Results overview: Found 49 records in 0.03 seconds.
Articles, 23 records found
Research literature, 25 records found
Graphic and multimedia documents, 1 records found
Articles 23 records found  1 - 10nextend  jump to record:
1.
20 p, 736.9 KB Radio frequency performance projection and stability tradeoff of h-BN encapsulated graphene field-effect transistors / Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Iglesias, José M. (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ; Hamham, El Mokhtar (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ; Rengel, Raul (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Hexagonal boron nitride encapsulation significantly improves carrier transport in graphene. This paper investigates the benefit of implementing the encapsulation technique in graphene field-effect transistors (GFETs) in terms of their intrinsic radio frequency (RF) performance, adding the effect of the series resistances at the terminals. [...]
2019 - 10.1109/TED.2018.2890192
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 66, Issue 3 (March 2019) , p. 1567-1573  
2.
29 p, 1.9 MB A walk on the frontier of energy electronics with power ultra-wide bandgap oxides and ultra-thin neuromorphic 2D materials / Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Chikoidze, Ekaterine (Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines) ; Rogers, David J. (Nanovation)
Ultra-wide bandgap (UWBG) semiconductors and ultra-thin two-dimensional materials (2D) are at the very frontier of the electronics for energy management or energy electronics. A new generation of UWBG semiconductors will open new territories for higher power rated power electronics and deeper ultraviolet optoelectronics. [...]
2021 - 10.1117/12.2590747
Proceedings of SPIE, Vol. 11687 (2021) , p. 2590747  
3.
26 p, 7.9 MB GaO and related ultra-wide bandgap power semiconductor oxides : new energy electronics solutions for CO emission mitigation / Chi, Zeyu (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Asher, Jacob J. (Swansea University. College of Engineering) ; Jennings, Mike (Swansea University. College of Engineering) ; Chikoidze, Ekaterine (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Currently, a significant portion (~50%) of global warming emissions, such as CO, are related to energy production and transportation. As most energy usage will be electrical (as well as transportation), the efficient management of electrical power is thus central to achieve the XXI century climatic goals. [...]
2022 - 10.3390/ma15031164
Materials, Vol. 15, issue 3 (Feb. 2022) , art. 1164  
4.
5 p, 691.3 KB DC characterization and fast small-signal parameter extraction of organic thin film transistors with different geometries / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Arnal Rus, August (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Ramon, Eloi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Terés Terés, Lluís (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Organic Devices offer low-cost manufacturing and better flexibility, sustainability and solution-processability than their Si-based MOS counterparts, which make them suitable for new applications where those characteristics are an advantage. [...]
2020 - 10.1109/LED.2020.3021236
IEEE electron device letters, Vol. 41, Issue 10 (October 2020) , p. 1512-1515  
5.
11 p, 4.0 MB Flexible setup for the measurement of CMOS time-dependent variability with array-based integrated circuits / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
This paper presents an innovative and automated measurement setup for the characterization of variability effects in CMOS transistors using array-based integrated circuits (ICs), through which a better understanding of CMOS reliability could be attained. [...]
2020 - 10.1109/TIM.2019.2906415
IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, Vol. 69, Issue 3 (March 2020) , p. 853-864  
6.
11 p, 1.8 MB Aging in CMOS RF linear power amplifiers : an experimental study / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
An extensive experimental analysis of the HCI and BTI aging effects on RF linear power amplifiers (PA) is presented in this paper. Two different 2. 45 GHz PA topologies have been implemented in a CMOS 65 nm technology, one based on a classical common-source (CS) and choke inductor, another one based on a complementary current-reuse (CR) circuit, both of them producing similar gain and output 1-dB compression point (P-1dB). [...]
2021 - 10.1109/tmtt.2020.3041282
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 69, Issue 2 (February 2021) , art. 1453  
7.
34 p, 774.3 KB Lipid monolayer formation and lipid exchange monitored by a graphene field-effect transistor / Blaschke, Benno M. (Technische Universität München. Walter Schottky Institut) ; Böhm, Philip (Ludwig-Maximilians-Universität. Center for NanoScience) ; Drieschner, Simon (Technische Universität München. Walter Schottky Institut) ; Nickel, Bert (Ludwig-Maximilians-Universität. Center for NanoScience) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Anionic and cationic lipids are key molecules involved in many cellular processes; their distribution in biomembranes is highly asymmetric, and their concentration is well-controlled. Graphene solution-gated field-effect transistors (SGFETs) exhibit high sensitivity toward the presence of surface charges. [...]
2018 - 10.1021/acs.langmuir.8b00162
Langmuir, Vol. 34, issue 14 (April 2018) , p. 4224-4233  
8.
6 p, 1.6 MB Effect of channel thickness on noise in organic electrochemical transistors / Polyravas, Anastasios G. (University of Cambridge. Department of Engineering) ; Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Curto, Vicenzo Fabio (University of Cambridge. Department of Engineering) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Malliaras, George (University of Cambridge. Department of Engineering)
Organic electrochemical transistors (OECTs) have been widely used as transducers in electrophysiology and other biosensing applications. Their identifying characteristic is a transconductance that increases with channel thickness, and this provides a facile mechanism to achieve high signal amplification. [...]
2020 - 10.1063/5.0019693
Applied physics letters, Vol. 117, issue 7 (August 2020) , art. 73302  
9.
35 p, 2.0 MB Distortion-free sensing of neural activity using graphene transistors / Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Masvidal Codina, Eduard (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; De la Cruz, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Schwesig, Gerrit (Ludwig-Maximilians Universität München. Faculty of Medicine) ; Jeschke, C. (Multi Channel Systems (MCS) GmbH) ; Martínez-Aguilar, Javier (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Sánchez-Vives, María V (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats) ; Villa, Rosa (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Illa, Xavi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Sirota, Anton (Ludwig-Maximilians Universität München. Faculty of Medicine) ; Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Graphene solution-gated field-effect transistors (g-SGFETs) are promising sensing devices to transduce electrochemical potential signals in an electrolyte bath. However, distortion mechanisms in g-SGFET, which can affect signals of large amplitude or high frequency, have not been evaluated. [...]
2020 - 10.1002/smll.201906640
Small, Vol. 16, issue 16 (April 2020) , art. 1906640  
10.
34 p, 1.9 MB Boosting room-temperature magneto-ionics in a non-magnetic oxide semiconductor / de Rojas, Julius (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Quintana Puebla, Alberto (Georgetown University. Department of Physics (USA)) ; Lopeandía Fernández, Aitor (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Salguero, Joaquín (Instituto de Micro y Nanotecnología) ; Costa-Krämer, José L. (Instituto de Micro y Nanotecnología) ; Abad, Llibertat (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Liedke, Maciej O. (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf. Institute of Radiation Physics (Germany)) ; Butterling, Maik (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf. Institute of Radiation Physics (Germany)) ; Wagner, Andreas (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf. Institute of Radiation Physics (Germany)) ; Henderick, Lowie (Ghent University. Department of Solid State Sciences (Belgium)) ; Dendooven, Jolien (Ghent University. Department of Solid State Sciences (Belgium)) ; Detavernier, Christophe (Ghent University. Department of Solid State Sciences (Belgium)) ; Sort Viñas, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Menéndez Dalmau, Enric (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Voltage control of magnetism through electric field-induced oxygen motion (magneto-ionics) could represent a significant breakthrough in the pursuit for new strategies to enhance energy efficiency in magnetically actuated devices. [...]
2020 - 10.1002/adfm.202003704
Advanced functional materials, Vol. 30, Issue 36 (September 2020) , art. 2003704  

Articles : 23 records found   1 - 10nextend  jump to record:
Research literature 25 records found  1 - 10nextend  jump to record:
1.
8.3 MB Significance of molecular and crystal structure on organic semiconductor doping / Babuji, Adara ; Barrena, Esther, dir. ; Ocal García, Carmen, dir. ; Pellicer Vilà, Eva Maria, dir.
Els dispositius de semiconductors orgànics estan guanyant importància en l'obertura d'una gran varietat d'aplicacions en l'actualitat. Una estratègia clau per desenvolupar dispositius electrònics orgànics de millor rendiment és el dopatge molecular, on s'introdueix una molècula dopant per augmentar els portadors de càrrega. [...]
Los dispositivos semiconductores orgánicos están ganando importancia al abrir una amplia variedad de aplicaciones en la actualidad. Una estrategia clave para desarrollar dispositivos electrónicos orgánicos de mejor rendimiento es mediante el dopaje molecular, donde se introduce una molécula dopante para aumentar los portadores de carga. [...]
Organic semiconductor devices are gaining importance by opening a wide variety of applications nowadays. A key strategy for developing better performing organic electronic devices is via molecular doping, where a dopant molecule is introduced to increase charge carriers. [...]

2022  
2.
222 p, 6.5 MB Liquid-gated transistors for biosensing applications / Ricci, Simona ; Mas Torrent, Marta, dir. ; Hernando Campos, Jordi, dir.
En aquesta tesi, hem estudiat diferents aspectes relacionats amb transistors orgànics, en particular transistors orgànics electroquímics d'efecte de camp (EGOFETs) i transistors orgànics electroquímics (OECTs). [...]
En esta tesis, hemos estudiado diferentes aspectos relacionados con los transistores orgánicos activados por líquido, en particular los transistores de efecto de campo orgánicos activados por electrolitos (EGOFET) y los transistores electroquímicos orgánicos (OECT). [...]
In this thesis, we have studied different aspects related to liquid-gated organic transistors, in particular electrolyte-gated organic field-effect transistors (EGOFETs) and organic electrochemical transistors (OECTs). [...]

2020  
3.
209 p, 10.8 MB Solution-processed organic field-effect transistors : from fundamental aspects to applications / Temiño Gutiérrez, Inés ; Mas Torrent, Marta, dir. ; Sort Viñas, Jordi, dir. ; Institut de Ciència de Materials de Barcelona
En esta tesis hemos estudiado varios factores relacionados con los transistores orgánicos de efecto campo (OFETs) procesados por solución, incluyendo su fabricación, su caracterización eléctrica y posibles aplicaciones, especialmente en el campo de sensores físicos. [...]
In this thesis we have studied several aspects related to organic field-effect transistors (OFETs) printed from solution, including their fabrication, their electrical characterisation, and further applications, especially in the field of physical sensing. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2020.  
4.
193 p, 5.4 MB A versatile framework for the statistical characterization of CMOS time-zero and time-dependent variability with array-based ICs / Diaz-Fortuny, Javier ; Martin Martinez, Javier, dir. ; Rodríguez Martínez, Rosana, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Desde la invención en 1960 del transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET por sus siglas en inglés), la industria de semiconductores no ha cesado en la creación de nuevas invenciones para reducir las dimensiones de los transistores de la escala micrométrica (< 10-μm) a las dimensiones actuales de 7-14-nm, o incluso para la creación del nuevo nódulo tecnológico de 5-nm, cuya fabricación está prevista para 2020-2021, con el objetivo de fabricar dispositivos más fiables y circuitos más avanzados, con miles de millones de transistores por chip. [...]
Since the invention in 1960 of the Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET), the CMOS semiconductor industry has invariably invented new feats to progressively reduce the minimum gate length, from the micrometer scale (< 10-μm) to the nowadays 7-14-nm gate lengths or the new 5-nm technology node predicted to be manufactured in 2020-2021, all with the aim of fabricating more reliable devices and even more advanced circuits and systems, with billions of transistors per chip. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.  
5.
240 p, 10.6 MB Electrolyte-gated organic field-effect transistors based on organic semiconductor : insulating polymer blends / Zhang, Qiaoming ; Mas Torrent, Marta, dir. ; Leonardi, Francesca, dir. ; Sort Viñas, Jordi, dir. ; Institut de Ciència de Materials de Barcelona
La presente tesis doctoral se centra en la fabricación, optimización, caracterización y aplicación de capas activas compuestas de una mezcla de semiconductor orgánico y un polímero aislante (OSC:PS) en transistores orgánicos de efecto de campo (EGOFET) con puerta-electrolítica. [...]
The present Doctoral Thesis is focused on the fabrication, optimization, characterization and application of organic semiconductors:insulating polymer blends for electrolyte-gated organic field-effect transistors (EGOFETs), which are considered a promising sensing platform in the field of bioelectronics due to their ability to operate in common electrolyte media. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.  
6.
230 p, 17.3 MB Influence of organic semiconductors morphology, structure and processability on organic field-effect transistors performance / Campos García, Antonio ; Mas Torrent, Marta, dir. ; Pleixats i Rovira, Roser, dir. ; Institut de Ciència de Materials de Barcelona
En esta tesis hemos estudiado como la manera de procesar los semiconductores orgánicos puede afectar a su morfología y estructure cristalina. Semiconductores orgánicos de tipo p y n han sido empleados como capas activas en transistores orgánicos de efecto campo (OFETs). [...]
In this thesis we have studied how the processing of organic semiconductors can affect their morphology and crystal structure. p-Type and n-type organic semiconductors have been employed as active layers in Organic Field-Effect Transistors (OFETs). [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.  
7.
120 p, 7.9 MB Contact resistance and electrostatics of 2DFETs / Jovell Megias, Ferran ; Cartoixà Soler, Xavier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Durant la darrera dècada, la popularització del grafè i altres materials de dues dimensions (2D) ha revolucionat la ciència de materials. Els nous fenòmens físics que esdevenen en aquests nous materials obren les possibilitats per a nous dispositius amb característiques extraordinàries. [...]
In the last decade, the rise of graphene and other 2-dimensional materials revolutionized materials science. The new physics brought by these new materials opened up the possibilities of new devices with outstanding characteristics. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
8.
175 p, 10.4 MB Analysis of impact of nanoscale defects on variability in MOS structures / Couso, Carlos ; Porti i Pujal, Marc, dir. ; Martín Martinez, Javier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
En los últimos años, la información y su análisis se han convertido en la piedra angular del crecimiento de nuestra sociedad, permitiendo la economía compartida, la globalización de productos y conocimientos, etc. [...]
Over the last years, the information and its analysis have become in the corner stone of growth of our society allowing the sharing economy, globalization of products and knowledge, block-chain technology etc. [...]

[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
9.
232 p, 7.8 MB Nanoscale interpretation of performances in organic solar cells and field effect transistors / Pérez Rodríguez, Ana ; Barrena, Esther, dir. ; Ocal García, Carmen, dir. ; García, Gemma, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
Dos de los principales retos a superar en el campo de la electrónica orgánica son el control la morfología de la capa semiconductora y las propiedades de las interfases. En particular, las interfases formadas por la capa orgánica semiconductora y los electrodos metálicos influyen fuertemente en el comportamiento de los dispositivos. [...]
Two of the main challenges in organic electronic devices are the semiconducting layer morphology and the interface properties. Particularly, the interfaces formed by the semiconducting organic layer and the metallic electrodes strongly influence the performance of the devices. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
10.
157 p, 7.5 MB Caracterización de la variabilidad dependiente del tiempo de MOSFETs ultraescalados para su modelado compacto / Moras Albero, Miquel ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. ; Martin Martinez, Javier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
El transistor MOSFET es uno de los dispositivos más utilizados en multitud de aplicaciones electrónicas gracias a sus excelentes características de funcionamiento, su bajo consumo y su gran capacidad de miniaturización. [...]
MOSFET transistor is one of the most used device many applications thanks to its excellent operation characteristics, low power consumption and high miniaturization capability. The microelectronic technology progress has allowed reducing the MOSFET dimensions, which has led to improve the performance of integrated circuits (IC). [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  

Research literature : 25 records found   1 - 10nextend  jump to record:
Graphic and multimedia documents 1 records found  
1.
420.7 KB Exposició "La revolució silenciosa" / Monge, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Biblioteca de Ciència i Tecnologia) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Biblioteca de Ciència i Tecnologia ; Institut de Microelectrònica de Barcelona
Exposició organitzada per Institut de Microelectrònica de Barcelona (IMB-CNM, CSIC) per commemorar els 75 anys de la invenció del transistor. I es pot visitar als aparadors de la BCT entre el 28 de novembre de 2022 i el 12 de gener de 2023.
2022
23 documents

Interested in being notified about new results for this query?
Set up a personal email alert or subscribe to the RSS feed.