Dipòsit Digital de Documents de la UAB 5 registres trobats  La cerca s'ha fet en 0.02 segons. 
1.
10 p, 2.4 MB Very low-cost 80-Bit chipless-RFID tags inkjet printed on ordinary paper / Herrojo, Cristian (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Moras Albero, Miquel (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Paredes Marco, Ferran (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Núñez, Alba (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Ramon, Eloi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Mata-Contreras, Javier (Universidad de Málaga. Departamento de Ingeniería de Comunicaciones) ; Martín, Ferran, (Martín Antolín) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This paper presents a time-domain, chipless-RFID system with 80-bit tags inkjet-printed on ordinary DIN A4 paper. The tags, consisting of a linear chain of resonant elements (with as many resonators as the number of identification bits plus header bits), are read sequentially and by proximity (through near-field coupling). [...]
2018 - 10.3390/technologies6020052
Technologies, Vol. 6, issue 2 (May 2018)  
2.
12 p, 1.4 MB Near-field chipless radio-frequency identification (RFID) sensing and identification system with switching reading / Paredes Marco, Ferran (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Herrojo, Cristian (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mata Contreras, Francisco Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d’Enginyeria Electrònica) ; Moras Albero, Miquel (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Núñez, Alba (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Ramon, Eloi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martín, Ferran, (Martín Antolín) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
A chipless radio-frequency identification (chipless-RFID) and sensing system, where tags are read by proximity (near-field) through a switch, is presented. The tags consist of a set of identical resonant elements (split-ring resonators or SRRs), printed or etched at predefined and equidistant positions, forming a linear chain, each SRR providing a bit of information. [...]
2018 - 10.3390/s18041148
Sensors, Vol. 18, issue 4 (2018) , art. 1148  
3.
157 p, 7.5 MB Caracterización de la variabilidad dependiente del tiempo de MOSFETs ultraescalados para su modelado compacto / Moras Albero, Miquel, autor. ; Nafría i Maqueda, Montserrat, supervisor acadèmic. ; Martín Martínez, Javier, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
El transistor MOSFET es uno de los dispositivos más utilizados en multitud de aplicaciones electrónicas gracias a sus excelentes características de funcionamiento, su bajo consumo y su gran capacidad de miniaturización. [...]
MOSFET transistor is one of the most used device many applications thanks to its excellent operation characteristics, low power consumption and high miniaturization capability. The microelectronic technology progress has allowed reducing the MOSFET dimensions, which has led to improve the performance of integrated circuits (IC). [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
4.
11 p, 617.3 KB Negative bias temperature instabilities induced in device with millisecond anneal for ultra-shallow junctions / Moras Albero, Miquel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Simoen, E. (IMEC. Belgium.)
In this paper the NBTI degradation has been studied in pMOS transistors with ultra-thin high-k dielectric subjected to a millisecond anneal for ultra-shallow junction implantation using different laser powers. [...]
2014 - 10.1016/j.sse.2014.06.036
Solid-state electronics, Vol. 101 (Nov. 2014) , p. 131-136  
5.
21 p, 262.0 KB Disseny i implementació d'una etapa d'acondicionament per a mesures de conductivitat realitzades amb un microscopi de forces atòmiques / Moras Albero, Miquel ; Porti i Pujal, Marc, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
En aquest treball, s'ha dissenyat un mòdul d'acondicionament a fi de millorar les mesures de conductivitat realitzades amb un AFM (Microscopi de Forces Atòmiques). L'equip actual disposa d'un preamplificador de baix soroll amb un guany de 10 10V/A. [...]
En este trabajo, se ha diseñado un circuito de acondicionamiento con el fín de mejorar las medidas de conductividad realizadas con un AFM (Microscopio de Fuerzas Atómicas). El equipo actual dispone de un preamplificador de bajo ruido con ganancia 10 10V/A. [...]
In this work, a circuit has been designed in order to improve the conductivity measures made with an AFM (Atomic Force Microscope). This microscope has a low noise preamplifier with a gain of 10 10V/A. [...]

2009
2 documents

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.