Resultats globals: 15 registres trobats en 0.01 segons.
Articles, 12 registres trobats
Documents de recerca, 3 registres trobats
Articles 12 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
20 p, 736.9 KB Radio frequency performance projection and stability tradeoff of h-BN encapsulated graphene field-effect transistors / Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Iglesias, José M. (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ; Hamham, El Mokhtar (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ; Rengel, Raul (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Hexagonal boron nitride encapsulation significantly improves carrier transport in graphene. This paper investigates the benefit of implementing the encapsulation technique in graphene field-effect transistors (GFETs) in terms of their intrinsic radio frequency (RF) performance, adding the effect of the series resistances at the terminals. [...]
2019 - 10.1109/TED.2018.2890192
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 66, Issue 3 (March 2019) , p. 1567-1573  
2.
52 p, 1.2 MB Scaling of graphene field-effect transistors supported on hexagonal boron nitride : Radio-frequency stability as a limiting factor / Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Iglesias, José M. (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ; Martin, Maria J. (Universidad de Salamanca) ; Rengel, Raul (Universidad de Salamanca) ; Li, Changfeng (Aalto University) ; Kim, Wonjae (Aalto University) ; Riikonen, Juha (Aalto University) ; Lipsanen, Harri (Aalto University) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The quality of graphene in nanodevices has increased hugely thanks to the use of hexagonal boron nitride as a supporting layer. This paper studies to which extent hBN together with channel length scaling can be exploited in graphene field-effect transistors (GFETs) to get a competitive radio-frequency (RF) performance. [...]
2017 - 10.1088/1361-6528/aa9094
Nanotechnology, Vol. 28, Núm. 48 (December 2017) , art. 485203  
3.
34 p, 774.3 KB Lipid monolayer formation and lipid exchange monitored by a graphene field-effect transistor / Blaschke, Benno M. (Technische Universität München. Walter Schottky Institut) ; Böhm, Philip (Ludwig-Maximilians-Universität. Center for NanoScience) ; Drieschner, Simon (Technische Universität München. Walter Schottky Institut) ; Nickel, Bert (Ludwig-Maximilians-Universität. Center for NanoScience) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Anionic and cationic lipids are key molecules involved in many cellular processes; their distribution in biomembranes is highly asymmetric, and their concentration is well-controlled. Graphene solution-gated field-effect transistors (SGFETs) exhibit high sensitivity toward the presence of surface charges. [...]
2018 - 10.1021/acs.langmuir.8b00162
Langmuir, Vol. 34, issue 14 (April 2018) , p. 4224-4233  
4.
13 p, 1.1 MB Multiplexed neural sensor array of graphene solution-gated field-effect transistors / Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Martínez-Aguilar, Javier (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Schwesig, Gerrit (Bernstein Center for Computational Neuroscience) ; Illa, Xavi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Moya Lara, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Santiago, Sara (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Química) ; Hébert, Clément (Inserm and Université Grenoble Alpes) ; Guirado López, Gonzalo (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Química) ; Villa, Rosa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Sirota, Anton (Bernstein Center for Computational Neuroscience. Ludwig-Maximilians-University Munich) ; Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Electrocorticography (ECoG) is a well-established technique to monitor electrophysiological activity from the surface of the brain and has proved crucial for the current generation of neural prostheses and brain-computer interfaces. [...]
2020 - 10.1088/2053-1583/ab7976
2D Materials, Vol. 7, issue 2 (April 2020) , art. 25046  
5.
35 p, 2.0 MB Distortion-free sensing of neural activity using graphene transistors / Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Masvidal Codina, Eduard (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; De la Cruz, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Schwesig, Gerrit (Ludwig-Maximilians Universität München. Faculty of Medicine) ; Jeschke, C. (Multi Channel Systems (MCS) GmbH) ; Martínez-Aguilar, Javier (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Sánchez-Vives, María V (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats) ; Villa, Rosa (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Illa, Xavi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Sirota, Anton (Ludwig-Maximilians Universität München. Faculty of Medicine) ; Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Graphene solution-gated field-effect transistors (g-SGFETs) are promising sensing devices to transduce electrochemical potential signals in an electrolyte bath. However, distortion mechanisms in g-SGFET, which can affect signals of large amplitude or high frequency, have not been evaluated. [...]
2020 - 10.1002/smll.201906640
Small, Vol. 16, issue 16 (April 2020) , art. 1906640  
6.
21 p, 2.0 MB Field Effect in Graphene-Based van der Waals Heterostructures : Stacking Sequence Matters / Stradi, Daniele (QuantumWise A/S) ; Papior, Nick (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Hansen, O. (Technical University of Denmark. Department of Micro- and Nanotechnology) ; Brandbyge, Mads (Technical University of Denmark. Department of Micro- and Nanotechnology)
Stacked van der Waals (vdW) heterostructures where semiconducting two-dimensional (2D) materials are contacted by overlaid graphene electrodes enable atomically thin, flexible electronics. We use first-principles quantum transport simulations of graphene-contacted MoS devices to show how the transistor effect critically depends on the stacking configuration relative to the gate electrode. [...]
2017 - 10.1021/acs.nanolett.7b00473
Nano letters, Vol. 17, Issue 4 (April 2017) , p. 2660-2666  
7.
19 p, 2.2 MB Understanding the bias dependence of low frequency noise in single layer graphene FETs / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This letter investigates the bias-dependent low frequency noise of single layer graphene field-effect transistors. Noise measurements have been conducted with electrolyte-gated graphene transistors covering a wide range of gate and drain bias conditions for different channel lengths. [...]
2018 - 10.1039/c8nr04939d
Nanoscale, Vol. 10, Issue 31 (August 2018) , p. 14947-14956  
8.
11 p, 2.8 MB Field effect enhancement in buffered quantum nanowire networks / Krizek, Filip (Center for Quantum Devices and Station Q Copenhagen) ; Sestoft, Joachim E. (Center for Quantum Devices and Station Q Copenhagen) ; Aseev, Pavel (Delft University of Technology) ; Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Vaitiekenas, Saulius (Center for Quantum Devices and Station Q Copenhagen) ; Casparis, Lucas (Center for Quantum Devices and Station Q Copenhagen) ; Khan, Sabbir A. (Center for Quantum Devices and Station Q Copenhagen) ; Liu, Yu (Center for Quantum Devices and Station Q Copenhagen) ; Stankevič, Tomas (Center for Quantum Devices and Station Q Copenhagen) ; Whiticar, A. M. (Center for Quantum Devices and Station Q Copenhagen) ; Fursina, Alexandra (Delft University of Technology) ; Boekhout, Frenk (QuTech and Netherlands Organization for Applied Scientific Research) ; Koops, René (QuTech and Netherlands Organization for Applied Scientific Research) ; Uccelli, Emanuele (QuTech and Netherlands Organization for Applied Scientific Research) ; Kouwenhoven, Leo P. (Delft University of Technology) ; Marcus, Charles M. (Center for Quantum Devices and Station Q Copenhagen) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Krogstrup, Peter (Center for Quantum Devices and Station Q Copenhagen)
III-V semiconductor nanowires have shown great potential in various quantum transport experiments. However, realizing a scalable high-quality nanowire-based platform that could lead to quantum information applications has been challenging. [...]
2018 - 10.1103/PhysRevMaterials.2.093401
Physical review materials, Vol. 2, Issue 9 (September 2018) , art. 93401  
9.
16 p, 4.4 MB Mapping brain activity with flexible graphene micro-transistors / Blaschke, Benno M. (Technische Universität München. Physik Department) ; Tort-Colet, Núria (Institut d'Investigacions Biomèdiques August Pi i Sunyer) ; Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Weinert, Julia (Institut d'Investigacions Biomèdiques August Pi i Sunyer) ; Rousseau, Lionel (Université Paris-Est. Laboratoire d'Electronique, Systèmes de Communication et Microsystèmes) ; Heimann, Axel (Johannes Gutenberg-Universität Mainz) ; Drieschner, Simon (Technische Universität München. Physik Department) ; Kempski, Oliver (Johannes Gutenberg-Universität Mainz) ; Villa, Rosa (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Sánchez-Vives, María V. (Institut d'Investigacions Biomèdiques August Pi i Sunyer) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Establishing a reliable communication interface between the brain and electronic devices is of paramount importance for exploiting the full potential of neural prostheses. Current microelectrode technologies for recording electrical activity, however, evidence important shortcomings, e. [...]
2017 - 10.1088/2053-1583/aa5eff
2D materials, Vol. 4, no. 2 (June 2017) , art. 025040  
10.
31 p, 2.0 MB Flexible Graphene Solution-Gated Field-Effect Transistors : Efficient Transducers for Micro-Electrocorticography / Hébert, Clément (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Masvidal Codina, Eduard (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Suarez-Pérez, Alejandro (Institut d'Investigacions Biomèdiques August Pi i Sunyer) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Piret, Gaelle (INSERM U1205 (Grenoble, França)) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Illa, Xavi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; De la Cruz, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Viana Casals, Damià (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Prats Alfonso, Elisabet (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Bousquet, Jessica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Godignon, Philippe (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Yvert, Blayse (INSERM U1205 (Grenoble, França)) ; Villa, Rosa (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Sánchez-Vives, María V (Institut d'Investigacions Biomèdiques August Pi i Sunyer) ; Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Brain-computer interfaces and neural prostheses based on the detection of electrocorticography (ECoG) signals are rapidly growing fields of research. Several technologies are currently competing to be the first to reach the market; however, none of them fulfill yet all the requirements of the ideal interface with neurons. [...]
2018 - 10.1002/adfm.201703976
Advanced functional materials, Vol. 28, Núm. 12 (March 2018) , article 1703976  

