (Bauhaus-Universität Weimar (Alemanya)) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We present a theoretical study of electronic and thermal transport in polycrystalline heterostructures combining graphene (G) and hexagonal boron nitride (hBN) grains of varying size and distribution. [...]
2017 - 10.1021/acs.nanolett.6b04936
Nano letters, Vol. 17 Núm. 3 (March 2017) , p. 1660-1664  

Artículos : Encontrados 24 registros   1 - 10siguientefinal  ir al registro:
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.