Home > Search Results: Nafría i Maqueda, Montserrat
  Search Tips
Simple Search
Search collections:
Sort by: Display results: Output format:
UAB Digital Repository of Documents 132 records found  1 - 10nextend  jump to record: Search took 0.01 seconds. 
1.
10 p, 2.9 MB On the aging of OTFTs and its impact on PUFs reliability / Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Palau, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Arnal Rus, August (FlexiIC SL.) ; Ogier, Simon (SmartKem Ltd.) ; Ramon, Eloi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Given the current maturity of printed technologies, Organic Thin-Film Transistors (OTFT) still show high initial variability, which can be beneficial for its exploitation in security applications. In this work, the process-related variability and aging of commercial OTFTs have been characterized to evaluate the feasibility of OTFTs-based Physical Unclonable Functions (PUFs) implementation. [...]
Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI), 2024 - 10.3390/mi15040443
Micromachines, Vol. 15, issue 4 (April 2024) , art. 443  
Detailed record - Creative Commons
2.
Challenges and solutions to the defect-centric modeling and circuit simulation of time-dependent variability / Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Time-Dependent Variability (TDV) phenomena represent a serious concern for device and circuit reliability. To address the TDV impact at circuit level, Reliability-Aware Design (RAD) tools can be used by circuit designers to achieve more reliable circuits. [...]
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2023 - 10.1109/irps48203.2023.10118334
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Proceedings  
Detailed record -
3.
Circuit reliability prediction : challenges and solutions for the device time-dependent variability characterization roadblock / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin-Lloret, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Toro-Frias, Antonio (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
The characterization of the MOSFET Time-Dependent Variability (TDV) can be a showstopper for reliability-aware circuit design in advanced CMOS nodes. In this work, a complete MOSFET characterization flow is presented, in the context of a physics-based TDV compact model, that addresses the main TDV characterization challenges for accurate circuit reliability prediction at design time. [...]
IEEE, 2021 - 10.1109/laedc51812.2021.9437920
2021 IEEE Latin America Electron Devices Conference, (2021), p. 1-4  
Detailed record -
4.
Simulating the impact of random telegraph noise on integrated circuits / Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Camacho-Ruiz, Eros (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
This paper addresses the statistical simulation of integrated circuits affected by Random Telegraph Noise (RTN). For that, the statistical distributions of the parameters of a defect-centric model for RTN are experimentally determined from a purposely designed integrated circuit with CMOS transistor arrays. [...]
VDE Verlag GmbH, 2021
SSMACD / PRIME 2021; International Conference on SMACD and 16th Conference on PRIME, (2021), p. 1-4  
Detailed record -
5.
Methodology for the simulation of the variability of MOSFETs with polycrystalline high-k dielectrics using CAFM input data / Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Couso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Seoane, Natalia (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garcia-Loureiro, Antonio (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, a simulation methodology, whose inputs are Conductive Atomic Force Microscope (CAFM) experimental data, is proposed to evaluate the impact of nanoscale variability sources related to the polycrystallization of high-k dielectrics (i. [...]
2021 - 10.1109/ACCESS.2021.3090472
IEEE Access, Vol. 9 (2021) , p. 90568-90576  
Detailed record - Creative Commons
6.
57 p, 10.9 MB Study of dependencies on the operating conditions of RTN signals in nanoelectronic CMOS devices / El Bouinany El Haitout, Nouhaila ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Over the past years, Complementary Metal Oxide Silicon (CMOS) technology has played an increasingly important role in the world's integrated circuit industry, and for the present and foreseeable future, CMOS will remain the dominant technology used to fabricate integrated circuits (ICs). [...]
2024
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
Detailed record - Creative Commons
7.
Determination of the time constant distribution of a defect-centric time-dependent variability model for Sub-100-nm FETs / Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
The origin of some time-dependent variability phenomena in FET technologies has been attributed to the charge carrier trapping/detrapping activity of individual defects present in devices. Although some models have been presented to describe these phenomena from the so-called defect-centric perspective, limited attention has been paid to the complex process that goes from the experimental data of the phenomena up to the final construction of the model and all its components, specifically the one that pertains to the time constant distribution. [...]
2022 - 10.1109/TED.2022.3198383
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 69, issue 10 (Oct. 2022) , p. 5424-5429  
Detailed record -
8.
CMOS inverter performance degradation and its correlation with BTI, HCI and OFF state MOSFETs aging / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nasarre, C. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garsot, N. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, CMOS inverters are subjected to electrical stress emulating a complete operation cycle and the shifts in the performance parameters (i. e. , peak current and inversion voltage) evaluated. [...]
2022 - 10.1016/j.sse.2022.108264
Solid-state electronics, Vol. 191 (May 2022) , art. 108264  
Detailed record - Creative Commons
9.
On the impact of the biasing history on the characterization of random telegraph noise / Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
Random telegraph noise (RTN) is a time-dependent variability phenomenon that has gained increased attention during the last years, especially in deeply scaled technologies. In particular, there is a wide variety of works presenting different techniques designed to analyze current traces in scaled FET devices displaying RTN, and others focused on modeling the phenomenon using the parameters extracted through such techniques. [...]
2022 - 10.1109/TIM.2022.3166195
IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, Vol. 71 (2022) , art. 2003410  
Detailed record -
10.
A Smart Measurement System for the Combined Nanoscale and Device Level Characterization of Electron Devices : Implementation Using Ink-Jet Printing Technologies / Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Arrese, Javier (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cirera, Albert (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this article, the integration into a single measurement system of device level and nanoscale measurement equipment is presented and applied to the electrical characterization of emerging electron devices. [...]
2023 - 10.1109/TNANO.2023.3234357
IEEE Transactions on Nanotechnology, Vol. 22 (January 2023) , p. 28-35  
Detailed record -

UAB Digital Repository of Documents : 132 records found   1 - 10nextend  jump to record:
Interested in being notified about new results for this query?
Set up a personal email alert or subscribe to the RSS feed.
UAB Digital Repository of Documents :: Search :: Submit :: Personalize :: Help
Powered by Invenio v1.1.6
Maintained by ddd.bib@uab.cat  :: Metadata license:
Working with