Articles : 12 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Documents de recerca 3 registres trobats  
1.
0 p, 5.5 MB Caracterització de catèters de trombectomia per l'optimització d'estratègies de tractament endovascular d'ictus isquèmic agut / Li, Jiahui ; Mas Torrent, Marta, dir.
En aquesta tesis s'investiguen diversos aspectes dels transistors orgànics d'efecte de camp (OFETs), tal com la seva fabricació, caracterització elèctrica i aplicacions. S'han preparat pel·lícules primes de diferents semiconductors orgànics (OSCs) de tipus p basats en molècules conjugades petites i mescles d'aquests OSCs amb polímers aïllants utilitzant la tècnica "bar-assisted meniscus shearing" (BAMS). [...]
En esta tesis investigamos varios aspectos de los transistores orgánicos de efecto de campo (OFETs), incluida su fabricación, caracterización eléctrica y aplicaciones. Se han preparado películas delgadas de diferentes semiconductores orgánicos (OSCs) de tipo p basados en moléculas conjugadas pequeñas y mezclas de estos OSCs con polímeros aislantes utilizando la técnica "bar-assisted meniscus shearing" (BAMS). [...]
In this thesis, we investigate several aspects of organic field-effect transistors (OFETs), including their fabrication, electrical characterisation, and applications. Thin films of different p-type small molecule organic semiconductors (OSCs) and blends of these OSCs with insulating polymer binders have been prepared using the bar-assisted meniscus shearing (BAMS) technique and implemented as active layers in OFETs. [...]

2022  
2.
8.3 MB Significance of molecular and crystal structure on organic semiconductor doping / Babuji, Adara ; Barrena, Esther, dir. ; Ocal García, Carmen, dir. ; Pellicer Vilà, Eva Maria, dir.
Els dispositius de semiconductors orgànics estan guanyant importància en l'obertura d'una gran varietat d'aplicacions en l'actualitat. Una estratègia clau per desenvolupar dispositius electrònics orgànics de millor rendiment és el dopatge molecular, on s'introdueix una molècula dopant per augmentar els portadors de càrrega. [...]
Los dispositivos semiconductores orgánicos están ganando importancia al abrir una amplia variedad de aplicaciones en la actualidad. Una estrategia clave para desarrollar dispositivos electrónicos orgánicos de mejor rendimiento es mediante el dopaje molecular, donde se introduce una molécula dopante para aumentar los portadores de carga. [...]
Organic semiconductor devices are gaining importance by opening a wide variety of applications nowadays. A key strategy for developing better performing organic electronic devices is via molecular doping, where a dopant molecule is introduced to increase charge carriers. [...]

2022  
3.
169 p, 5.3 MB Printing of organic semiconductors : morphology, crystal structure and interfaces / Tamayo Serra, Adrián ; Mas Torrent, Marta, dir.
L'electrònica orgànica està despertant interès a causa del seu baix cost i escalabilitat. Els semiconductors orgànics (OSC) es poden dipositar mitjançant tècniques de solució compatibles amb processat gran escala, baixes temperatures i sobre substrats flexibles. [...]
La electrónica orgánica está despertando interés debido a su bajo costo y escalabilidad. Los semiconductores orgánicos (OSC) se pueden depositar mediante técnicas de solución compatibles con procesado a gran escala, bajas temperaturas y sobre sustratos flexibles. [...]
Organic electronics is raising a lot of interest in low-cost and large area applications. Organic semiconductors (OSCs) can be deposited from solution techniques compatible with roll-to-roll processes at low temperatures and on flexible substrates. [...]

2022  

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.