Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Simulators
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 3 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 3 registres trobats
Articles 3 registres trobats  
1.
19 p, 2.2 MB Understanding the bias dependence of low frequency noise in single layer graphene FETs / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This letter investigates the bias-dependent low frequency noise of single layer graphene field-effect transistors. Noise measurements have been conducted with electrolyte-gated graphene transistors covering a wide range of gate and drain bias conditions for different channel lengths. [...]
2018 - 10.1039/c8nr04939d
Nanoscale, Vol. 10, Issue 31 (August 2018) , p. 14947-14956  
Registre complet -
2.
7 p, 1.6 MB Large-signal model of 2DFETs : compact modeling of terminal charges and intrinsic capacitances / Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Marin, Enrique G. (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Toral-Lopez, Alejandro (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Ruiz, Francisco G. (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Godoy Medina, Andres (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Park, Saungeun (The University of Texas. Department of Electrical and Computer Engineering (USA)) ; Akinwande, Deji (The University of Texas. Department of Electrical and Computer Engineering (USA)) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
We present a physics-based circuit-compatible model for double-gated two-dimensional semiconductor-based field-effect transistors, which provides explicit expressions for the drain current, terminal charges, and intrinsic capacitances. [...]
2019 - 10.1038/s41699-019-0130-6
npj 2D Materials and Applications, Vol. 3 (December 2019) , art. 47  
Registre complet - Creative Commons
3.
5 p, 349.3 KB Utilització de simuladors en l'estudi de les característiques de les reaccions d'equilibri / Hernández Santadaría, José Ángel (INS Badalona VII)
Els simuladors permeten disposar, d'una manera ràpida i senzilla, de models de l'evolució dels sistemes químics a nivell microscòpic i macroscòpic. Les activitats que es presenten en aquest article tenen com a objectiu facilitar que l'alumnat pugui deduir les principals ca-racterístiques de les reaccions d'equilibri a partir de l'anàlisi i la interpretació de les dades generades amb diferents simuladors.
Simulators allow us to have, in a quick and simple way, models of evolution of chemical systems at a microscopic and macroscopic level. The activities set forth in this article aim at facilitating the students' deduction of the main features of balance reactions by analy-sing and processing the data obtained from different simulators.
2014 - 10.5565/rev/ciencies.58
Ciències : revista del professorat de ciències de primària i secundària, Núm. 28 (Juny 2014) , p. 2-6  
Registre complet -

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem