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4 p, 448.3 KB Monitoring defects in III-V materials : a nanoscale CAFM study / Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wu, Q. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bersuker, G. (Sematech) ; Cordes, A. (Sematech)
The implementation of high mobility devices requires growing III-V materials on silicon substrates. However, due to the lattice mismatch between these materials, III-V semiconductors tend to develop structural defects affecting device electrical characteristics. [...]
2015 - 10.1016/j.mee.2015.04.058
Microelectronic engineering, Vol. 147 (Nov. 2015) , p. 176-179  
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