Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Metall òxid semiconductors complementaris
  Consells de cerca
Cerca simple
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Dipòsit Digital de Documents de la UAB 21 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre: La cerca s'ha fet en 0.04 segons. 
1.
207 p, 15.8 MB Advances on the synthesis of MOFs at scale / Camur, Ceren ; Maspoch Comamala, Daniel, dir. ; Imaz, Inhar, dir. ; Busqué Sánchez, Félix, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Química
La presente tesis doctoral ha sido dedicada al desarrollo y optimización de metodologías para la síntesis de MOFs en medio acuoso, así como su conformación y el avance hacia la producción a gran escala de estos materiales. [...]
The present PhD Thesis has been dedicated to the development of basic knowledge on aqueous synthesis methodologies of MOFs and their shaping in order to make advances towards the large scale production of MOFs. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.  
Registre complet - Creative Commons
2.
334 p, 22.9 MB Confining Reactions in a Droplet : synthesis of MOFs, COFs and Composites using Spray-Drying / Garzon-Tovar, Luis ; Maspoch Comamala, Daniel, dir. ; Imaz, Inhar, dir. ; Busqué Sánchez, Félix, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Química
Una nueva era en la química de los materiales inició con el descubrimiento de las redes Metal-Orgánicas (MOFs, por sus siglas en inglés) y las redes Orgánicas-Covalentes (COFs, por sus siglas en inglés). [...]
A new age in materials chemistry started with the discovery of Metal-Organic Frameworks and Covalent-Organic frameworks. In particular, the introduction of reticular chemistry represented a revolutionary strategy that gave chemists infinite opportunities toward the design and construction of novel functional materials with exceptional properties, such as their high porosity, high structural/compositional flexibility and low densities (for COFs). [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
Registre complet - Creative Commons
3.
199 p, 8.4 MB Micro and nano-electro-mechanical devices in the CMOS back end and their applications / Riverola Borreguero, Martín ; Barniol i Beumala, Núria, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Recentment, l'escalat de la tecnologia complementaria metall-òxid-semiconductor (CMOS) està arribant a límits fonamentals, principalment degut a les fuites de corrent no nul·les que el transistor presenta. [...]
Recently, several new emerging devices are starting to be explored because the traditional down-scaling approach of the complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology (often called "More Moore") is reaching fundamental limits; mainly due to non-zero transistor off-state leakage. [...]
[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
Registre complet - Creative Commons
4.
196 p, 6.6 MB Modelling, design and integration of new differential architectures for M/NEMS resonant sensors / Prache, Pierre ; Juillard, Jérôme, dir. ; Barniol i Beumala, Núria, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Los sensores M/NEMS resonantes, gracias a su pequeño tamaño, a su bajo consumo y a su carácter quasi-digital (siendo generalmente la señal de salida un tono frecuencial), se han convertido en herramientas muy usadas en sistemas embebidos portátiles y de a bordo tales como en telefonía móvil (es decir, en smartphones) o en la industria aeroespacial. [...]
M/NEMS resonant sensors, due to their small size, consumption and quasi-digital output (a frequency most of the time) are useful tools for on-board systems, from smartphones to aeronautic technology. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
Registre complet - Creative Commons
5.
114 p, 18.3 MB CMOS-MEMS para aplicaciones de RF : osciladores / Sobreviela Falces, Guillermo ; Uranga del Monte, Aranzazu, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
En los últimos años el mercado asociado a los dispositivos MEMS/NEMS para comunicaciones está experimentando un constante aumento debido principalmente al auge en los dispositivos móviles inteligentes que incorporan un gran número de sensores inerciales y que van aumentando en función de las propias exigencias del mercado NEMS. [...]
In recent years the market associated with MEMS / NEMS devices for communications, is experiencing a steady increase mainly due to the popularity of smart mobile devices that incorporate a large number of inertial sensors. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016
3 documents
Registre complet - Creative Commons
6.
149 p, 4.9 MB Variability and reliability at the nanoscale of gate dielectrics of MOS devices and graphene based structures / Bayerl, Albin ; Porti i Pujal, Marc, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
In the first chapter of this thesis, the MOSFET transistor and an overview of the implications of ongoing device shrinking will be given. Possible alternatives to allow the scaling down such as the introduction of high-k dielectrics and the potential of graphene for nanoelectronic applications are also explained. [...]
En el primer capítulo de ésta tesis, se les dará un resumen del transistor MOSFET y de las consecuencias del escalado de dispositivos electrónicos. También se explican las alternativas posibles para permitir mantener dicha tendencia, como la introducción de dieléctricos high-k y el potencial del grafeno para aplicaciones en nanoelectrónica. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
Registre complet -
7.
154 p, 4.1 MB Estudio de la reversibilidad de la ruptura dieléctrica en dispositivos MOS con dieléctrico de puerta high-k ultra delgado / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Para lograr el estudio de la ruptura dieléctrica, y concretamente la caracterización y observación del fenómeno de su reversibilidad, se ha realizado una elevada cantidad de medidas que ha generado un volumen muy grande de datos que procesar y analizar, ha sido necesario el análisis estadístico de algunos de los parámetros y eventos que caracterizan el fenómeno, lo que requiere reproducir el fenómeno un gran número de veces, tanto en un mismo dispositivo como en diferentes, y en diversas condiciones de trabajo y/o con procedimientos de medida distintos. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
Registre complet -
8.
246 p, 12.8 MB Monolithic packaging and transduction approaches for CMOS-MEMS resonators / Marigó Ferrer, Eloi ; Barniol i Beumala, Núria, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
El gran increment en el rendiment dels MEMS i la seva aplicació a multitud de camps ha motivat la seva recerca i desenvolupament. Des de la primera demostració d'un MEMS, moltes aplicacions han sorgit, essent el camp dels sensors el seu sector més competitiu. [...]
The increasingly performance of MEMS and their applicability to a wide range of fields has motivated the research and development of such devices. From the first demonstration of MEMS several applications have grown being the field of sensors their most competitive area. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
Registre complet -
9.
148 p, 16.4 MB CAFM nanoscale electrical properties and reliability of HfO₂ based gate dielectrics in electron devices : impact of the polycrystallization and resistive switching / Iglesias Santiso, Vanessa ; Porti i Pujal, Marc, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La evolución de los dispositivos MOS ha conllevado una reducción de tamaño de los mismos con el fin de mejorar sus prestaciones. Sin embargo, este continuo escalado se ha topado con un límite físico: la delgada capa aislante de SiO2 (entre otros), que fuerza la búsqueda de nuevas alternativas que permitan abastecer al exigente mercado tecnológico. [...]
The evolution of MOS devices has involved an important shrinking in the transistor size with the aim of improve their benefits. However, this continuous miniaturization has found its physical limits in the thin SiO2 dielectric layer with current sizes at nanometric scale. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
Registre complet -
10.
221 p, 7.1 MB Development of microelectromechanical systems for RF signal processing / Giner de Haro, Joan ; Uranga del Monte, Aránzazu, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
El objectiu d'aquesta tesis ha sigut l'estudi de ressonadors CMOS-MEMS monolíticament integrats per a la seva aplicació en transceptors de radio freqüència. En concret s'ha treballat sobre filtre y ressonadors de RF així com la seva caracterització. [...]
The objective of this thesis is the study of CMOS MEMS monolithically integrated resonators, for RF transceivers applications. In particular, it has focuses on design and characterization of RF resonators and filters. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2012  
Registre complet -

Dipòsit Digital de Documents de la UAB : 21 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem