Dipòsit Digital de Documents de la UAB 91 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre: La cerca s'ha fet en 0.02 segons. 
1.
Determination of the time constant distribution of a defect-centric time-dependent variability model for Sub-100-nm FETs / Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
The origin of some time-dependent variability phenomena in FET technologies has been attributed to the charge carrier trapping/detrapping activity of individual defects present in devices. Although some models have been presented to describe these phenomena from the so-called defect-centric perspective, limited attention has been paid to the complex process that goes from the experimental data of the phenomena up to the final construction of the model and all its components, specifically the one that pertains to the time constant distribution. [...]
2022 - 10.1109/TED.2022.3198383
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 69, issue 10 (Oct. 2022) , p. 5424-5429  
2.
CMOS inverter performance degradation and its correlation with BTI, HCI and OFF state MOSFETs aging / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nasarre, C. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garsot, N. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, CMOS inverters are subjected to electrical stress emulating a complete operation cycle and the shifts in the performance parameters (i. e. , peak current and inversion voltage) evaluated. [...]
2022 - 10.1016/j.sse.2022.108264
Solid-state electronics, Vol. 191 (May 2022) , art. 108264  
3.
On the impact of the biasing history on the characterization of random telegraph noise / Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
Random telegraph noise (RTN) is a time-dependent variability phenomenon that has gained increased attention during the last years, especially in deeply scaled technologies. In particular, there is a wide variety of works presenting different techniques designed to analyze current traces in scaled FET devices displaying RTN, and others focused on modeling the phenomenon using the parameters extracted through such techniques. [...]
2022 - 10.1109/TIM.2022.3166195
IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, Vol. 71 (2022) , art. 2003410  
4.
Impact of OFF-State, HCI and BTI degradation in FDSOI Ω-gate NW-FETs / Valdivieso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bernal, D. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the degradation of N-type FDSOI Ω-gate NW-FETs caused by OFF-State stress under different conditions has been experimentally studied and compared with the effects of positive/negative BTI and HCI aging. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108625
Solid-state electronics, Vol. 203 (May 2023) , art. 108625  
5.
Comparison of OFF-State, HCI and BTI degradation in FDSOI Ω-gate NW-FETs / Valdivieso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bernal, D. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the degradation of N-type FDSOI Ω-gate NW-FETs caused by OFF-State stress under different conditions has been experimentally studied and compared with the effects of positive/negative BTI and HCI aging. [...]
2022 - 10.1016/j.sse.2022.108324
Solid-state electronics, Vol. 194 (Aug. 2022) , art. 108324  
6.
Resistive switching like-behavior in FD-SOI Ω-gate transistors / Valdivieso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the Resistive switching (RS) phenomenon is experimentally investigated in N-type FDSOI Ω-gate NW-FETs with high-k dielectric. The location along the channel of the conductive filament through the device dielectric during switching is analyzed. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108759
Solid-state electronics, Vol. 209 (November 2023) , art. 108759  
7.
Random Telegraph Noise and Bias Temperature Instabilities statistical characterization of Ω-gate FDSOI devices at low voltages / Pedreira Rincon, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Amat Bertran, Esteve (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Random Telegraph Noise (RTN) and Bias Temperature Instabilities (BTI) are two mechanisms that can significantly reduce the performance and reliability of integrated circuits. In scaled devices, both phenomena are stochastic, so that a statistical analysis is required to accurately evaluate their impact on a particular technology. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108735
Solid-state electronics, Vol. 209 (November 2023) , art. 108735  
8.
10 p, 8.6 MB Assessment of the variability of the I-V characteristic of HfO2-based resistive switching devices and its simulation using the quasi-static memdiode model / Salvador Aguilera, Emili (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martin-Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodriguez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Variability of the conduction characteristics of filamentary-type resistive switching devices or resistive RAMs (RRAMs) is a hot research topic both in academia and industry because it is currently considered one of the major showstoppers for the successful development and application of this technology. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108667
Solid-state electronics, Vol. 206 (August 2023) , art. 108667  
9.
6 p, 107.1 KB Treball de Fi de Grau [106540] / Martin Martinez, Javier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu de l'assignatura de Treball Fi de Grau (TFG) és que l'alumne realitzi un treball individual que li permeti aplicar i integrar els coneixements i competències adquirides al llarg dels seus estudis de Grau. [...]
The objective of the Final Degree Project (TFG) is to carry out individual work that allows the student to apply and integrate the knowledge and skills acquired throughout the undergraduate studies. The result must be an original work that will be evaluated in public defense in front of a commitee of three teachers of the School.
El objetivo de la asignatura de Trabajo Fin de Grado (TFG) es que el alumno realice un trabajo individual que le permita aplicar e integrar los conocimientos y competencias adquiridas a lo largo de sus estudios de Grado. [...]

2023-24
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
10.
3 p, 97.3 KB Pràctiques Externes [106539] / Martin Martinez, Javier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu de les Pràctiques Externes és posar en contacte als alumnes amb el món professional, de manera que puguin aplicar i complementar les competències adquirides al llarg dels seus estudis de Grau mitjançant una activitat formativa supervisada per l'Escola i realitzada a una empresa o institució externa. [...]
The objective of the External Practices is to put students in touch with the professional world, so that they can apply and complement the competences acquired throughout their Degree studies through a training activity supervised by the School and carried out in a company or external institution This training activity allows students to acquire a practical vision of the world of work and professional practice, thus facilitating their employability.
El objetivo de las Prácticas Externas es poner en contacto a los alumnos con el mundo profesional, de manera que puedan aplicar y complementar las competencias adquiridas a lo largo de sus estudios de Grado mediante una actividad formativa supervisada por la Escuela y realizada a una empresa o institución externa. [...]

2023-24
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents

Dipòsit Digital de Documents de la UAB : 91 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.