Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Estudio morfológico y estructural del crecimiento epitaxial de capas de Si y Si1-yCy
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 1 registres trobats en 0.04 segons.
Documents de recerca, 1 registres trobats
Documents de recerca 1 registres trobats  
1.
48 p, 603.5 KB Estudio morfológico y estructural del crecimiento epitaxial de capas de Si y Si1-yCy / El Felk, Zakia ; Mora Aznar, Maria Teresa, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Rodríguez-Viejo, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
En este trabajo se ha estudiado el crecimiento epitaxial de capas de silicio sobre substrato de Si (001) y capas pseudomórficas de Si1-yCy utilizando silano y tetrametilsilano como gases precursores en el crecimiento vía Deposición Química en Fase Vapor. [...]
Strained layer heterostructures based on group IV elements are of current interest because of the potential applications to build devices with improved carrier mobilities and suitable properties. In this work we investigated the strain and damage produced on Si substrates by high -dose ion implantation of Si and C after thermal treatment by double and triple crystal X-ray diffraction, high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS). [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2001
9 documents
Registre complet -

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem