Pàgina inicial > Resultats de la cerca: HfO2
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 6 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 3 registres trobats
Documents de recerca, 3 registres trobats
Articles 3 registres trobats  
1.
10 p, 8.6 MB Assessment of the variability of the I-V characteristic of HfO2-based resistive switching devices and its simulation using the quasi-static memdiode model / Salvador Aguilera, Emili (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martin-Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodriguez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Variability of the conduction characteristics of filamentary-type resistive switching devices or resistive RAMs (RRAMs) is a hot research topic both in academia and industry because it is currently considered one of the major showstoppers for the successful development and application of this technology. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108667
Solid-state electronics, Vol. 206 (August 2023) , art. 108667  
Registre complet - Creative Commons
2.
27 p, 836.1 KB Low-power, high-performance, non-volatile inkjet-printed HfO 2 -based resistive random access memory : from device to nanoscale characterization / Vescio, Giovanni (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ; Martín, Gemma (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Alonso Pérez, Daniel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lopez-Vidrier, Julian (Albert-Ludwigs-Universität Freiburg) ; Estrade, Sonia (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Peiro, Francesca (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cornet, Albert (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Cirera, Albert (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Low-power, high-performance metal-insulator-metal (MIM) non-volatile resistive memories based on HfO2 high-k dielectric are fabricated using a drop-on-demand inkjet printing technique as a low-cost and eco-friendly method. [...]
2019 - 10.1021/acsami.9b01731
ACS applied materials & interfaces, Vol. 11, issue 26 (2019) , p. 23659-23666  
Registre complet -
3.
4 p, 446.5 KB Dedicated random telegraph noise characterization of Ni/HfO2-based RRAM devices / Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Acero Leal, María Cruz (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, random telegraph noise (RTN) associated to discrete current fluctuations in the high resistive state of Ni/HfO2-based RRAM devices is investigated. For this purpose, a dedicated software tool has been developed to control the instrumentation and to perform successive and smart RTN measurements in the time domain. [...]
2015 - 10.1016/j.mee.2015.04.046
Microelectronic engineering, Vol. 147, no. 1 (Nov. 2015) , p. 59-62  
Registre complet - Creative Commons

Documents de recerca 3 registres trobats  
1.
198 p, 15.8 MB Diseño, fabricación y caracterización de dispositivos de conmutación resistiva basados en estructuras TiN/Ti/HfO2/W / Poblador Cester, Samuel ; Campabadal, Francesca, dir. ; Bargallo Gonzalez, Mireia, dir. ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir.
Als darrers anys s'ha generat un gran interès pels dispositius de commutació resistiva degut al potencial que presenten per revolucionar el món de l'electrònica. Aquesta tesi doctoral se centra en el disseny, la fabricació i la caracterització d'aquests dispositius amb una combinació concreta de materials, TiN/Ti/HfO2/W, que permeten una integració total amb les actuals tecnologies de fabricació nano i microelectrónica i que presenten un tipus de commutació resistiva bipolar basada en la creació i dissolució parcial de filaments conductors nanomètrics. [...]
En los últimos años se ha suscitado un gran interés por los dispositivos de conmutación resistiva debido al potencial que poseen para revolucionar el mundo de la electrónica. Esta tesis se centra en el diseño, la fabricación y la caracterización de estos dispositivos con una combinación concreta de materiales, TiN/Ti/HfO2/W, que permiten una integración total con las actuales tecnologías de fabricación nano y microelectrónica y que presentan un tipo de conmutación resistiva bipolar basada en la creación y disolución parcial de filamentos conductores nanométricos. [...]
In recent years, there has been a great interest in resistive switching devices due to their potential to revolutionize the world of electronics. This thesis focuses on the design, fabrication and characterisation of this type of devices with a specific combination of materials, TiN/Ti/HfO2/W, which allows full integration with current nano and microelectronic fabrication technologies and shows bipolar resistive switching that is based on the creation and partial dissolution of nanometric conductive filaments. [...]
2021  
Registre complet - Creative Commons
2.
167 p, 5.6 MB Nanoscale Study of Epitaxial Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films and BaTiO3/SrTiO3 Superlattices / Estandía Rodríguez, Saúl ; Gázquez Alabart, Jaume, dir. ; Sánchez Barrera, Florencio, dir. ; Lopeandía Fernández, Aitor, dir.
La ferroelectricitat es una propiedat functional que trova aplicacions en dispositius microelectronics com les memories no volatils. En aquesta tesi se han estudit les propiedats ferroelectriques de capes primes nanométriques y supexarxes combinant técniques de caracterizació macroscópiques y nanoscópiques. [...]
La ferroelectricidad es una propiedad funcional que encuentra aplicaciones en dispositivos microelectrónicos tales como las memorias no volátiles. En esta tesis se han estudiado las propiedades ferroeléctricas de capas finas nanométricas y superredes combinando técnicas de caracterización macroscópicas y nanoscópicas. [...]
Ferroelectricity is a functional property that can be exploited in microelectronics devices such as non-volatile memories. In this thesis, the ferroelectric properties of nanometric thin films and superlattices have been studied by combining macroscopic and nanoscale characterization techniques. [...]
2021  
Registre complet - Creative Commons
3.
244 p, 11.2 MB Degradación y conducción multifilamentaria en estructuras MIS/MIM basadas en HfO2 / Muñoz Gorriz, Jordi ; Miranda, Enrique, dir.
En aquesta tesi doctoral es realitza una extensa investigació sobre el fenomen de la ruptura dielèctrica en dispositius metall-aïllant-semiconductor (MIS) i metall-aïllant-metall (MIM) basats en HfO2. [...]
En esta tesis doctoral se realiza una extensa investigación sobre el fenómeno de la ruptura dieléctrica en dispositivos metal-aislante-semiconductor (MIS) y metal-aislante-metal (MIM) basados en HfO2. [...]
In this doctoral thesis the dielectric breakdown (BD) phenomenon in metal-insulator-semiconductor (MIS) and metal-insulator-metal (MIM) structures based on HfO2 is investigated. More specifically, the analyzed devices are MIS/MIM devices with HfO2 as dielectric and MIS devices with a penta-nanolaminate as dielectric based on Al2O3/HfO2. [...]
2021  
Registre complet - Creative Commons

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem