Resultats globals: 60 registres trobats en 0.03 segons.
Articles, 18 registres trobats
Documents de recerca, 42 registres trobats
Articles 18 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
18 p, 1.8 MB Unraveling the origin of magnetism in mesoporous Cu-doped SnO₂ magnetic semiconductor / Fan, Junpeng (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Menéndez Dalmau, Enric (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Guerrero Hernández, Miguel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Quintana, A. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Weschke, Eugen (Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie) ; Pellicer Vilà, Eva M. (Eva Maria) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Sort Viñas, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
The origin of magnetism in wide-gap semiconductors doped with non-ferromagnetic 3d transition metals still remains intriguing. In this article, insights in the magnetic properties of ordered mesoporous Cu-doped SnO₂ powders, prepared by hard-templating, have been unraveled. [...]
2017 - 10.3390/nano7110348
Nanomaterials, Vol. 7, issue 11 (Nov. 2017) , art. 348  
2.
4 p, 448.3 KB Monitoring defects in III-V materials : a nanoscale CAFM study / Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wu, Q. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bersuker, G. (Sematech) ; Cordes, A. (Sematech)
The implementation of high mobility devices requires growing III-V materials on silicon substrates. However, due to the lattice mismatch between these materials, III-V semiconductors tend to develop structural defects affecting device electrical characteristics. [...]
2015 - 10.1016/j.mee.2015.04.058
Microelectronic engineering, Vol. 147 (Nov. 2015) , p. 176-179  
3.
5 p, 1.9 MB Gate current analysis of AlGaN/GaN on silicon heterojunction transistors at the nanoscale / Fontsere Recuenco, Abel (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Pérez Tomàs, Amador (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Placidi, Marcel (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Aguiló Llobet, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Microelectrònica i Sistemes Electrònics) ; Baron, N. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Chenot, S. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Cordier, Y. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Moreno, J. C. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The gate leakage current of AlGaN/GaN (on silicon)high electron mobility transistor(HEMT) is investigated at the micro and nanoscale. The gate current dependence (25–310 °C) on the temperature is used to identify the potential conduction mechanisms, as trap assisted tunneling or field emission. [...]
2012 - 10.1063/1.4748115
Applied Physics Letters, Vol. 101, Issue 9 (August 2012) , p. 093505/1-093505/4  
4.
4 p, 752.7 KB Role of the microstructure on the magnetic properties of Co-doped ZnO nanoparticles / Martínez Perea, Benjamín (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sandiumenge Ortiz, Felip (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Balcells Argemí, Lluís (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Universitat de Barcelona. Serveis Científics) ; Sibieude, F. (Institut de science et génie des Matériaux et Procédés (Font Romeu, França)) ; Monty, C. (Institut de science et génie des Matériaux et Procédés (Font Romeu, França)) ; American Physical Society
We report on the magnetic and structural properties of Co-doped ZnO nanoparticles prepared by the vaporization-condensation method in a solar reactor. X-ray diffraction data and high-resolution electron microscopy (HREM) confirm the total absence of metallic Co clusters or any other phase different from würtzite-type ZnO. [...]
2005 - 10.1063/1.1880433
Applied Physics Letters, Vol. 86, Issue 10 (March 2005) , p. 103113/1-103113/3  
5.
4 p, 327.1 KB Cathodoluminescence and photoluminescence of highly luminescent CdSe/ZnS quantum dot composites / Rodríguez Viejo , Javier (Massachusetts Institute of Technology. Department of Chemical Engineering) ; Jensen, K. F. (Massachusetts Institute of Technology. Department of Chemical Engineering) ; Mattoussi, H. (Massachusetts Institute of Technology. Department of Materials Science and Engineering) ; Michel, J. (Massachusetts Institute of Technology. Department of Materials Science and Engineering) ; Dabbousi, B. (Massachusetts Institute of Technology. Department of Chemistry) ; Bawendi, M. G. (Massachusetts Institute of Technology. Department of Chemistry) ; American Physical Society
We report room-temperature cathodoluminescence and photoluminescence spectra originating from ZnS overcoated CdSenanocrystals, 33 and 42 Å in diameter, embedded in a ZnS matrix. The thin-filmquantum dot composites were synthesized by electrospray organometallic chemical vapor deposition. [...]
1997 - 10.1063/1.119043
Applied Physics Letters, Vol. 70, Num. 16 (April 1997) , p. 2132-2134  
6.
4 p, 288.8 KB Modeling the breakdown spots in silicon dioxide films as point contacts / Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
Experiments and simulations are combined to demonstrate that the hard dielectric breakdown of thin SiO2 films in polycrystaline silicon/oxide/semiconductor structures leads to the formation of conduction paths with atomic-size dimensions which behave as point contacts between the silicon electrodes. [...]
1999 - 10.1063/1.124566
Applied Physics Letters, Vol. 75, Issue 7 (June 1999) , p. 959-961  
7.
4 p, 300.8 KB High frequency components of current fluctuations in semiconductor tunneling barriers / Oriols Pladevall, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d’Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín, Ferran, (Martín Antolín) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
The power spectral density of current noise in phase-coherent semiconductortunneling scenarios is studied in terms of Bohm trajectories associated to time-dependent wave packets. In particular, the influence of the particles reflected by the barrier on the noise spectrum is analyzed. [...]
2002 - 10.1063/1.1482136
Applied Physics Letters, Vol. 80, Issue 21 (May 2002) , p. 4048-4050  
8.
4 p, 673.6 KB Resonant interband tunneling spin filter / Ting, David Z. -Y. (California Institute of Technology. Jet Propulsion Laboratory) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
We propose an InAs/GaSb/AlSb-based asymmetric resonant interband tunnelingdiode as a spin filter. The interband design exploits large valence band spin–orbit interaction to provide strong spin selectivity, without suffering from fast hole spin relaxation. [...]
2002 - 10.1063/1.1524700
Applied Physics Letters, Vol. 81, Issue 22 (November 2002) , p. 4198-4200  
9.
4 p, 695.9 KB Bidirectional resonant tunneling spin pump / Ting, David Z. -Y. (California Institute of Technology. Jet Propulsion Laboratory) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
We propose a mechanism for achieving bidirectional spin pumping in conventional nonmagnetic semiconductorresonant tunnelingheterostructures under zero magnetic field. The device is designed specifically to take advantage of the special spin configuration described by the Rashba effect in asymmetric quantum wells. [...]
2003 - 10.1063/1.1602158
Applied Physics Letters, Vol. 83, Issue 7 (August 2003) , p. 1391-1393  
10.
4 p, 314.0 KB Self-consistent simulation of quantum shot noise in nanoscale electron devices / Oriols Pladevall, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Trois, A. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Blouin, G. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
An approach for studying shot noise in mesoscopic systems that explicitly includes the Coulomb interaction among electrons, by self-consistently solving the Poisson equation, is presented. As a test, current fluctuations on a standard resonant tunneling diode are simulated in agreement with previous predictions and experimental results. [...]
2004 - 10.1063/1.1806546
Applied Physics Letters, Vol. 85, Num. 16 (October 2004) , p. 3596-3598  

Articles : 18 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Documents de recerca 42 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre:
1.
199 p, 8.4 MB Micro and nano-electro-mechanical devices in the CMOS back end and their applications / Riverola Borreguero, Martín, autor. ; Barniol i Beumala, Núria, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
Recentment, l'escalat de la tecnologia complementaria metall-òxid-semiconductor (CMOS) està arribant a límits fonamentals, principalment degut a les fuites de corrent no nul·les que el transistor presenta. [...]
Recently, several new emerging devices are starting to be explored because the traditional down-scaling approach of the complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology (often called "More Moore") is reaching fundamental limits; mainly due to non-zero transistor off-state leakage. [...]

[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
2.
196 p, 6.6 MB Modelling, design and integration of new differential architectures for M/NEMS resonant sensors / Prache, Pierre, autor. ; Juillard, Jérôme, supervisor acadèmic. ; Barniol i Beumala, Núria, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
Los sensores M/NEMS resonantes, gracias a su pequeño tamaño, a su bajo consumo y a su carácter quasi-digital (siendo generalmente la señal de salida un tono frecuencial), se han convertido en herramientas muy usadas en sistemas embebidos portátiles y de a bordo tales como en telefonía móvil (es decir, en smartphones) o en la industria aeroespacial. [...]
M/NEMS resonant sensors, due to their small size, consumption and quasi-digital output (a frequency most of the time) are useful tools for on-board systems, from smartphones to aeronautic technology. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
3.
188 p, 3.9 MB Thermal transport in semiconductors : first principles and phonon hydrodynamics / Torres Alvarez, Pol, autor. ; Àlvarez Calafell, Francesc Xavier, supervisor acadèmic (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Cartoixà Soler, Xavier, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física.
La majoria dels aparells electrònics utilitzats avui en dia tenen components basats en materials semiconductors, els quals poden ser utilitzats en un ampli rang d'aplicacions, des de transistors fins a generadors termoelèctrics o fotovoltaics. [...]
Most of the daily life devices and electronic tools have components based on semiconductor materials, which can be used for a wide range of applications, from transistors to photovoltaic or thermoelectric energy sources. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
4.
163 p, 6.7 MB Synthesis and advanced structural and magnetic characterization of mesoporous transition metal–doped SnO₂ powders and films / Fan, Junpeng, autor. ; Pellicer Vilà, Eva M. (Eva Maria) supervisor acadèmic. ; Sort Viñas, Jordi, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física.
Aquesta Tesi doctoral comprèn la síntesi mitjançant nanoemmotllament (de l'anglès, nanocasting) i autoassemblatge per evaporació induïda (de l'anglès, evaporation–induced self–assembly) i la caracterització exhaustiva de pols i capes de SnO2 mesoporós dopat amb Ni i Cu. [...]
This Thesis dissertation covers the synthesis by means of nanocasting and evaporation–induced self–assembly (EISA) methods as well as the advanced characterization of Ni, Cu–doped mesoporous SnO2 powders and films. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
5.
205 p, 10.2 MB Analysis of bidirectional switch power modules for matrix converter application / Gálvez Sánchez, José-Luis, autor. ; Jordà i Sanuy, Xavier, supervisor acadèmic. ; Abadal Berini, Gabriel, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
Existeix una creixent demanda en aplicacions industrials que requereixen una transferència bidireccional de potència entre la xarxa elèctrica i una càrrega i viceversa com per exemple: elevadors, escales mecàniques, energies renovables (molins de vent, fotovoltaica, cel·les de combustible, xarxes elèctriques intel·ligents), tracció elèctrica, etc. [...]
There is a wide and increasing demand in industrial applications which require bidirectional transfer of power between the AC utility and the load, and vice versa such as: rolling mills, elevators, centrifuges, escalators, renewable energies (wind turbines, photo-voltaic, fuel-cells; smart-grids), electric traction, etc. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
6.
157 p, 7.5 MB Caracterización de la variabilidad dependiente del tiempo de MOSFETs ultraescalados para su modelado compacto / Moras Albero, Miquel, autor. ; Nafría i Maqueda, Montserrat, supervisor acadèmic. ; Martín Martínez, Javier, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
El transistor MOSFET es uno de los dispositivos más utilizados en multitud de aplicaciones electrónicas gracias a sus excelentes características de funcionamiento, su bajo consumo y su gran capacidad de miniaturización. [...]
MOSFET transistor is one of the most used device many applications thanks to its excellent operation characteristics, low power consumption and high miniaturization capability. The microelectronic technology progress has allowed reducing the MOSFET dimensions, which has led to improve the performance of integrated circuits (IC). [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
7.
143 p, 3.5 MB Electronic properties of organic semiconductors and low-dimensional materials / Boskovic, Desanka, autor. ; Ordejón Rontomé, Pablo, supervisor acadèmic. ; Sodupe Roure, Mariona, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Química.
Los semiconductores orgánicos se han convertido en un grupo muy interesante de materiales por sus buenas propiedades de transporte de carga y aplicaciones tecnológicas masivas. Entre todos ellos, el rubreno ganó gran interés porque es un semiconductor orgánico con la movilidad más alta del portador, que puede alcanzar 40cm2=V s para los agujeros. [...]
Organic semiconductors became very interesting group of materials because of their good charge-transport properties and massive technological applications. Among all of them, rubrene gained grate interest because it is an organic semiconductor with the highest carrier mobility, which can reach 40cm2=V s for holes. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
8.
184 p, 3.5 MB Analysis of the resistive switching phenomenon in MOS devices for memory and logic applications / Maestro Izquierdo, Marcos, autor. ; Rodríguez Martínez, Rosana, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
En general, la continua evolución de la tecnología ha llevado a afrontar nuevos retos emergentes. En cuanto al campo de la electrónica, uno de los más relevantes ha sido la ley de Moore que postula que "el número de transistores en un circuito integrado se duplica aproximadamente cada dos años". [...]
In general, the continuous evolution, and improvement, of the technology has led to face new emerging challenges. Regarding the electronic field, one of the most relevant has been the Moore's law which postulates "the number of transistors in a dense integrated circuit doubles approximately every two years". [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
9.
114 p, 18.3 MB CMOS-MEMS para aplicaciones de RF : osciladores / Sobreviela Falces, Guillermo, autor ; Uranga del Monte, Aranzazu, supervisor acadèmic ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
En los últimos años el mercado asociado a los dispositivos MEMS/NEMS para comunicaciones está experimentando un constante aumento debido principalmente al auge en los dispositivos móviles inteligentes que incorporan un gran número de sensores inerciales y que van aumentando en función de las propias exigencias del mercado NEMS. [...]
In recent years the market associated with MEMS / NEMS devices for communications, is experiencing a steady increase mainly due to the popularity of smart mobile devices that incorporate a large number of inertial sensors. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016
3 documents
10.
171 p, 6.5 MB Nanoscale investigation and control of the interfacial properties of organic solar cells and organic thin-film transistors / Aghamohammadi, Mahdieh ; Barrena Villas, Esther, dir. ; Klauk, Hagen, dir. ; Rodríguez Viejo, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
Las propiedades de las películas de semiconductores orgánicas y, en particular, de las interfases involucradas, son uno de los aspectos más prominentes en relación con la eficiencia de los dispositivos orgánicos. [...]
Thin-film and interface properties of organic semiconductors are among the most prominent aspects with regard to the overall performance of organic electronic devices. The interface formed between two organic materials can influence the electronic and optical properties of organic electronic devices by determining the growth mechanisms, morphology, defect density and the electronic interface structures of organic films. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016  

Documents de recerca : 42 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.