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1.
Influence of organic semiconductors morphology, structure and processability on organic field-effect transistors performance / Campos García, Antonio, autor. ; Mas Torrent, Marta, supervisor acadèmic. ; Pleixats i Rovira, Roser, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Institut de Ciència de Materials de Barcelona.
En esta tesis hemos estudiado como la manera de procesar los semiconductores orgánicos puede afectar a su morfología y estructure cristalina. Semiconductores orgánicos de tipo p y n han sido empleados como capas activas en transistores orgánicos de efecto campo (OFETs). [...]
In this thesis we have studied how the processing of organic semiconductors can affect their morphology and crystal structure. p-Type and n-type organic semiconductors have been employed as active layers in Organic Field-Effect Transistors (OFETs). [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.  
2.
120 p, 7.9 MB Contact resistance and electrostatics of 2DFETs / Jovell Megias, Ferran, autor. ; Cartoixà Soler, Xavier, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
Durant la darrera dècada, la popularització del grafè i altres materials de dues dimensions (2D) ha revolucionat la ciència de materials. Els nous fenòmens físics que esdevenen en aquests nous materials obren les possibilitats per a nous dispositius amb característiques extraordinàries. [...]
In the last decade, the rise of graphene and other 2-dimensional materials revolutionized materials science. The new physics brought by these new materials opened up the possibilities of new devices with outstanding characteristics. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
3.
232 p, 7.8 MB Nanoscale interpretation of performances in organic solar cells and field effect transistors / Pérez Rodríguez, Ana, autor. ; Barrena Villas, Esther, supervisor acadèmic. ; Ocal García, Carmen, supervisor acadèmic. ; Garcia Alonso, Gemma, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física.
Dos de los principales retos a superar en el campo de la electrónica orgánica son el control la morfología de la capa semiconductora y las propiedades de las interfases. En particular, las interfases formadas por la capa orgánica semiconductora y los electrodos metálicos influyen fuertemente en el comportamiento de los dispositivos. [...]
Two of the main challenges in organic electronic devices are the semiconducting layer morphology and the interface properties. Particularly, the interfaces formed by the semiconducting organic layer and the metallic electrodes strongly influence the performance of the devices. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
4.
252 p, 8.3 MB Self-assembled monolayers of electroactive molecules for the preparation of memory devices. / Marchante Rodríguez, Elena ; Mas Torrent, Marta, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Crivillers Clusella, Núria, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Gallardo Garcia, Iluminada, tutor. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Química) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Química.
El objetivo fundamental de los circuitos eléctricos es la miniaturización utilizando moléculas, de manera individual o el conjunto de ellas, como bloques de construcción electrónicos. Se espera que el pequeño tamaño de los componentes electrónicos reduzca el consumo de energía a la vez que aumente la sensibilidad y el rendimiento del dispositivo. [...]
The ultimate goal of electrical circuits is miniaturization by using single molecules or collections of single molecules as electronic building blocks. It is expected that the smaller size of the electronic components will decrease the power consumption while increasing the sensitivity and the performance of the device. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.
2 documentos
5.
184 p, 11.7 MB On the displacement current in THz quantum nanodevices : application to the simulation of graphene transistors / Zhan, Zhen, autor. ; Oriols, Xavier, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
En la actualidad, la comunidad científica está trabajando en dispositivos electrónicos en la nanoscala para frecuencias de TeraHertzios (THz). Para tales frecuencias, la corriente de desplazamiento -la variación temporal del flujo eléctrico- tiene un papel tan relevante como la corriente de la partícula. [...]
Nowadays, the scientific community envisions nanoscale electronic devices working at TeraHertz (THz) frequencies. For such frequencies, the displacement current, the temporal variation of the electric flux, has a role as relevant as the particle current. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
6.
165 p, 3.1 MB Modelling of field-effect transistors based on 2D materials targeting high-frequency applications / Pasadas Cantos, Francisco, autor ; Jiménez Jiménez, David, supervisor acadèmic ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Los sistemas de comunicación inalámbricos 5G, así como el futuro despliegue del "Internet of Things", han hecho que el International Technology Roadmap for Semiconductors, documento estratégico que marca la hoja de ruta de la industria de los semiconductores, incluya desde 2011 al grafeno y los 2DMs relacionados (GRMs) como candidatos para la electrónica del futuro. [...]
New technologies are necessary for the unprecedented expansion of connectivity and communications in the modern technological society. The specific needs of wireless communication systems in 5G and beyond, as well as devices for the future deployment of the Internet of Things has caused that the International Technology Roadmap for Semiconductors, which is the strategic planning document of the semiconductor industry, considered since 2011, graphene and related materials (GRMs) as promising candidates for the future of electronics. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017  
7.
171 p, 6.5 MB Nanoscale investigation and control of the interfacial properties of organic solar cells and organic thin-film transistors / Aghamohammadi, Mahdieh ; Barrena Villas, Esther, dir. ; Klauk, Hagen, dir. ; Rodríguez Viejo, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
Las propiedades de las películas de semiconductores orgánicas y, en particular, de las interfases involucradas, son uno de los aspectos más prominentes en relación con la eficiencia de los dispositivos orgánicos. [...]
Thin-film and interface properties of organic semiconductors are among the most prominent aspects with regard to the overall performance of organic electronic devices. The interface formed between two organic materials can influence the electronic and optical properties of organic electronic devices by determining the growth mechanisms, morphology, defect density and the electronic interface structures of organic films. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016  
8.
131 p, 7.4 MB Variabilitat depenent del temps per BTI i portadors calents en MOSFETS ultraescalats / Ayala Cintas, Núria ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Durant el treball de tesi s'ha permès ampliar una línia d'investigació al grup de recerca REDEC (Reliability of Electron Device and Circuits) del Departament d'Enginyeria Electrònica de la Universitat Autònoma de Barcelona (UAB), dedicada a la fiabilitat del transistors MOSFET nanoelectrònics. [...]
This thesis was carried out within one of the several lines of investigation of the REDEC (Reliability of Electron Device and Circuits) from Department of Electronic Engineering, located at the Universitat Autònoma de Barcelona (UAB), which marks its research activities. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
9.
121 p, 3.0 MB Study and modeling of multi‐gate transistors in the context of CMOS technology scaling / Chaves Romero, Ferney Alveiro ; Jiménez Jiménez, David, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- , dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
L'escalat dels transistors MOSFET convencionals ha portat a aquests dispositius a la nanoescala per incrementar tant les seves prestacions com el nombre de components per xip. En aquest process d'escalat, els coneguts "Short Channel Effects" representen una forta limitació. [...]
The scaling of the conventional MOSFETs has led these devices to the nanoscale to increase both the performance and the number of components per chip. In this process, the so-called "Short Channel Effects" have arisen as a limiting factor. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2012  
10.
107 p, 1.5 MB Desarrollo y validación de un sistema basado en ENFET para aplicación en diálisis / Silva Cárdenas, Carlos Bernardino ; Aguiló Llobet, Jordi, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Microelectrònica i Sistemes Electrònics)
El trabajo de investigación que se describe en la presente memoria se plantea como objetivo el desarrollo de un EnFET con aplicación clínica en la medición de la concentración de urea de manera indirecta en líquido dializado para propósito de diagnóstico clínico más rápido, exacto y utilizando pequeñas cantidades de componentes químicos, específicamente en diálisis. [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2009  

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