Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Miranda, Enrique
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Dipòsit Digital de Documents de la UAB 98 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre: La cerca s'ha fet en 0.02 segons. 
1.
20 p, 4.7 MB Application of the Quasi-Static Memdiode Model in Cross-Point Arrays for Large Dataset Pattern Recognition / Aguirre, Fernando Leonel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pazos, Sebastián Matías (Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas) ; Palumbo, Félix (Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
We investigate the use and performance of the quasi-static memdiode model (QMM) when incorporated into large cross-point arrays intended for pattern classification tasks. Following Chua's memristive devices theory, the QMM comprises two equations, one equation for the electron transport based on the double-diode circuit with single series resistance and a second equation for the internal memory state of the device based on the so-called logistic hysteron or memory map. [...]
2020 - 10.1109/ACCESS.2020.3035638
IEEE Access, Vol. 8 (November 2020) , p. 202174-202193  
Registre complet - Creative Commons
2.
5 p, 2.8 MB Modeling and simulation of successive breakdown events in thin gate dielectrics using standard reliability growth models / Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Aguirre, Fernando Leonel (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Salvador, E. (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona)
The application of constant electrical stress to a metal-insulator-semiconductor (MOS) or metal-insulator-metal (MIM) structure can generate multiple breakdown events in the dielectric film. Very often, these events are detected as small jumps in the current-time characteristic of the device under test and can be treated from the stochastic viewpoint as a counting process. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108812
Solid-state electronics, Vol. 210 (December 2023) , art. 108812  
Registre complet - Creative Commons
3.
5 p, 494.4 KB Oxide Breakdown Spot Spatial Patterns as Fingerprints for Optical Physical Unclonable Functions / Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Redon, Miquel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Muñoz Gorriz, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Dielectric Breakdown (BD) of the gate oxide in a Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) or Metal-Insulator-Metal (MIM) structure has been traditionally considered a major drawback since such event can seriously affect the electrical performance of the circuit containing the device. [...]
2023 - 10.1109/LED.2023.3301974
IEEE electron device letters, Vol. 44, Issue 10 (October 2023) , p. 1600-1603  
Registre complet -
4.
10 p, 8.6 MB Assessment of the variability of the I-V characteristic of HfO2-based resistive switching devices and its simulation using the quasi-static memdiode model / Salvador Aguilera, Emili (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martin-Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodriguez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Variability of the conduction characteristics of filamentary-type resistive switching devices or resistive RAMs (RRAMs) is a hot research topic both in academia and industry because it is currently considered one of the major showstoppers for the successful development and application of this technology. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108667
Solid-state electronics, Vol. 206 (August 2023) , art. 108667  
Registre complet - Creative Commons
5.
12 p, 1.4 MB Exploring Conductance Quantization Effects in Electroformed Filaments for Their Potential Application to a Resistance Standard / Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aguirre, Fernando Leonel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The ballistic conduction through narrow constrictions connecting charge reservoirs exhibits conductance quantization effects. Since the quantum of conductance (Formula presented. ) is only related to fundamental constants of nature, these effects might allow the implementation of a standard of resistance, fulfilling the requirements of the 2019 revised International System of Units. [...]
2023 - 10.1002/qute.202300048
Advanced Quantum Technologies, Vol. 6, Issue 7 (July 2023) , art. 2300048  
Registre complet - Creative Commons
6.
5 p, 105.5 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols, Xavier ; Suñé Tarruella, Jorge Francisco ; Pacheco-Sánchez, Aníbal ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda Castellano, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological drawbacks, the research goals and the main evolution trends. [...]
1) Adquirir una visión general sobre la situación actual de la nanoelectrónica a partir principalmente del International Technology reoadmap for Semiconductors. Se incluye la comprensión de las principales barreras tecnológicas, los retos de investigación y las principales tendencias evolutivas. [...]
2023-24
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
7.
6 p, 109.6 KB Avaluació Ambiental de Plans, Programes i Projectes [102827] / Arqueros Wood, Marcela ; Doblas Miranda, Enrique ; Madaula Izquierdo, Eduard ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
- Conèixer els procediments d'avaluació ambiental i el contingut dels documents preceptius - Conèixer la legislació per la qual es regeixen les avaluacions ambientals - Saber identificar i valorar impactes ambientals - Estar capacitat per proposar mesures mitigadores d'impactes - Reconèixer els principals efectes de les activitats humanes sobre el medi natural i social - Saber valorar la percepció social dels impactes ambientals - Analitzar críticament una avaluació ambiental 1.
- To know the environmental assessment procedures and the content of the mandatory documents. - To know the legislation governing environmental assessments. - To know how to identify and assess environmental impacts. [...]
- Conocer los procedimientos de evaluación ambiental y el contenido de los documentos preceptivos - Conocer la legislación por la que se rigen las evaluaciones ambientales - Saber identificar y valorar impactos ambientales - Estar capacitado para proponer medidas mitigadoras de impactos - Reconocer los principales efectos de las actividades humanas sobre el medio natural y social - Saber valorar la percepción social de los impactos ambientales - Analizar críticamente una evaluación ambiental 1.
2023-24
Grau en Ciències Ambientals i Grau en Geologia [1208]
Grau en Ciències Ambientals [1435]
Grau en Ciències Ambientals i Grau en Geologia [1436]
Grau en Ciències Ambientals [959]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
8.
6 p, 104.1 KB Compatibilitat Electromagnètica [102725] / Miranda Castellano, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu d'aquest curs és formar a estudiants del Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació en els models i mètodes de treball a l'àrea de la compatibilitat electromagnètica (EMC). Per a això es presentaran les formulacions bàsiques utilitzades per a la descripció de fenòmens d'interferència i compatibilitat electromagnètica. [...]
The objective of this course is to form students from the Telecomunications degree in the models and methods frequently used in the field of electromagnetic compatibility (EMC). To this aim, the basic formulations used for the description of interference phenomena and electromagnetic compatibility will be presented. [...]
El objetivo de este curso es formar a los estudiantes del grado de telecomunicaciones en los modelos y los metodos frecuentemente utilizados en el campo de la compatibilidad electromagnetica (EMC). Para este fin se presentaran las formulaciones basicas utilizadas para describir el fenomeno de interferencia y la compatibilidad electromagnetica en diversos sistemas. [...]
2023-24
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
9.
5 p, 105.6 KB Components i Circuits Electrònics [102689] / Jiménez Jiménez, David ; Miranda Castellano, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu global d'aquesta assignatura és proporcionar una visió general dels dispositius electrònics bàsics, fonamentalment díodes i transistors i dels models que s'empren per a l'anàlisi i disseny de circuits. [...]
The cental objective of this course is to provide a general overview of basic electronic devices, mainly diodes and transistors and of the basic models used for the analysis and design of circuits. Understanding of the physical principles behind the operation of semiconductors, and electron and photonic devices. [...]
El objetivo central de esta asignatura es la de proporcional al estudiante un marco general sobre la electrónica basica, incluyendo fundamentalmente diodos y transistores. Entender los principios físicos sobre los que se basan el funcionamiento de los semiconductores y dispositivos electrónicos y fotónicos. [...]
2023-24
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Tecnologies de la Informació) i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1207]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
10.
11 p, 4.5 MB Experimental and Modeling Study of Metal-Insulator Interfaces to Control the Electronic Transport in Single Nanowire Memristive Devices / Milano, Gianluca (Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fretto, Matteo (INRiM (Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica)) ; Valov, Ilia (Peter-Grünberg-Institut) ; Ricciardi, Carlo (Politecnico di Torino)
Memristive devices relying on redox-based resistive switching mechanisms represent promising candidates for the development of novel computing paradigms beyond von Neumann architecture. Recent advancements in understanding physicochemical phenomena underlying resistive switching have shed new light on the importance of an appropriate selection of material properties required to optimize the performance of devices. [...]
2022 - 10.1021/acsami.2c11022
ACS applied materials & interfaces, Vol. 14, Num. 47 (November 2022) , p. 53027-53037  
Registre complet - Creative Commons

Dipòsit Digital de Documents de la UAB : 98 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Vegeu també: autors amb noms similars
2 Miranda, E.
2 Miranda, Elisangela Matias
33 Miranda, Enrique Alberto
3 Miranda, Enrique,
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem