Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Neuromorphic computing
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 4 registres trobats en 0.03 segons.
Articles, 3 registres trobats
Documents de recerca, 1 registres trobats
Articles 3 registres trobats  
1.
8 p, 1.7 MB A Multilevel Magnetic Synapse Based on Voltage-Tuneable Magnetism by Nitrogen Ion Migration / Monalisha, P. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Ma, Zheng (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Pellicer Vilà, Eva Maria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Menéndez Dalmau, Enric (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Sort Viñas, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Advanced synaptic devices with simultaneous memory and processor capabilities are envisaged as core elements of neuromorphic computing (NC) for low-power artificial intelligence. So far, most synaptic devices are based on resistive memories, where the device resistance is tuned with applied voltage or current. [...]
2023 - 10.1002/aelm.202300249
Advanced Electronic Materials, Vol. 9, Issue 8 (August 2023) , art. 2300249  
Registre complet - Creative Commons
2.
38 p, 879.4 KB Superposition of interface and volume type resistive switching in perovskite nanoionic devices / Bagdzevicius, Sarunas (Université Grenoble Alpes. Institut d'ingénierie et de management) ; Boudard, Michel (Université Grenoble Alpes. Institut d'ingénierie et de management) ; Caicedo Roque, Jose Manuel (Université Savoie Mont Blanc) ; Rapenne, Laetitia (Université Grenoble Alpes. Institut d'ingénierie et de management) ; Mescot, Xavier (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Rodríguez-Lamas, Raquel (Université Grenoble Alpes. Institut d'ingénierie et de management) ; Robaut, Florence (Université Grenoble Alpes. Institut d'ingénierie et de management) ; Santiso, José (Université Savoie Mont Blanc) ; Burriel, Mónica (Université Grenoble Alpes. Institut d'ingénierie et de management)
The microelectronics industry is currently searching for reliable redox-based resistive switching (RS) memories which are filament-free, scale with the electrode size and do not require a high voltage electroforming step. [...]
2019 - 10.1039/c9tc00609e
Journal of materials chemistry, Vol. 7, issue 25 (July 2019) , p. 7580-7592  
Registre complet -
3.
11 p, 3.9 MB Multi-terminal transistor-like devices based on strongly correlated metallic oxides for neuromorphic applications / Fernández Rodríguez, Alejandro (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Alcalà, Jordi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Mestres, Narcis (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Palau, Anna (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Memristive devices are attracting a great attention for memory, logic, neural networks, and sensing applications due to their simple structure, high density integration, low-power consumption, and fast operation. [...]
2020 - 10.3390/ma13020281
Materials, Vol. 13 (2020)  
Registre complet - Creative Commons

Documents de recerca 1 registres trobats  
1.
165 p, 12.7 MB Field-Induced Reversible Tuning of Oxygen Doping in High-Temperature Superconductors / Fernández Rodríguez, Alejandro ; Palau, Anna, dir. ; Mestres Andreu, Narcís, dir.
La modulació de la concentració de portadors en òxids fortament correlacionats ofereix l'oportunitat única d'induir diferents fases al mateix material, canviant dràsticament les seves propietats físiques. [...]
La modulación de la concentración de portadores en óxidos fuertemente correlacionados ofrece la oportunidad única de inducir diferentes fases en el mismo material, cambiando drásticamente sus propiedades físicas. [...]
Modulation of carrier concentration in strongly correlated oxides offers the unique opportunity to induce different phases in the same material, which dramatically change their physical properties. Specially, the possibility of reversibly modifying the metal-insulator transition (MIT) in perovskite oxides, by means of an electric field as the external control parameter, is a very active area of research in condensed matter physics, and a promising technique to generate new solid-state devices with interesting functionalities. [...]
2022  
Registre complet - Creative Commons

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem