Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Internal IR-laser deflection measurements of temperature and free-carrier concentration in power devices
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 1 registres trobats en 0.06 segons.
Documents de recerca, 1 registres trobats
Documents de recerca 1 registres trobats  
1.
143 p, 3.3 MB Internal IR-laser deflection measurements of temperature and free-carrier concentration in power devices / Perpiñà Giribet, Xavier ; Jordà i Sanuy, Xavier, dir. (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Mestres i Andreu, Narcís, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
La caracterització dels dispositius semiconductors té un paper preponderant dintre la microelectrònica, sobretot en els dipositius semiconductors de potència, on la caracterització electrotèrmica és primordial. [...]
The characterisation of semiconductor devices has an important role in Microelectronics; especially in the case of power semiconductor devices, where the thermo-electrical characterisation is an essential aspect to study their behaviour. [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2006  
Registre complet -

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem