Dipòsit Digital de Documents de la UAB 10 registres trobats  La cerca s'ha fet en 0.00 segons. 
1.
7 p, 891.3 KB Passivation of Bi2Te3 topological insulator by transferred CVD-graphene : toward intermixing-free interfaces / Galceran, Regina (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonell, Frédéric (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Camosi, Lorenzo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sauthier, Guillaume (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Gebeyehu, Zewdu M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Esplandiu Egido, Maria José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Arrighi, Aloïs (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fernández Aguirre, Iván (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Figueroa García, Adriana Isabel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The investigation, and ultimate application, of topological insulators, typically involve exposure to ambient conditions or their integration with metals, which lead to surface oxidation or material intermixing. [...]
2022 - 10.1002/admi.202201997
Advanced materials interfaces, Vol. 9, issue 36 (Des. 2022) , art. 2201997  
2.
21 p, 7.4 MB Control of spin-charge conversion in van der Waals heterostructures / Galceran, Regina (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Tian, Bo (King Abdullah University of Science and Technology) ; Li, Junzhu (King Abdullah University of Science and Technology) ; Bonell, Frédéric (University of Grenoble Alpes. Spintec) ; Jamet, Matthieu (University of Grenoble Alpes. Spintec) ; Vergnaud, Céline (University of Grenoble Alpes. Spintec) ; Marty, Alain (University of Grenoble Alpes. Spintec) ; Garcia, José H. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Manchon, Auréliene (Aix-Marseille Université) ; Zhang, Xixiang (King Abdullah University of Science and Technology) ; Schwingenschlögl, Udo (King Abdullah University of Science and Technology)
The interconversion between spin and charge degrees of freedom offers incredible potential for spintronic devices, opening routes for spin injection, detection, and manipulation alternative to the use of ferromagnets. [...]
2021 - 10.1063/5.0054865
APL materials, Vol. 9, issue 10 (Oct. 2021) , art. 100901  
3.
9 p, 2.0 MB Effect of crystallinity and thickness on thermal transport in layered PtSe2 / Sachat, Alexandros el (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Xiao, Peng (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Donadio, Davide (University of California. Department of Chemistry) ; Bonell, Frédéric (Université Grenoble Alpes. Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives) ; Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Marty, Alain (Université Grenoble Alpes. Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives) ; Vergnaud, Céline (Université Grenoble Alpes. Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives) ; Boukari, Hervé (Université Grenoble Alpes. Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives) ; Jamet, Matthieu (Université Grenoble Alpes. Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives) ; Arregui Bravo, Guillermo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Chen, Zekun (University of California. Department of Chemistry) ; Alzina, Francesc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Chávez Ángel, Emigdio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We present a comparative investigation of the influence of crystallinity and film thickness on the acoustic and thermal properties of layered PtSe films of varying thickness (1-40 layers) using frequency-domain thermo-reflectance, low-frequency Raman, and pump-probe coherent phonon spectroscopy. [...]
2022 - 10.1038/s41699-022-00311-x
npj 2D Materials and Applications, Vol. 6 (2022) , art. 32  
4.
9 p, 1.5 MB Spin precession and spin Hall effect in monolayer graphene/Pt nanostructures / Savero Torres, Williams Fernando (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Benítez, L. Antonio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonell, Frédéric (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Spin Hall effects have surged as promising phenomena for spin logics operations without ferromagnets. However, the magnitude of the detected electric signals at room temperature in metallic systems has been so far underwhelming. [...]
2017 - 10.1088/2053-1583/aa8823
2D Materials, Vol. 4, issue 4 (Dec. 2017) , art. 041008  
5.
27 p, 986.9 KB Magnetism, spin dynamics, and quantum transport in two-dimensional systems / Savero Torres, Williams Fernando (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Benítez, L. Antonio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonell, Frédéric (Université Grenoble-Alpes) ; Garcia, José H. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Two-dimensional (2D) quantum materials offer a unique platform to explore mesoscopic phenomena driven by interfacial and topological effects. Their tunable electric properties and bidimensional nature enable their integration into sophisticated heterostructures with engineered properties, resulting in the emergence of new exotic phenomena not accessible in other platforms. [...]
