Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Mètodes de camp
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 2 registres trobats en 0.02 segons.
Contribucions a jornades i congressos, 1 registres trobats
Documents de recerca, 1 registres trobats
Contribucions a jornades i congressos 1 registres trobats  
1.
4 p, 33.5 KB Difusió virtual d'itineraris de camp en ciències de la terra / Bach i Plaza, Joan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Geologia) ; Biosca, Josep ; Brusi, David ; Estrada Aliberas, Rita ; Maestro i Maideu, Eudald ; Obrador i Tudurí, Antoni (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Geologia) ; Oms, O. (Oriol) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Geologia) ; Riera, Violeta ; Vehí Casellas, Montserrat ; Vicens, Enric
El portal d'internet GEOCAMP (http://einstein. uab. es/_c_gr_geocamp/geocamp/), d'activitats de camp en Ciències de la Terra permet optimitzar el treball abans, després i durant una excursió. Fins ara aquest ha estat el contingut del recurs virtual. [...]
2006
Jornada de Campus d'Innovació Docent, 3a : 2006  
Registre complet -

Documents de recerca 1 registres trobats  
1.
121 p, 3.0 MB Study and modeling of multi-gate transistors in the context of CMOS technology scaling / Chaves Romero, Ferney Alveiro ; Jiménez Jiménez, David, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- , dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
L'escalat dels transistors MOSFET convencionals ha portat a aquests dispositius a la nanoescala per incrementar tant les seves prestacions com el nombre de components per xip. En aquest process d'escalat, els coneguts "Short Channel Effects" representen una forta limitació. [...]
The scaling of the conventional MOSFETs has led these devices to the nanoscale to increase both the performance and the number of components per chip. In this process, the so-called "Short Channel Effects" have arisen as a limiting factor. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2012  
Registre complet -

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem