Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Semiconductor nanostructures
  Consells de cerca
Cerca simple
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Dipòsit Digital de Documents de la UAB 3 registres trobats  La cerca s'ha fet en 0.00 segons. 
1.
8 p, 1.4 MB Quantifying thermal transport in buried semiconductor nanostructures : Via cross-sectional scanning thermal microscopy / Spièce, Jean (Lancaster University. Physics Department) ; Evangeli, Charalambos (Lancaster University. Physics Department) ; Robson, Alexander J. (Lancaster University. Physics Department) ; Sachat, Alexandros el (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Haenel, Linda (University of Stuttgart) ; Alonso, M. Isabel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Garriga, Miquel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Robinson, Benjamin James (Lancaster University. Material Science Institute) ; Oehme, Michael (University of Stuttgart) ; Schulze, Jörg (University of Stuttgart) ; Alzina, Francesc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats) ; Kolosov, Oleg Victor (Lancaster University. Material Science Institute)
Managing thermal transport in nanostructures became a major challenge in the development of active microelectronic, optoelectronic and thermoelectric devices, stalling the famous Moore's law of clock speed increase of microprocessors for more than a decade. [...]
2021 - 10.1039/d0nr08768h
Nanoscale, Vol. 13, Issue 24 (June 2021) , p. 10829-10836  
Registre complet - Creative Commons
2.
13 p, 8.2 MB The Role of polarity in nonplanar semiconductor nanostructures / De La Mata, Maria (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Zamani, Reza (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Interdisciplinary Center for Electron Microscopy) ; Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Eickhoff, Martin (University of Bremen. Institut für Festkörperphysik) ; Xiong, Qihua (Nanyang Technological University. School of Physical and Mathematical Sciences) ; Fontcuberta i Morral, Anna (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Caroff, Philippe (Delft University of Technology) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The lack of mirror symmetry in binary semiconductor compounds turns them into polar materials, where two opposite orientations of the same crystallographic direction are possible. Interestingly, their physical properties (e. [...]
2019 - 10.1021/acs.nanolett.9b00459
Nano letters, Vol. 19, issue 6 (June 2019) , p. 3396-3408  
Registre complet -
3.
119 p, 5.5 MB Atomic scale characterization of semiconductor non-planar nanostructures / Mata Fernández, María de la ; Arbiol i Cobos, Jordi, dir. ; Granados García, Xavier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
Las nanoestructuras semiconductoras son bloques de construcción con gran potencial para ser integrados en numerosos dispositivos tecnológicos, además de ser plataformas ideales para el estudio de principios físicos fundamentales. [...]
Semiconductor nanostructures are building blocks with high potential to be integrated in a wide variety of technological devices, in addition to be ideal platforms for the study of fundamental physical principles. [...]
[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2015
2 documents
Registre complet - Creative Commons

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem