Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Materials ferromagnètics
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 7 registres trobats en 0.02 segons.
Documents de recerca, 7 registres trobats
Documents de recerca 7 registres trobats  
1.
127 p, 4.6 MB Modeling linear and nonlinear soft ferromagnetic materials / Agramunt Puig, Sebastià ; Sánchez Moreno, Álvaro, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Navau Ros, Carles, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Valle Benedí, Nuria del, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
Avui en dia els imants formen part de la nostra vida diària, per exemple són responsables de la majoria de conversió, generació i consum d'energia. En aquestes aplicacions es necessita un control precís dels camps magnètics i de les imantacions dels materials per millorar les aplicacions ja existents o descobrir-ne de noves. [...]
Today magnets form part of our daily life. They are responsible for most of the energy generation (e. g. turbines), conversion (e. g. transformers) and its use (e. g. motors). In these applications the precise control of magnetic fields and magnetization is essential to devise new applications or to improve the existing ones. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  
Registre complet -
2.
158 p, 3.8 MB Integration of ferrimagnetic CoFe₂O₄ epitaxial films with silicon / de Coux González, Patricia ; Warot-Fonrose, Bénédicte, dir. (Centre national de la recherche scientifique (França). Centre d'élaboration de Matériaux et d'Études Structurales) ; Sánchez Barrera, Florencio, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rodríguez-Viejo, Javier, tut. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
El continuo progreso en microelectrónica se debe al crecimiento exponencial con el tiempo del número de transistores por circuito integrado, dependencia conocida como ley de Moore. Esta ley se sigue cumpliendo, pero se va acercando a límites intrínsecos. [...]
Microelectronics is progressing continuously by the exponential growth with time of the number of transistors per integrated circuit, the popularly known as "Moore's Law". This law is still valid but it is approaching intrinsic limits. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  
Registre complet -
3.
260 p, 5.6 MB Magnetic order, spin-induced ferroelectricity and structural studies in multiferroic Mn1 xCoxWO4 / Urcelay Olabarria, Irene ; Skumryev, Vassil, dir. ; Ressouche, Eric, dir. ; García-Muñoz, José Luis, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
El presente manuscrito resume el trabajo realizado durante los últimos tres años en el Institut Laue Langevin (Grenoble) en colaboración con el Instituto de Ciencia de Materiales de Barcelona, la Universitat Autònoma de Barcelona y el Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (Grenoble). [...]
The manuscript summarizes the work done during the last three years in the Institut Laue Langevin (Grenoble) in collaboration with the Instituto de Ciencia de Materiales de Barcelona, the Universitat Autònoma de Barcelona and the Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (Grenoble). [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
Registre complet -
4.
118 p, 1.5 MB Preparation and characterization of magnetic EuO and related compounds : EuS and Eu2O3 / Moder, Iris ; Rodríguez-Viejo, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
El monóxido de europio EuO es un material ferromagnético que muestra una gran variedad de fenómenos físicos y se utiliza a menudo como sistema ideal. Cabe destacar el efecto Kerr, el transporte de espín y, para EuO , una transición metal-aislante con magnetorresistencia colosal. [...]
Ferromagnetic europium monoxide (EuO) displays a huge variety of physical phenomena and due to its simple structure it is often used as a model system. It shows magneto-optic Kerr effect, spin-dependent transport and, in the case of Eu doped EuO, a metal-insulator transition showing a colossal magnetoresistance. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
Registre complet -
5.
66 p, 4.4 MB Inducció local de magnetisme mitjançant irradiació d'ions a través de màscares / Varea Espelt, Aïda ; Menéndez Dalmau, Enric, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Sort Viñas, Jordi, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Degut a la gran demanda tecnològica, actualment hi ha un gran interès en desenvolupar medis magnètics amb entitats ferromagnètiques de dimensions nanomètriques. Aquesta demanda promou la investigació i el desenvolupament de nous materials i processos de fabricació que permetin controlar d'una manera més precisa les propietats magnètiques i estructurals. [...]
2011  
Registre complet - Creative Commons
6.
5 p, 15.6 KB Magnetic hardening induced by ferromagnetic-antiferromagnetic coupling / Sort Viñas, Jordi ; Baró, M. D., dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Nogués, Josep (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Es bien sabido que las interacciones de canje inducidas entre materiales ferromagnéticos (FM) y antiferromagnéticos (AFM) cuando son enfriados desde una temperatura superior a la temperatura de Néel, TN, del AFM, hacen aumentar la coercividad, HC, del componente FM. [...]
Ferromagnetic (FM) - antiferromagnetic (AFM) exchange interactions induced after field cooling FM-AFM composites through the Néel temperature of the AFM are known to increase the coercivity, HC, of the FM component. [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2004
19 documents
Registre complet -
7.
244 p, 8.1 MB Nuevos óxidos metálicos ferromagnéticos / Rubi, Diego ; Fontcuberta, Josep, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Desde la invención del transistor en la década del 40', los dispositivos electrónicos han basado su funcionamiento en la manipulación de la carga del electrón para almacenar o procesar información. [...]
Since the invention of the transistor in the late 40's, electronic devices have taken advantage of the electronic charge in order to process or store information. However, it has been recently proposed that, besides the electronic charge, the spin of the electrons could also be used for similar purposes. [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2007  
Registre complet -

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem