Pàgina inicial > Resultats de la cerca: GFET
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 2 registres trobats en 0.05 segons.
Articles, 2 registres trobats
Articles 2 registres trobats  
1.
7 p, 5.0 MB Straightforward bias- and frequency-dependent small-signal model extraction for single-layer graphene FETs / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pacheco-Sánchez, Aníbal (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wei, Wei (Université de Lille) ; Pallecchi, Emiliano (Université de Lille) ; Happy, Henri (Université de Lille) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
We propose an explicit small-signal graphene field-effect transistor (GFET) parameter extraction procedure based on a charge-based quasi-static model. The dependence of the small-signal parameters on both gate voltage and frequency is precisely validated by high-frequency (up to 18 GHz) on-wafer measurements from a 300 nm device. [...]
2023 - 10.1016/j.mejo.2023.105715
Microelectronics Journal, Vol. 133 (March 2023) , art. 105715  
Registre complet - Creative Commons
2.
12 p, 530.3 KB GFET asymmetric transfer response analysis through access region resistances / Toral-Lopez, Alejandro (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Marin, Enrique G. (Universitá di Pisa. Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione) ; Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Gonzalez Medina, Jose Maria (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Ruiz, Francisco G. (Universidad de Granada. Laboratorio de Investigación Avanzada de Electrónica Penetrante) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Godoy Medina, Andres (Universidad de Granada. Laboratorio de Investigación Avanzada de Electrónica Penetrante)
Graphene-based devices are planned to augment the functionality of Si and III-V based technology in radio-frequency (RF) electronics. The expectations in designing graphene field-effect transistors (GFETs) with enhanced RF performance have attracted significant experimental efforts, mainly concentrated on achieving high mobility samples. [...]
2019 - 10.3390/nano9071027
Nanomaterials, Vol. 9, Issue 7 (July 2019) , art. 1027  
Registre complet - Creative Commons

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem