Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Amat Bertrán, Esteve
  Consells de cerca
Cerca simple
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Dipòsit Digital de Documents de la UAB 4 registres trobats  La cerca s'ha fet en 0.00 segons. 
1.
Random Telegraph Noise and Bias Temperature Instabilities statistical characterization of Ω-gate FDSOI devices at low voltages / Pedreira Rincon, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Amat Bertran, Esteve (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Random Telegraph Noise (RTN) and Bias Temperature Instabilities (BTI) are two mechanisms that can significantly reduce the performance and reliability of integrated circuits. In scaled devices, both phenomena are stochastic, so that a statistical analysis is required to accurately evaluate their impact on a particular technology. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108735
Solid-state electronics, Vol. 209 (November 2023) , art. 108735  
Registre complet - Creative Commons
2.
211 p, 16.9 MB Integration of vertical Single Electron Transistor into CMOS technology / Moral Cejudo, Alberto Jose del ; Amat Bertran, Esteve, dir. ; Pérez Murano, Francesc, dir.
Aquesta tesi presenta les investigacions realitzades cap a la integració de transistors verticals d'un sol electró (SET) en tecnologia metall-òxid-semiconductor complementari (CMOS). Dues de les principals motivacions de la indústria de semiconductors són la miniaturització de dispositius i la reducció del consum d'energia. [...]
Esta tesis presenta las investigaciones realizadas hacia la integración de transistores verticales de un solo electrón (SET) en tecnología metal-óxido-semiconductor complementario (CMOS). Dos de las principales motivaciones de la industria de semiconductores son la miniaturización de dispositivos y la reducción de consumo de energía. [...]
This thesis presents the investigations performed towards the integration of Single Electron Transistor (SET) into Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) technologies. Two of the main drives in semiconductor industry are device miniaturization and power consumption reduction. [...]
2021  
Registre complet - Creative Commons
3.
6 p, 52.8 KB Fonaments físics de la informàtica [27024] / Álvarez, Amador ; Albareda, Guillermo (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Amat Bertran, Esteve ; Aznar Ballesta, Francisco ; Paredes, Ferran ; Oriols, Xavier ; Morata Cariñena, Marta ; Lanza, Mario ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Universitària d'Informàtica
2007-08
Enginyer Tècnic en Informàtica de Sistemes [463]  
Registre complet - Creative Commons
4.
2 p, 29.8 KB Laboratori d'electrònica I [28194] / Morata Cariñena, Marta ; Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto ; Aznar Ballesta, Francisco ; Figueras Costa, Eduardo ; Amat Bertran, Esteve ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria
2005-06
Enginyer Tècnic de Telecomunicacions - Sistemes Electrònics [475]  
Registre complet - Creative Commons

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem