|
1.
|
|
|
2.
|
|
|
3.
|
|
5 p, 2.8 MB |
Modeling and simulation of successive breakdown events in thin gate dielectrics using standard reliability growth models
/
Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona) ;
Aguirre, Fernando Leonel (Universitat Autònoma de Barcelona) ;
Salvador, E. (Universitat Autònoma de Barcelona) ;
Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona)
The application of constant electrical stress to a metal-insulator-semiconductor (MOS) or metal-insulator-metal (MIM) structure can generate multiple breakdown events in the dielectric film. Very often, these events are detected as small jumps in the current-time characteristic of the device under test and can be treated from the stochastic viewpoint as a counting process. [...]
2023 -  10.1016/j.sse.2023.108812
Solid-state electronics, Vol. 210 (December 2023) , art. 108812
|
|
|
4.
|
|
|
On the impact of the biasing history on the characterization of random telegraph noise
/
Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
Random telegraph noise (RTN) is a time-dependent variability phenomenon that has gained increased attention during the last years, especially in deeply scaled technologies. In particular, there is a wide variety of works presenting different techniques designed to analyze current traces in scaled FET devices displaying RTN, and others focused on modeling the phenomenon using the parameters extracted through such techniques. [...]
2022 - 10.1109/TIM.2022.3166195
IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, Vol. 71 (2022) , art. 2003410
|
|
|
5.
|
|
|
Impact of OFF-State, HCI and BTI degradation in FDSOI Ω-gate NW-FETs
/
Valdivieso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Miranda, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Bernal, D. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the degradation of N-type FDSOI Ω-gate NW-FETs caused by OFF-State stress under different conditions has been experimentally studied and compared with the effects of positive/negative BTI and HCI aging. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108625
Solid-state electronics, Vol. 203 (May 2023) , art. 108625
|
|
|
6.
|
|
|
Comparison of OFF-State, HCI and BTI degradation in FDSOI Ω-gate NW-FETs
/
Valdivieso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Miranda, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Bernal, D. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the degradation of N-type FDSOI Ω-gate NW-FETs caused by OFF-State stress under different conditions has been experimentally studied and compared with the effects of positive/negative BTI and HCI aging. [...]
2022 - 10.1016/j.sse.2022.108324
Solid-state electronics, Vol. 194 (Aug. 2022) , art. 108324
|
|
|
7.
|
|
|
Exploitation of OTFTs variability for PUFs implementation and impact of aging
/
Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Palau, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Arnal Rus, August (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Ogier, Simon (SmartKem Ltd.) ;
Ramon, Eloi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Commercial Organic Thin Film Transistors (OTFT) have been characterized to evaluate their variability and reliability. The feasibility of implementing Physical Unclonable Functions (PUFs) based on these devices has been evaluated, taking advantage of the high variation in the electrical characteristics among different OTFTs. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108698
Solid-state electronics, Vol. 207 (Sep. 2023) , art. 108698
|
|
|
8.
|
|
|
Random Telegraph Noise and Bias Temperature Instabilities statistical characterization of Ω-gate FDSOI devices at low voltages
/
Pedreira Rincon, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Amat Bertran, Esteve (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Random Telegraph Noise (RTN) and Bias Temperature Instabilities (BTI) are two mechanisms that can significantly reduce the performance and reliability of integrated circuits. In scaled devices, both phenomena are stochastic, so that a statistical analysis is required to accurately evaluate their impact on a particular technology. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108735
Solid-state electronics, Vol. 209 (November 2023) , art. 108735
|
|
|
9.
|
|
9 p, 663.1 KB |
Validation of the neuroconnective endophenotype questionnaire (NEQ) : a new clinical tool for medicine and psychiatry resulting from the contribution of Ehlers-Danlos syndrome
/
Bulbena Vilarrasa, Antonio (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Psiquiatria i de Medicina Legal) ;
Rosado, Silvia (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Psiquiatria i de Medicina Legal) ;
Cabaleiro, Marina (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Psiquiatria i de Medicina Legal) ;
Martinez, María (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Psiquiatria i de Medicina Legal) ;
Baeza-Velasco, Carolina (Université Paris Cité) ;
Martin, Luis-Miguel (Hospital del Mar (Barcelona, Catalunya)) ;
Batlle-Vila, Santiago (Hospital del Mar (Barcelona, Catalunya)) ;
Bulbena-Cabre, Andrea (Mount Sinai)
The link between anxiety disorders and joint hypermobility syndrome (now under hypermobility spectrum disorders, which include hypermobile Ehlers-Danlos syndrome) has been widely replicated over the past 30 years and has grown beyond the initial nosological limits. [...]
2023 - 10.3389/fmed.2023.1039223
Frontiers in Medicine, Vol. 10 (may 2023)
|
|
|
10.
|
|
18 p, 849.3 KB |
The Emotional Competence Assessment Questionnaire (ECAQ) for Children Aged from 3 to 5 Years : Validity and Reliability Evidence
/
Bartroli, Montserrat (Institut d'Investigació Biomèdica Sant Pau) ;
Angulo-Brunet, Ariadna (Universitat Oberta de Catalunya) ;
Bosque Prous, Marina (Universitat Oberta de Catalunya. Facultat de Ciències de la Salut) ;
Clotas, C. (Agència de Salut Pública de Barcelona) ;
Espelt, A. (Centro de Investigación Biomédica en Red de Epidemiología y Salud Pública) ;
Universitat Autònoma de Barcelona
In order to assess emotional competence in children, it is necessary to have psychometrically sound measures. To the best of our knowledge, there is no available tool to assess emotional competence in children from 3 to 5 years old that assesses the five emotional competences of the Bisquerra model and can be easily and quickly answered in the school environment. [...]
2022 - 10.3390/educsci12070489
Education sciences, Vol. 12 Núm. 7 (july 2022) , p. 489
|
|
guest ::
email alert
or subscribe to the 
RSS feed.