2020 - 10.1557/mrs.2020.121
MRS Bulletin, Vol. 45, issue 5 (May 2020) , p. 357-365  
6.
18 p, 5.2 MB Molecular Approach for Engineering Interfacial Interactions in Magnetic/Topological Insulator Heterostructures / González Cuxart, Marc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valbuena, Miguel Ángel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Robles, Roberto (Centro de Física de Materiales (CSIC-UPV/EHU)) ; Moreno, Cesar (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonell, Frédéric (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sauthier, Guillaume (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Imaz, Inhar (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Xu, Heng (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Nistor, Corneliu (ETH Zurich. Department of Materials) ; Barla, Alessandro (Istituto di Struttura della Materia) ; Gargiani, Pierluigi (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Valvidares, Manuel (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Maspoch Comamala, Daniel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Gambardella, Pietro (ETH Zurich. Department of Materials) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mugarza, Aitor (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Controlling interfacial interactions in magnetic/topological insulator heterostructures is a major challenge for the emergence of novel spin-dependent electronic phenomena. As for any rational design of heterostructures that rely on proximity effects, one should ideally retain the overall properties of each component while tuning interactions at the interface. [...]
2020 - 10.1021/acsnano.0c02498
ACS nano, Vol. 14, Issue 5 (May 2020) , p. 6285-6294  
7.
11 p, 3.3 MB Spin precession in anisotropic media / Raes, Bart (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cummings, Aron (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonell, Frédéric (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We generalize the diffusive model for spin injection and detection in nonlocal spin structures to account for spin precession under an applied magnetic field in an anisotropic medium, for which the spin lifetime is not unique and depends on the spin orientation. [...]
2017 - 10.1103/PhysRevB.95.085403
Physical review B, Vol. 95, Issue 8 (February 2017) , art. 85403  
8.
18 p, 1.4 MB Strongly anisotropic spin relaxation in graphene-transition metal dichalcogenide heterostructures at room temperature / Benítez, L. Antonio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Savero Torres, Williams Fernando (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Arrighi, Aloïs (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonell, Frédéric (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
A large enhancement in the spin-orbit coupling of graphene has been predicted when interfacing it with semiconducting transition metal dichalcogenides. Signatures of such an enhancement have been reported, but the nature of the spin relaxation in these systems remains unknown. [...]
2018 - 10.1038/s41567-017-0019-2
Nature Physics, Vol. 14, Issue 3 (March 2018) , p. 303-308  
9.
7 p, 628.4 KB Determination of the spin-lifetime anisotropy in graphene using oblique spin precession / Raes, Bart (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Scheerder, Jeroen E. (KU Leuven. Department of Physics and Astronomy) ; Costache, Marius Vasile. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonell, Frédéric (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cuppens, Jo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Van De Vondel, Joris (KU Leuven. Department of Physics and Astronomy) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We determine the spin-lifetime anisotropy of spin-polarized carriers in graphene. In contrast to prior approaches, our method does not require large out-of-plane magnetic fields and thus it is reliable for both low-and high-carrier densities. [...]
2016 - 10.1038/ncomms11444
Nature communications, Vol. 7 (May 2016) , art. 11444  
10.
26 p, 1.8 MB Growth of Twin-Free and Low-Doped Topological Insulators on BaF2(111) / Bonell, Frédéric (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; González Cuxart, Marc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Song, Kenan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Robles, Roberto (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Ordejon, Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mugarza, Aitor (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Universitat Autònoma de Barcelona
We demonstrate the growth of twin-free BiTe and SbTe topological insulators by molecular beam epitaxy and a sizable reduction of the twin density in BiSe on lattice-matched BaF(111) substrates. Using X-ray diffraction, electron diffraction and atomic force microscopy, we systematically investigate the parameters influencing the formation of twin domains and the morphology of the films, and show that Se- and Te-based alloys differ by their growth mechanism. [...]
2017 - 10.1021/acs.cgd.7b00525
Crystal Growth and Design, Vol. 17, Núm. 9 (September 2017) , p. 4655-4660  

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.