Dipòsit Digital de Documents de la UAB 4 registres trobats  La cerca s'ha fet en 0.02 segons. 
1.
6 p, 1.1 MB Evaluating the compressive stress generated during fabrication of Si doubly clamped nanobeams with AFM / Lorenzoni, Matteo (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Llobet Sixto, Jordi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Gramazio, Federico (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sansa Perna, Marc (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Fraxedas i Calduch, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Pérez Murano, Francesc (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
In this work, the authors employed Peak Force tapping and force spectroscopy to evaluate the stress generated during the fabrication of doubly clamped, suspended silicon nanobeams with rectangular section. [...]
2016 - 10.1116/1.4967930
Journal of vacuum science and technology B, Vol. 34, Issue 6 (November 2016) , art. 6KK02  
2.
7 p, 1.9 MB Fabrication and replication of re-entrant structures by nanoimprint lithography methods / Kehagias, Nikolaos (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Francone, Achille (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Guttmann, Markus (Karlsruhe Institute of Technology) ; Winkler, Frank (Karlsruhe Institute of Technology) ; Fernández Estévez, Ariadna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
In this work, the authors present and demonstrate a simple method to fabricate and mass replicate re-entrant structures. The method consists of the direct imprinting of polymer mushroomlike microstructures produced by a combination of photolithography and nickel up-plating process. [...]
2018 - 10.1116/1.5048241
Journal of vacuum science and technology B, Vol. 36, Issue 6 (November 2018) , art. 6JF01  
3.
5 p, 939.8 KB Channel-Hot-Carrier degradation of strained MOSFETs : A device level and nanoscale combined approach / Wu, Qian (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Simoen, E. (IMEC. Belgium.)
Strained MOSFETs with SiGe at the source/drain regions and different channel lengths have been studied at the nanoscale with a conductive atomic force microscope (CAFM) and at device level, before and after channel-hot-carrier (CHC) stress. [...]
2015 - 10.1116/1.4913950
Journal of vacuum science and technology B, Vol. 33, Issue 2 (March 2015) , p. 22202  
4.
5 p, 1.0 MB Temperature dependence of the resistive switching-related currents in ultra-thin high-k based MOSFETs / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the temperature dependence of the resistive switching phenomenon in metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor (MOSFETs) with an ultra-thin Hf-based high-k dielectric is studied through analysis of the gate and drain currents for the two dielectric conductivity states. [...]
2013 - 10.1116/1.4789518
Journal of Vacuum Science and Technology B, Vol. 31 (2013) , p. 22203-22203-5  

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.