Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Probing the nanoscale origin of strain and doping in graphene-hBN heterostructures
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 1 registres trobats en 0.06 segons.
Articles, 1 registres trobats
Articles 1 registres trobats  
1.
15 p, 790.9 KB Probing the nanoscale origin of strain and doping in graphene-hBN heterostructures / Vincent, Tom (National Physical Laboratory (United Kingdom)) ; Panchal, Vishal (Bruker Nano Surfaces) ; Booth, Timothy J. (Danmarks Tekniske Universitet. Center for Nanostructured Graphene) ; Power, Stephen R. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jauho, Antti-Pekka (Danmarks Tekniske Universitet. Center for Nanostructured Graphene) ; Antonov, Vladimir (University of London. Royal Holloway) ; Kazakova, Olga (National Physical Laboratory (United Kingdom))
We use confocal Raman microscopy and a recently proposed vector analysis scheme to investigate the nanoscale origin of strain and carrier concentration in exfoliated graphene-hexagonal boron nitride (hBN) heterostructures on silicon dioxide (SiO). [...]
2019 - 10.1088/2053-1583/aaf1dc
2D Materials, Vol. 6, issue 1 (Jan. 2019) , art. 15022  
Registre complet -

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem