Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Drift-diffusion model for single layer transition metal dichalcogenide field-effect transistors
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 1 registres trobats en 0.11 segons.
Articles, 1 registres trobats
Articles 1 registres trobats  
1.
5 p, 625.2 KB Drift-diffusion model for single layer transition metal dichalcogenide field-effect transistors / Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
A physics-based model for the surface potential and drain current for monolayertransition metal dichalcogenide (TMD) field-effect transistor is presented. Taking into account the two-dimensional (2D) density-of-states of the atomic layer thick TMD and its impact on the quantum capacitance, a model for the surface potential is presented. [...]
2012 - 10.1063/1.4770313
Applied physics letters, Vol. 101, Issue 24 (December 2012) , p. 243501/1-243501/4  
Registre complet -

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem