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Documents de recerca, 6 registres trobats
Documents de recerca 6 registres trobats  
1.
164 p, 10.6 MB Thermoelectric performance of layered cobaltate epitaxial films deposited by pulsed laser evaporation / Chatterjee, Arindom, autor. ; Santiso López, José, supervisor acadèmic. ; Sotomayor Torres, Clivia M., supervisor acadèmic. ; García Alonso, Gemma, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física. ; Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia.
El efecto termoeléctrico o efecto Seebeck es un fenómeno característico de un conductor eléctrico y que proporciona información fundamental como la estructura electrónica del material entorno a la energía de Fermi. [...]
Thermoelectric Seebeck effect is a very important phenomenon of a charge conductor as it provides fundamental information such as the electronic band structure near Fermi energy. Thermoelectric devices are very important from a technological point of view because of its ability to convert electricity from a temperature gradient. [...]

[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
2.
176 p, 9.1 MB Atomic and electronic structure of self-organized defects in epitaxial films of functional perovskite-type oxides / Bagués Salguero, Núria ; Sandiumenge Ortiz, Felip, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Santiso López, José, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rodríguez Viejo, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física.
Les capes fines epitaxials d'òxids funcionals tipus perovskita (ABO3) presenten mecanismes d'acoblament d'intercara i de relaxació del desajust governats per un joc complex de graus de llibertat químics, electrònics i estructurals. [...]
The epitaxial thin films of functional perovskite-type oxides (ABO3) present interfacial coupling and misfit relaxation mechanisms governed by a complex interplay of chemical, electronic and structural degrees of freedom. [...]

[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
3.
178 p, 9.7 MB Functional oxide films and interfaces: ferroelectric BaTiO₃ films on Si(001) and conducting (110) and (111) LaAlO₃/SrTiO₃ interfaces / Ścigaj, Mateusz, autor ; Sánchez Barrera, Florencio, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Herranz Casabona, Gervasi, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rodríguez Viejo, Javier, supervisor acadèmic (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física ; Institut de Ciència de Materials de Barcelona
La tesis aborda la integración monolítica de óxidos funcionales sobre silicio y la exploración de intercaras entre SrTiO3(110), SrTiO3(111) y otros óxidos En primer lugar la tesis detalla la integración monolítica del BaTiO3 en silicio, la plataforma actual en microelectrónica. [...]
In this thesis the focus was aimed to the monolithic integration of functional oxides on silicon and to the exploration of interfaces between different oxides and the SrTiO3(110) and SrTiO3 (111) surfaces. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016  
4.
158 p, 3.8 MB Integration of ferrimagnetic CoFe₂O₄ epitaxial films with silicon / de Coux González, Patricia ; Warot-Fonrose, Bénédicte, dir. (Centre national de la recherche scientifique (França). Centre d'élaboration de Matériaux et d'Études Structurales) ; Sánchez Barrera, Florencio, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rodríguez Viejo, Javier, tutor (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
El continuo progreso en microelectrónica se debe al crecimiento exponencial con el tiempo del número de transistores por circuito integrado, dependencia conocida como ley de Moore. Esta ley se sigue cumpliendo, pero se va acercando a límites intrínsecos. [...]
Microelectronics is progressing continuously by the exponential growth with time of the number of transistors per integrated circuit, the popularly known as “Moore's Law”. This law is still valid but it is approaching intrinsic limits. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  
5.
214 p, 5.5 MB Epitaxial thin films of lanthanum nickel oxides : deposition by PI-MOCVD, structural characterization and high temperature transport properties / Burriel López, Mónica ; Santiso López, José, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Garcia Alonso, Gemma, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
En los últimos años ha habido un interés creciente en el estudio de el compuesto La2NiO4+?, debido a sus propiedades como conductor mixto iónico-electrónico, que lo hacen adecuado para su utilización en dispositivos electroquímicos, tales como cátodo para pilas de combustible de óxido sólido a temperaturas intermedias (IT-SOFC), membranas de permeación o sensores de gas. [...]
In the last years there has been a great interest in the study of the La2NiO4+? compound due to its mixed ionic-electronic properties, which make it suitable in electrochemical devices, such as cathode in Intermediate Temperature Solid Oxide Fuel Cells (IT-SOFC), permeation membranes or gas sensors. [...]

Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2007  
6.
48 p, 603.5 KB Estudio morfológico y estructural del crecimiento epitaxial de capas de Si y Si1-yCy / El Felk, Zakia ; Mora Aznar, Maria Teresa, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Rodríguez Viejo, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
En este trabajo se ha estudiado el crecimiento epitaxial de capas de silicio sobre substrato de Si (001) y capas pseudomórficas de Si1-yCy utilizando silano y tetrametilsilano como gases precursores en el crecimiento vía Deposición Química en Fase Vapor. [...]
Strained layer heterostructures based on group IV elements are of current interest because of the potential applications to build devices with improved carrier mobilities and suitable properties. In this work we investigated the strain and damage produced on Si substrates by high -dose ion implantation of Si and C after thermal treatment by double and triple crystal X-ray diffraction, high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS). [...]

Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2001
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