Pàgina inicial > Resultats de la cerca: IEEE transactions on device and materials reliability
  Consells de cerca
Cerca simple
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Dipòsit Digital de Documents de la UAB 1 registres trobats  La cerca s'ha fet en 0.02 segons. 
1.
6 p, 2.0 MB Injected charge to recovery as a parameter to characterize the breakdown reversibility of ultrathin HfSiON gate dielectric / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rothschild, A. (Interuniversity Micro-Electronics Center) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The injected charge to recovery (QR) is presented as a parameter to characterize the dielectric breakdown (BD)reversibility in MOSFETs with ultrathin high-k hafnium based gate dielectric. The procedure to recover the dielectric is explained and the dependences of QR with the current limit during BD, the polarity of the BD-recovery stresses and the number of stress cycles are analyzed.
2011 - 10.1109/TDMR.2010.2098032
IEEE transactions on device and materials reliability, Vol. 11, Issue 1 (March 2011) , p. 126-130  
Registre complet -

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem