Resultados globales: 66 registros encontrados en 0.01 segundos.
Artículos, Encontrados 20 registros
Documentos de investigación, Encontrados 46 registros
Artículos Encontrados 20 registros  1 - 10siguiente  ir al registro:
1.
Optimizing the yield of A-polar GaAs nanowires to achieve defect-free zinc blende structure and enhanced optical functionality / Zamani, Mahdi (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Tütüncüoglu, Gözde (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Francaviglia, Luca (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Güniat, Lucas (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Ghisalberti, Lea (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Potts, Heidi A. (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Friedl, Martin (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Markov, Edoardo. (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Kim, Wonjong (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Leran, Jean-Baptiste (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Dubrovskii, Vladimir G. (ITMO University) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fontcuberta i Morral, Anna (École Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Compound semiconductors exhibit an intrinsic polarity, as a consequence of the ionicity of their bonds. Nanowires grow mostly along the (111) direction for energetic reasons. Arsenide and phosphide nanowires grow along (111)B, implying a group V termination of the (111) bilayers. [...]
2018 - 10.1039/c8nr05787g
Nanoscale, Vol. 10, Issue 36 (September 2018) , p. 17080-17091  
2.
7 p, 720.6 KB Raman thermometry analysis : Modelling assumptions revisited / Jaramillo Fernández, Juliana (KTH Royal Institute of Technology) ; Chávez Ángel, Emigdio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
In Raman thermometry, several assumptions are made to model the heat conduction and to extract the thermal conductivity of the samples from the measured data. In this work, the heat conduction in bulk and mesa-like samples was investigated by numerical simulation and measured by the temperature-induced Raman shift method, to study the range of applicability of these assumptions. [...]
2018 - 10.1016/j.applthermaleng.2017.11.033
Applied thermal engineering, Vol. 130 (February 2018) , p. 1175-1181  
3.
18 p, 1.8 MB Unraveling the origin of magnetism in mesoporous Cu-doped SnO₂ magnetic semiconductor / Fan, Junpeng (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Menéndez Dalmau, Enric (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Guerrero Hernández, Miguel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Quintana, A. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Weschke, Eugen (Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie) ; Pellicer Vilà, Eva M. (Eva Maria) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Sort Viñas, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
The origin of magnetism in wide-gap semiconductors doped with non-ferromagnetic 3d transition metals still remains intriguing. In this article, insights in the magnetic properties of ordered mesoporous Cu-doped SnO₂ powders, prepared by hard-templating, have been unraveled. [...]
2017 - 10.3390/nano7110348
Nanomaterials, Vol. 7, issue 11 (Nov. 2017) , art. 348  
4.
4 p, 448.3 KB Monitoring defects in III-V materials : a nanoscale CAFM study / Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wu, Q. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bersuker, G. (Sematech) ; Cordes, A. (Sematech)
The implementation of high mobility devices requires growing III-V materials on silicon substrates. However, due to the lattice mismatch between these materials, III-V semiconductors tend to develop structural defects affecting device electrical characteristics. [...]
2015 - 10.1016/j.mee.2015.04.058
Microelectronic engineering, Vol. 147 (Nov. 2015) , p. 176-179  
5.
5 p, 1.9 MB Gate current analysis of AlGaN/GaN on silicon heterojunction transistors at the nanoscale / Fontserè Recuenco, Abel (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Pérez Tomàs, Amador (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Placidi, Marcel (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Aguiló Llobet, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Microelectrònica i Sistemes Electrònics) ; Baron, N. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Chenot, S. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Cordier, Y. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Moreno, J. C. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The gate leakage current of AlGaN/GaN (on silicon)high electron mobility transistor(HEMT) is investigated at the micro and nanoscale. The gate current dependence (25–310 °C) on the temperature is used to identify the potential conduction mechanisms, as trap assisted tunneling or field emission. [...]
2012 - 10.1063/1.4748115
Applied physics letters, Vol. 101, Issue 9 (August 2012) , p. 093505/1-093505/4  
6.
4 p, 752.7 KB Role of the microstructure on the magnetic properties of Co-doped ZnO nanoparticles / Martínez, Benjamín (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sandiumenge Ortiz, Felip (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Balcells Argemí, Lluís (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Universitat de Barcelona. Serveis Científics) ; Sibieude, F. (Institut de science et génie des Matériaux et Procédés (Font Romeu, França)) ; Monty, C. (Institut de science et génie des Matériaux et Procédés (Font Romeu, França)) ; American Physical Society
We report on the magnetic and structural properties of Co-doped ZnO nanoparticles prepared by the vaporization-condensation method in a solar reactor. X-ray diffraction data and high-resolution electron microscopy (HREM) confirm the total absence of metallic Co clusters or any other phase different from würtzite-type ZnO. [...]
2005 - 10.1063/1.1880433
Applied physics letters, Vol. 86, Issue 10 (March 2005) , p. 103113/1-103113/3  
7.
4 p, 327.1 KB Cathodoluminescence and photoluminescence of highly luminescent CdSe/ZnS quantum dot composites / Rodríguez Viejo, Javier (Massachusetts Institute of Technology. Department of Chemical Engineering) ; Jensen, K. F. (Massachusetts Institute of Technology. Department of Chemical Engineering) ; Mattoussi, H. (Massachusetts Institute of Technology. Department of Materials Science and Engineering) ; Michel, J. (Massachusetts Institute of Technology. Department of Materials Science and Engineering) ; Dabbousi, B. (Massachusetts Institute of Technology. Department of Chemistry) ; Bawendi, M. G. (Massachusetts Institute of Technology. Department of Chemistry) ; American Physical Society
We report room-temperature cathodoluminescence and photoluminescence spectra originating from ZnS overcoated CdSenanocrystals, 33 and 42 Å in diameter, embedded in a ZnS matrix. The thin-filmquantum dot composites were synthesized by electrospray organometallic chemical vapor deposition. [...]
1997 - 10.1063/1.119043
Applied physics letters, Vol. 70, Num. 16 (April 1997) , p. 2132-2134  
8.
4 p, 288.8 KB Modeling the breakdown spots in silicon dioxide films as point contacts / Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
Experiments and simulations are combined to demonstrate that the hard dielectric breakdown of thin SiO2 films in polycrystaline silicon/oxide/semiconductor structures leads to the formation of conduction paths with atomic-size dimensions which behave as point contacts between the silicon electrodes. [...]
1999 - 10.1063/1.124566
Applied physics letters, Vol. 75, Issue 7 (June 1999) , p. 959-961  
9.
4 p, 300.8 KB High frequency components of current fluctuations in semiconductor tunneling barriers / Oriols Pladevall, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín, Ferran, (Martín Antolín) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
The power spectral density of current noise in phase-coherent semiconductortunneling scenarios is studied in terms of Bohm trajectories associated to time-dependent wave packets. In particular, the influence of the particles reflected by the barrier on the noise spectrum is analyzed. [...]
2002 - 10.1063/1.1482136
Applied physics letters, Vol. 80, Issue 21 (May 2002) , p. 4048-4050  
10.
4 p, 673.6 KB Resonant interband tunneling spin filter / Ting, David Z. -Y. (California Institute of Technology. Jet Propulsion Laboratory) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
We propose an InAs/GaSb/AlSb-based asymmetric resonant interband tunnelingdiode as a spin filter. The interband design exploits large valence band spin–orbit interaction to provide strong spin selectivity, without suffering from fast hole spin relaxation. [...]
2002 - 10.1063/1.1524700
Applied physics letters, Vol. 81, Issue 22 (November 2002) , p. 4198-4200  

Artículos : Encontrados 20 registros   1 - 10siguiente  ir al registro:
Documentos de investigación Encontrados 46 registros  1 - 10siguientefinal  ir al registro:
1.
207 p, 15.8 MB Advances on the synthesis of MOFs at scale / Çamur, Ceren, autor. ; Maspoch Comamala, Daniel, supervisor acadèmic. ; Imaz, Inhar, supervisor acadèmic. ; Busqué Sánchez, Félix, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Química.
La presente tesis doctoral ha sido dedicada al desarrollo y optimización de metodologías para la síntesis de MOFs en medio acuoso, así como su conformación y el avance hacia la producción a gran escala de estos materiales. [...]
The present PhD Thesis has been dedicated to the development of basic knowledge on aqueous synthesis methodologies of MOFs and their shaping in order to make advances towards the large scale production of MOFs. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.  
2.
240 p, 10.6 MB Electrolyte-gated organic field-effect transistors based on organic semiconductor : insulating polymer blends / Zhang, Qiaoming, autor. ; Mas Torrent, Marta, supervisor acadèmic. ; Leonardi, Francesca, supervisor acadèmic. ; Sort Viñas, Jordi, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Institut de Ciència de Materials de Barcelona.
La presente tesis doctoral se centra en la fabricación, optimización, caracterización y aplicación de capas activas compuestas de una mezcla de semiconductor orgánico y un polímero aislante (OSC:PS) en transistores orgánicos de efecto de campo (EGOFET) con puerta-electrolítica. [...]
The present Doctoral Thesis is focused on the fabrication, optimization, characterization and application of organic semiconductors:insulating polymer blends for electrolyte-gated organic field-effect transistors (EGOFETs), which are considered a promising sensing platform in the field of bioelectronics due to their ability to operate in common electrolyte media. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.  
3.
230 p, 17.3 MB Influence of organic semiconductors morphology, structure and processability on organic field-effect transistors performance / Campos García, Antonio, autor. ; Mas Torrent, Marta, supervisor acadèmic. ; Pleixats i Rovira, Roser, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Institut de Ciència de Materials de Barcelona.
En esta tesis hemos estudiado como la manera de procesar los semiconductores orgánicos puede afectar a su morfología y estructure cristalina. Semiconductores orgánicos de tipo p y n han sido empleados como capas activas en transistores orgánicos de efecto campo (OFETs). [...]
In this thesis we have studied how the processing of organic semiconductors can affect their morphology and crystal structure. p-Type and n-type organic semiconductors have been employed as active layers in Organic Field-Effect Transistors (OFETs). [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.  
4.
334 p, 22.9 MB Confining Reactions in a Droplet : synthesis of MOFs, COFs and Composites using Spray-Drying / Garzón Tovar, Luis Carlos, autor. ; Maspoch Comamala, Daniel, supervisor acadèmic. ; Imaz, Inhar, supervisor acadèmic. ; Busqué Sánchez, Félix, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Química.
Una nueva era en la química de los materiales inició con el descubrimiento de las redes Metal-Orgánicas (MOFs, por sus siglas en inglés) y las redes Orgánicas-Covalentes (COFs, por sus siglas en inglés). [...]
A new age in materials chemistry started with the discovery of Metal-Organic Frameworks and Covalent-Organic frameworks. In particular, the introduction of reticular chemistry represented a revolutionary strategy that gave chemists infinite opportunities toward the design and construction of novel functional materials with exceptional properties, such as their high porosity, high structural/compositional flexibility and low densities (for COFs). [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
5.
199 p, 8.4 MB Micro and nano-electro-mechanical devices in the CMOS back end and their applications / Riverola Borreguero, Martín, autor. ; Barniol i Beumala, Núria, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
Recentment, l'escalat de la tecnologia complementaria metall-òxid-semiconductor (CMOS) està arribant a límits fonamentals, principalment degut a les fuites de corrent no nul·les que el transistor presenta. [...]
Recently, several new emerging devices are starting to be explored because the traditional down-scaling approach of the complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology (often called "More Moore") is reaching fundamental limits; mainly due to non-zero transistor off-state leakage. [...]

[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
6.
196 p, 6.6 MB Modelling, design and integration of new differential architectures for M/NEMS resonant sensors / Prache, Pierre, autor. ; Juillard, Jérôme, supervisor acadèmic. ; Barniol i Beumala, Núria, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
Los sensores M/NEMS resonantes, gracias a su pequeño tamaño, a su bajo consumo y a su carácter quasi-digital (siendo generalmente la señal de salida un tono frecuencial), se han convertido en herramientas muy usadas en sistemas embebidos portátiles y de a bordo tales como en telefonía móvil (es decir, en smartphones) o en la industria aeroespacial. [...]
M/NEMS resonant sensors, due to their small size, consumption and quasi-digital output (a frequency most of the time) are useful tools for on-board systems, from smartphones to aeronautic technology. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
7.
188 p, 3.9 MB Thermal transport in semiconductors : first principles and phonon hydrodynamics / Torres Alvarez, Pol, autor. ; Àlvarez Calafell, Francesc Xavier, supervisor acadèmic (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Cartoixà Soler, Xavier, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física.
La majoria dels aparells electrònics utilitzats avui en dia tenen components basats en materials semiconductors, els quals poden ser utilitzats en un ampli rang d'aplicacions, des de transistors fins a generadors termoelèctrics o fotovoltaics. [...]
Most of the daily life devices and electronic tools have components based on semiconductor materials, which can be used for a wide range of applications, from transistors to photovoltaic or thermoelectric energy sources. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
8.
163 p, 6.7 MB Synthesis and advanced structural and magnetic characterization of mesoporous transition metal–doped SnO₂ powders and films / Fan, Junpeng, autor. ; Pellicer Vilà, Eva M. (Eva Maria) supervisor acadèmic. ; Sort Viñas, Jordi, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física.
Aquesta Tesi doctoral comprèn la síntesi mitjançant nanoemmotllament (de l'anglès, nanocasting) i autoassemblatge per evaporació induïda (de l'anglès, evaporation–induced self–assembly) i la caracterització exhaustiva de pols i capes de SnO2 mesoporós dopat amb Ni i Cu. [...]
This Thesis dissertation covers the synthesis by means of nanocasting and evaporation–induced self–assembly (EISA) methods as well as the advanced characterization of Ni, Cu–doped mesoporous SnO2 powders and films. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
9.
205 p, 10.2 MB Analysis of bidirectional switch power modules for matrix converter application / Gálvez Sánchez, José-Luis, autor. ; Jordà i Sanuy, Xavier, supervisor acadèmic. ; Abadal Berini, Gabriel, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
Existeix una creixent demanda en aplicacions industrials que requereixen una transferència bidireccional de potència entre la xarxa elèctrica i una càrrega i viceversa com per exemple: elevadors, escales mecàniques, energies renovables (molins de vent, fotovoltaica, cel·les de combustible, xarxes elèctriques intel·ligents), tracció elèctrica, etc. [...]
There is a wide and increasing demand in industrial applications which require bidirectional transfer of power between the AC utility and the load, and vice versa such as: rolling mills, elevators, centrifuges, escalators, renewable energies (wind turbines, photo-voltaic, fuel-cells; smart-grids), electric traction, etc. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
10.
157 p, 7.5 MB Caracterización de la variabilidad dependiente del tiempo de MOSFETs ultraescalados para su modelado compacto / Moras Albero, Miquel, autor. ; Nafría i Maqueda, Montserrat, supervisor acadèmic. ; Martín Martínez, Javier, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
El transistor MOSFET es uno de los dispositivos más utilizados en multitud de aplicaciones electrónicas gracias a sus excelentes características de funcionamiento, su bajo consumo y su gran capacidad de miniaturización. [...]
MOSFET transistor is one of the most used device many applications thanks to its excellent operation characteristics, low power consumption and high miniaturization capability. The microelectronic technology progress has allowed reducing the MOSFET dimensions, which has led to improve the performance of integrated circuits (IC). [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  

Documentos de investigación : Encontrados 46 registros   1 - 10siguientefinal  ir al registro:
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.