Página principal > Resultados de la búsqueda: New high resolution random telegraph noise (RTN) characterization method for resistive RAM
  Consejos para la búsqueda
Búsqueda avanzada
Buscar colecciones:
Ordenar por: Mostrar resultados: Formato de visualización:
Resultados globales: 1 registros encontrados en 0.05 segundos.
Artículos, Encontrados 1 registros
Artículos Encontrados 1 registros  
1.
17 p, 1.4 MB New high resolution random telegraph noise (RTN) characterization method for resistive RAM / Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; González, M. B. (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Random Telegraph Noise (RTN) is one of the main reliability problems of resistive switching-based memories. To understand the physics behind RTN, a complete and accurate RTN characterization is required. [...]
2016 - 10.1016/j.sse.2015.08.010
Solid-state electronics, Vol. 115, Part B (January 2016) , p. 140-145  
Registro completo - Creative Commons

¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.
Depósito Digital de Documentos de la UAB :: Buscar :: Enviar :: Personalizar :: Ayuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantenido por ddd.bib@uab.cat  :: Metadatos sujetos a:
Colaboramos