Resultats globals: 25 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 20 registres trobats
Documents de recerca, 5 registres trobats
Articles 20 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
Nanoscopic spin-wave channeling along programmable magnetic domain walls in a CoFeB/BaTiO3 multiferroic heterostructure / Zhu, Weijia (Aalto University School of Science. Department of Applied Physics) ; Qin, Huajun (Wuhan University) ; Van Dijken, Sebastiaan (Aalto University School of Science. Department of Applied Physics)
We report a micromagnetic study on spin-wave propagation along magnetic domain walls in a ferromagnetic/ferroelectric bilayer. In our system, strain coupling between the two ferroic materials and inverse magnetostriction produce a fully correlated domain pattern wherein straight and narrow ferroelectric domain walls pin the magnetic domain walls. [...]
2024 - 10.1063/5.0179748
Applied physics letters, Vol. 124, Issue 4 (January 2024) , art. 042401  
2.
9 p, 1.1 MB Reducing charge noise in quantum dots by using thin silicon quantum wells / Paquelet Wuetz, Brian (Delft University of Technology) ; Degli Esposti, Davide (Delft University of Technology) ; Zwerver, Anne-Marije J. (Delft University of Technology) ; Amitonov, Sergey V. (QuTech and Netherlands Organisation for Applied Scientific Research) ; Botifoll, Marc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Vandersypen, Lieven M. K. (Delft University of Technology) ; Russ, Maximilian (Delft University of Technology) ; Scappucci, Giordano (Delft University of Technology)
Charge noise in the host semiconductor degrades the performance of spin-qubits and poses an obstacle to control large quantum processors. However, it is challenging to engineer the heterogeneous material stack of gate-defined quantum dots to improve charge noise systematically. [...]
2023 - 10.1038/s41467-023-36951-w
Nature communications, Vol. 14 (March 2023) , art. 1385  
3.
21 p, 7.4 MB Control of spin-charge conversion in van der Waals heterostructures / Galceran, Regina (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Tian, Bo (King Abdullah University of Science and Technology) ; Li, Junzhu (King Abdullah University of Science and Technology) ; Bonell, Frédéric (University of Grenoble Alpes. Spintec) ; Jamet, Matthieu (University of Grenoble Alpes. Spintec) ; Vergnaud, Céline (University of Grenoble Alpes. Spintec) ; Marty, Alain (University of Grenoble Alpes. Spintec) ; Garcia, José H. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Manchon, Auréliene (Aix-Marseille Université) ; Zhang, Xixiang (King Abdullah University of Science and Technology) ; Schwingenschlögl, Udo (King Abdullah University of Science and Technology)
The interconversion between spin and charge degrees of freedom offers incredible potential for spintronic devices, opening routes for spin injection, detection, and manipulation alternative to the use of ferromagnets. [...]
2021 - 10.1063/5.0054865
APL materials, Vol. 9, issue 10 (Oct. 2021) , art. 100901  
4.
34 p, 1.9 MB Boosting room-temperature magneto-ionics in a non-magnetic oxide semiconductor / de Rojas, Julius (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Quintana Puebla, Alberto (Georgetown University. Department of Physics (USA)) ; Lopeandía Fernández, Aitor (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Salguero, Joaquín (Instituto de Micro y Nanotecnología) ; Costa-Krämer, José L. (Instituto de Micro y Nanotecnología) ; Abad, Llibertat (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Liedke, Maciej O. (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf. Institute of Radiation Physics (Germany)) ; Butterling, Maik (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf. Institute of Radiation Physics (Germany)) ; Wagner, Andreas (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf. Institute of Radiation Physics (Germany)) ; Henderick, Lowie (Ghent University. Department of Solid State Sciences (Belgium)) ; Dendooven, Jolien (Ghent University. Department of Solid State Sciences (Belgium)) ; Detavernier, Christophe (Ghent University. Department of Solid State Sciences (Belgium)) ; Sort Viñas, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Menéndez Dalmau, Enric (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Voltage control of magnetism through electric field-induced oxygen motion (magneto-ionics) could represent a significant breakthrough in the pursuit for new strategies to enhance energy efficiency in magnetically actuated devices. [...]
2020 - 10.1002/adfm.202003704
Advanced functional materials, Vol. 30, Issue 36 (September 2020) , art. 2003704  
5.
10 p, 3.9 MB Universal Spin Diffusion Length in Polycrystalline Graphene / Cummings, Aron (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Dubois, Simon M. M. (Université Catholique de Louvain) ; Charlier, Jean Christophe (Université Catholique de Louvain) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Graphene grown by chemical vapor deposition (CVD) is the most promising material for industrial-scale applications based on graphene monolayers. It also holds promise for spintronics; despite being polycrystalline, spin transport in CVD graphene has been measured over lengths up to 30 μm, which is on par with the best measurements made in single-crystal graphene. [...]
2019 - 10.1021/acs.nanolett.9b03112
Nano letters, Vol. 19, Issue 10 (October 2019) , p. 7418-7426  
6.
13 p, 895.2 KB Charge and spin transport anisotropy in nanopatterned graphene / Gregersen, Søren Schou (Danmarks Tekniske Universitet. Center for Nanostructured Graphene) ; Garcia, José H. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jauho, Antti-Pekka (Danmarks Tekniske Universitet. Center for Nanostructured Graphene) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Power, Stephen R. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Anisotropic electronic transport is a possible route towards nanoscale circuitry design, particularly in two-dimensional materials. Proposals to introduce such a feature in patterned graphene have to date relied on large-scale structural inhomogeneities. [...]
2018 - 10.1088/2515-7639/aadca3
JPhys materials, Vol. 1, Núm. 1 (September 2018) , art. 015005  
7.
12 p, 1.6 MB Spin Proximity Effects in Graphene/Topological Insulator Heterostructures / Song, Kenan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Soriano, David (QuantaLab and International Iberian Nanotechnology Laboratory) ; Cummings, Aron (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Robles, Roberto (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Ordejon, Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Enhancing the spin-orbit interaction in graphene, via proximity effects with topological insulators, could create a novel 2D system that combines nontrivial spin textures with high electron mobility. [...]
2018 - 10.1021/acs.nanolett.7b05482
Nano letters, Vol. 18, Issue 3 (March 2018) , p. 2033-2039  
8.
14 p, 5.9 MB Hybrid quantum anomalous Hall effect at graphene-oxide interfaces / Zanolli, Zeila (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Niu, C. (Peter Grünberg Institut) ; Bihlmayer, G. (Peter Grünberg Institut) ; Mokrousov, Y. (Johannes Gutenberg University Mainz) ; Mavropoulos, Phivos (Peter Grünberg Institut) ; Verstraete, Matthieu J. (Université de Liège) ; Blügel, Stefan (Peter Grünberg Institut)
Interfaces are ubiquitous in materials science, and in devices in particular. As device dimensions are constantly shrinking, understanding the physical properties emerging at interfaces is crucial to exploit them for applications, here for spintronics. [...]
2018 - 10.1103/PhysRevB.98.155404
Physical review B, Vol. 98, Issue 15 (October 2018) , art. 155404  
9.
12 p, 755.5 KB Spin transport in dangling-bond wires on doped H-passivated Si(100) / Kepenekian, Mikaël (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Robles, Roberto (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Lorente, Nicolás (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
New advances in single-atom manipulation are leading to the creation of atomic structures on H-passivated Si surfaces with functionalities important for the development of atomic and molecular based technologies. [...]
2014 - 10.1088/0957-4484/25/46/465703
Nanotechnology, Vol. 25, Issue 46 (November 2014) , art. 465703  
10.
35 p, 1.3 MB Room-temperature spin hall effect in graphene/MoS2 van der Waals heterostructures / Safeer, C. K. (CIC NanoGUNE) ; Ingla-Aynés, Josep (CIC NanoGUNE) ; Herling, Franz (CIC NanoGUNE) ; Garcia, José H. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Vila Tusell, Marc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Ontoso, Nerea (CIC NanoGUNE) ; Calvo, M. Reyes (IKERBASQUE. Basque Foundation for Science) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Hueso, Luis E. (IKERBASQUE. Basque Foundation for Science) ; Casanova, Fèlix (IKERBASQUE. Basque Foundation for Science)
Graphene is an excellent material for long-distance spin transport but allows little spin manipulation. Transition-metal dichalcogenides imprint their strong spin-orbit coupling into graphene via the proximity effect, and it has been predicted that efficient spin-to-charge conversion due to spin Hall and Rashba-Edelstein effects could be achieved. [...]
2019 - 10.1021/acs.nanolett.8b04368
Nano letters, Vol. 19, Issue 2 (February 2019) , p. 1074-1082  

Articles : 20 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Documents de recerca 5 registres trobats  
1.
30.1 MB Modeling the interaction of ferromagnetic skyrmionic structures with material defects and superconductors / González Gómez, Leonardo Gastón ; Navau Ros, Carles, dir. ; Valle Benedí, Nuria del, dir.
Aquesta tesi està dedicada a la modelització teòrica d'estructures esquirmiòniques i la seva interacció amb altres agents. En primer lloc, considerem com els defectes del material poden afectar les trajectòries dels esquirmions. [...]
Esta tesis está dedicada a la modelización teórica de las estructuras de esquirmión y su interacción con otros agentes. En primer lugar, consideramos cómo los defectos del material pueden afectar a las trayectorias del esquirmión. [...]
This thesis is devoted to the theoretical modeling of skyrmionic structures and their interaction with other agents. First, we consider how defects in the material can affect the skyrmion trajectories. [...]

2022  
2.
139 p, 7.1 MB Spin-orbit coupling in graphene/transition metal dichalcogenides devices / Benítez, L. Antonio ; Valenzuela, Sergio O, dir. ; Roche, Stephan Jean Louis, dir. ; Costache, Marius Vasile, dir. ; Mompart Penina, Jordi, dir.
Aquest treball s'emmarca dins els camps de l'espintrònica i la spin-orbitrònica, l'objectiu final del qual és controlar el grau de llibertat de l'espín de l'electró mitjançant l'acoblament spin-òrbita (SOC) en sistemes d'estat sòlid. [...]
El presente trabajo se encuentra dentro de los campos de la espintrónica y la espín-orbitrónica, cuyo objetivo final es controlar el grado de libertad de espín del electrón mediante el acoplamiento espín-órbita (SOC) en sistemas de estado sólido. [...]
The presented work is within the fields of spintronics and spin-orbitronics, whose final aim is to control the electron's spin degree of freedom via the spin-orbit coupling (SOC) in solid-state systems. [...]

2020  
3.
201 p, 31.4 MB Theoretical Study of Spin Dynamics in Two-Dimensional Quantum Materials / Vila Tusell, Marc ; Roche, Stephan Jean Louis, dir. ; Cummings, Aron, dir. ; Valenzuela, Sergio O, dir. ; Navau Ros, Carles, dir.
El camp de l'espintrònica té l'objectiu d'utilitzar el grau de llibertat d'espín de l'electró per emmagatzemar, transportar i manipular informació en dispositius electrònics de nova generació. [...]
El campo de la espintrónica tiene como objetivo utilizar el grado de libertad de espín para almacenar, transportar y manipular información en dispositivos electrónicos de próxima generación. En esta tesis, utilizo metodologías de transporte cuántico para simular la dinámica de espín en dispositivos hechos de materiales bidimensionales. [...]
The field of spintronics aims at using the spin degree of freedom to store, transport and manipulate information in next-generation electronic devices. In this thesis, I use quantum transport methodologies to simulate spin dynamics in devices made of two-dimensional materials. [...]

2020  
4.
158 p, 4.7 MB High-quality CVD graphene for spintronic applications / Gebeyehu, Zewdu Messele ; Valenzuela, Sergio O, dir. ; Esplandiu Egido, Maria José, dir. ; Costache, Marius Vasile, dir. ; Badosa, Josep R., dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Química
Aquesta tesi s'ha basat en la síntesi i el processament del grafè per tal d'obtenir les condicions òptimes per a la seva utilització en aplicacions d'espintrònica. La tesi està emmarcada en dos camps de recerca punters: el món del grafè amb la seva riquesa de propietats úniques i el camp de l'espintrònica que explora el grau de llibertat de l'espí de l'electró de cara a noves aplicacions en informàtica i tecnologia de comunicacions (com és ara els dispositius de lògica i d'emmagatzematge d'informació). [...]
Esta tesis se ha basado en ajustar la síntesis y el procesamiento de grafeno para el desarrollo de dispositivos espintrónicos optimizados. La tesis está enmarcada en dos temáticas punteras: el mundo del grafeno con su riqueza de propiedades únicas y el campo de la espintrónica que explora el grado de libertad del espín de los electrones para nuevas aplicaciones en tecnología de la información y la comunicación (por ejemplo, dispositivos de lógica y almacenamiento de información). [...]
"This thesis has focused on tuning the synthesis and processing of graphene to achieve optimized spintronic applications. Thus the thesis is framed in two cut-edging topics: the graphene world with its richness of unique properties and the field of spintronics which explores the spin degree of freedom of the electrons for novel applications in information and communication technology (e. [...]

2019  
5.
145 p, 1.8 MB Electronic spin transport and thermoelectric effects in graphene / Neumann, Ingmar ; Valenzuela, Sergio O., dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Pascual i Gainza, Jordi, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
La espintrónica y la espín caloritronica en grafeno son campos de investigación muy activos, y esta tesis es una contribución a ambos campos. El tema principal es el estudio de la corriente de espín a través de métodos de inyección y detección eléctrica en válvulas de espín no locales de grafeno. [...]
Spintronics and spin caloritronics in graphene are recently very active fields of research, and this thesis is a contribution to both. The main topic is the study of spin currents in graphene non local spin valves via means of electrical spin injection and detection. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.