Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Porti i Pujal, Marc
  Consells de cerca
Cerca simple
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Dipòsit Digital de Documents de la UAB 46 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre: La cerca s'ha fet en 0.00 segons. 
1.
10 p, 2.9 MB On the aging of OTFTs and its impact on PUFs reliability / Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Palau, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Arnal Rus, August (FlexiIC SL.) ; Ogier, Simon (SmartKem Ltd.) ; Ramon, Eloi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Given the current maturity of printed technologies, Organic Thin-Film Transistors (OTFT) still show high initial variability, which can be beneficial for its exploitation in security applications. In this work, the process-related variability and aging of commercial OTFTs have been characterized to evaluate the feasibility of OTFTs-based Physical Unclonable Functions (PUFs) implementation. [...]
Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI), 2024 - 10.3390/mi15040443
Micromachines, Vol. 15, issue 4 (April 2024) , art. 443  
Registre complet - Creative Commons
2.
9 p, 1.2 MB Methodology for the simulation of the variability of MOSFETs with polycrystalline high-k dielectrics using CAFM input data / Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Couso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Seoane, Natalia (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garcia-Loureiro, Antonio (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, a simulation methodology, whose inputs are Conductive Atomic Force Microscope (CAFM) experimental data, is proposed to evaluate the impact of nanoscale variability sources related to the polycrystallization of high-k dielectrics (i. [...]
2021 - 10.1109/ACCESS.2021.3090472
IEEE Access, Vol. 9 (2021) , p. 90568-90576  
Registre complet - Creative Commons
3.
A Smart Measurement System for the Combined Nanoscale and Device Level Characterization of Electron Devices : Implementation Using Ink-Jet Printing Technologies / Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Arrese, Javier (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cirera, Albert (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this article, the integration into a single measurement system of device level and nanoscale measurement equipment is presented and applied to the electrical characterization of emerging electron devices. [...]
2023 - 10.1109/TNANO.2023.3234357
IEEE Transactions on Nanotechnology, Vol. 22 (January 2023) , p. 28-35  
Registre complet -
4.
Exploitation of OTFTs variability for PUFs implementation and impact of aging / Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Palau, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Arnal Rus, August (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ogier, Simon (SmartKem Ltd.) ; Ramon, Eloi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Commercial Organic Thin Film Transistors (OTFT) have been characterized to evaluate their variability and reliability. The feasibility of implementing Physical Unclonable Functions (PUFs) based on these devices has been evaluated, taking advantage of the high variation in the electrical characteristics among different OTFTs. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108698
Solid-state electronics, Vol. 207 (Sep. 2023) , art. 108698  
Registre complet - Creative Commons
5.
5 p, 494.4 KB Oxide Breakdown Spot Spatial Patterns as Fingerprints for Optical Physical Unclonable Functions / Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Redon, Miquel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Muñoz Gorriz, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Dielectric Breakdown (BD) of the gate oxide in a Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) or Metal-Insulator-Metal (MIM) structure has been traditionally considered a major drawback since such event can seriously affect the electrical performance of the circuit containing the device. [...]
2023 - 10.1109/LED.2023.3301974
IEEE electron device letters, Vol. 44, Issue 10 (October 2023) , p. 1600-1603  
Registre complet -
6.
54.6 MB Nanoscale characterization and simulation of advanced CMOS and emerging devices variability / Ruiz Flores, Ana ; Porti i Pujal, Marc, dir.
Durant les darreres dècades, els dispositius electrònics han esdevingut essencials per a la nostra societat i es poden trobar al nostre voltant en tots els aspectes de la nostra vida quotidiana. Un exponent paradigmàtic és l'Internet de les Coses (IoT), que va des dels electrodomèstics intel·ligents de casa nostra fins a aplicacions i dispositius sanitaris. [...]
Durante las últimas décadas, los dispositivos electrónicos se han vuelto esenciales para nuestra sociedad y se pueden encontrar a nuestro alrededor en todos los aspectos de nuestra vida cotidiana. [...]
During the last decades, electronic devices have become essential for our society and can be found around us in all aspects of our daily life. A paradigmatic exponent of this is the Internet of Things (IoT), which ranges from smart appliances in our houses to healthcare applications and devices. [...]
2022  
Registre complet - Creative Commons
7.
11 p, 1.1 MB A CAFM and device level study of MIS structures with graphene as interfacial layer for ReRAM applications / Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wu, Q. (Sun Yat-Sen University) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Capacitive Metal-Insulator-Semiconductor structures with graphene as interfacial layer between the HfO dielectric and the top electrode have been fabricated and investigated at device level and at the nanoscale with Conductive Atomic Force Microscope. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108080
Solid-state electronics, Vol. 186 (December 2021) , art. 108080  
Registre complet - Creative Commons
8.
5 p, 403.8 KB Workfunction fluctuations in polycrystalline TiN observed with KPFM and their impact on MOSFETs variability / Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Seoane, Natalia (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garcia-Loureiro, Antonio (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Couso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
A more realistic approach to evaluate the impact of polycrystalline metal gates on the MOSFET variability is presented. 2D experimental workfunction maps of a polycrystalline TiN layer were obtained by Kelvin Probe Force Microscopy with a nanometer resolution. [...]
2019 - 10.1063/1.5090855
Applied physics letters, Vol. 114, issue 9 (March 2019) , art. 93502  
Registre complet -
9.
27 p, 836.1 KB Low-power, high-performance, non-volatile inkjet-printed HfO 2 -based resistive random access memory : from device to nanoscale characterization / Vescio, Giovanni (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ; Martín, Gemma (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Alonso Pérez, Daniel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lopez-Vidrier, Julian (Albert-Ludwigs-Universität Freiburg) ; Estrade, Sonia (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Peiro, Francesca (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cornet, Albert (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Cirera, Albert (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Low-power, high-performance metal-insulator-metal (MIM) non-volatile resistive memories based on HfO2 high-k dielectric are fabricated using a drop-on-demand inkjet printing technique as a low-cost and eco-friendly method. [...]
2019 - 10.1021/acsami.9b01731
ACS applied materials & interfaces, Vol. 11, issue 26 (2019) , p. 23659-23666  
Registre complet -
10.
5 p, 697.8 KB Combined nanoscale KPFM characterization and device simulation for the evaluation of the MOSFET variability related to metal gate workfunction fluctuations / Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Seoane, Natalia (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garcia-Loureiro, Antonio (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, a more realistic approximation based on 2D nanoscale experimental data obtained on a metal layer is presented to investigate the impact of the metal gate polycrystallinity on the MOSFET variability. [...]
2019 - 10.1016/j.mee.2019.111048
Microelectronic engineering, Vol. 216 (Aug. 2019) , art. 111048  
Registre complet - Creative Commons

Dipòsit Digital de Documents de la UAB : 46 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem