Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Large-signal model of graphene field-effect transistors Part I compact modeling of GFET intrinsic capacitances
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 1 registres trobats en 0.07 segons.
Articles, 1 registres trobats
Articles 1 registres trobats  
1.
6 p, 1.8 MB Large-signal model of graphene field-effect transistors. Part I : compact modeling of GFET intrinsic capacitances / Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
We present a circuit-compatible compact model of the intrinsic capacitances of graphene field-effect transistors (GFETs). Together with a compact drain current model, a large-signal model of GFETs is developed combining both models as a tool for simulating the electrical behavior of graphene-based integrated circuits, dealing with the DC, transient behavior, and frequency response of the circuit. [...]
2016 - 10.1109/TED.2016.2570426
IEEE transactions on electron devices, Vol. 63 Issue 7 (July 2016) , p. 2936 - 2941  
Registre complet -

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem