Resultats globals: 5 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 5 registres trobats
Articles 5 registres trobats  
1.
6 p, 4.0 MB Resistive switching in hafnium dioxide layers : local phenomenon at grain Boundaries / Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica)) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Overcoming challenges associated with implementation of resistive random access memory technology for non-volatile information storage requires identifying the material characteristics responsible for resistive switching. [...]
2012 - 10.1063/1.4765342
Applied physics letters, Vol. 101 (2012) , p. 193502-1/193502-5  
2.
17 p, 2.7 MB Conductive-AFM topography and current maps simulator for the study of polycrystalline high-k dielectrics / Couso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, a simulator of conductive atomic force microscopy (C-AFM) was developed to reproduce topography and current maps. In order to test the results, the authors used the simulator to investigate the influence of the C-AFM tip on topography measurements of polycrystalline high-k dielectrics, and compared the results with experimental data. [...]
2015 - 10.1116/1.4915328
Journal of Vaccuum Science and Technology B, Vol. 33 No. 3 (May-June 2015) , p031801/1-031801/6  
3.
4 p, 664.3 KB 180 diffusion through amorphous SiOs and cristobalite / Rodríguez-Viejo, Javier (Institut des Sciences et de Génie des Matériaux et Procédés (Font-Romeu, França)) ; Sibieude, F. (Institut des Sciences et de Génie des Matériaux et Procédés (Font-Romeu, França)) ; Clavaguera-Mora, M. T. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Monty, C. (Laboratoire de Physique des Matériaux (Meudon, França)) ; American Physical Society
Secondary ion mass spectrometry was used to profile the diffusion of oxygen in polycrystalline β-cristobalite and vitreous SiO2. The tracer concentration profiles of cristobalite are consistent with a model based on two mechanisms: bulk and short-circuit diffusion. [...]
1993 - 10.1063/1.110644
Applied physics letters, Vol. 63, Issue 14 (October 1993) , p. 1906-1908  
4.
4 p, 572.1 KB Highly asymmetric magnetic behavior in exchange biased systems induced by noncollinear field cooling / Jimenez, E. (Universidad Autónoma de Madrid. Departamento de Física de la Materia Condensada) ; Camarero, J. (Universidad Autónoma de Madrid. Departamento de Física de la Materia Condensada) ; Sort Viñas, Jordi (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats) ; Nogués, Josep (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Hoffmann, Axel (Argonne National Laboratory. Materials Science Division) ; Miranda, R. (Universidad Autónoma de Madrid. Departamento de Física de la Materia Condensada) ; Teran, F. J. (Instituto Madrileño de Estudios Avanzados en Nanociencia) ; Perna, Paolo (Instituto Madrileño de Estudios Avanzados en Nanociencia) ; Garcia-Martin, J. M. (Instituto de Microelectrónica de Madrid) ; Dieny, B. (SPINTEC (Spin Electronics Research)) ; Miranda, R. (Universidad Autónoma de Madrid. Departamento de Física de la Materia Condensada) ; American Physical Society
A detailed study of the angular dependence of the magnetization reversal in polycrystalline ferromagnetic (FM)/antiferromagnetic Co/IrMn bilayers with noncollinear FM and unidirectional anisotropies shows a peculiar asymmetric magnetic behavior. [...]
2009 - 10.1063/1.3236768
Applied physics letters, Vol. 95, Issue 12 (September 2009) , p. 122508/1-122508/3  
5.
5 p, 1.7 MB Impact of graphene polycrystallinity on the performance of graphene field-effect transistors / Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cummings, Aron (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Chaves Romero, Ferney Alveiro (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Dinh, Van Tuan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Kotakoski, Jani (University of Vienna. Faculty of Physics) ; Roche, Stephan (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats) ; American Institute of Physics
We have used a multi-scale physics-based model to predict how the grain size and different grain boundary morphologies of polycrystalline graphene will impact the performance metrics of graphene field-effect transistors. [...]
2014 - 10.1063/1.4863842
Applied physics letters, Vol. 104, Issue 4 (January 2014) , p. 043509/1-043509/4  

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.