Suñé, J. - Search Results - UAB Digital Repository of Documents

guest :: login

Home > Search Results: Suñé, J.

Search collections:

Sort by:	Display results:	Output format:

UAB Digital Repository of Documents	91 records found 1 - 10 jump to record:	Search took 0.01 seconds.

20 p, 4.7 MB

Application of the Quasi-Static Memdiode Model in Cross-Point Arrays for Large Dataset Pattern Recognition / Aguirre, Fernando Leonel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pazos, Sebastián Matías (Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas) ; Palumbo, Félix (Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
We investigate the use and performance of the quasi-static memdiode model (QMM) when incorporated into large cross-point arrays intended for pattern classification tasks. Following Chua's memristive devices theory, the QMM comprises two equations, one equation for the electron transport based on the double-diode circuit with single series resistance and a second equation for the internal memory state of the device based on the so-called logistic hysteron or memory map. [...]
2020 - DOI (Digital Object Identifier)

10.1109/ACCESS.2020.3035638
IEEE Access, Vol. 8 (November 2020) , p. 202174-202193

Detailed record -

5 p, 2.8 MB

Modeling and simulation of successive breakdown events in thin gate dielectrics using standard reliability growth models / Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Aguirre, Fernando Leonel (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Salvador, E. (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona)
The application of constant electrical stress to a metal-insulator-semiconductor (MOS) or metal-insulator-metal (MIM) structure can generate multiple breakdown events in the dielectric film. Very often, these events are detected as small jumps in the current-time characteristic of the device under test and can be treated from the stochastic viewpoint as a counting process. [...]
2023 - DOI (Digital Object Identifier)

10.1016/j.sse.2023.108812
Solid-state electronics, Vol. 210 (December 2023) , art. 108812

Detailed record -

12 p, 1.4 MB

Exploring Conductance Quantization Effects in Electroformed Filaments for Their Potential Application to a Resistance Standard / Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aguirre, Fernando Leonel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The ballistic conduction through narrow constrictions connecting charge reservoirs exhibits conductance quantization effects. Since the quantum of conductance (Formula presented. ) is only related to fundamental constants of nature, these effects might allow the implementation of a standard of resistance, fulfilling the requirements of the 2019 revised International System of Units. [...]
2023 - DOI (Digital Object Identifier)

10.1002/qute.202300048
Advanced Quantum Technologies, Vol. 6, Issue 7 (July 2023) , art. 2300048

Detailed record -

5 p, 105.5 KB

Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols, Xavier ; Suñé Tarruella, Jorge Francisco ; Pacheco-Sánchez, Aníbal ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda Castellano, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological drawbacks, the research goals and the main evolution trends. [...]
1) Adquirir una visión general sobre la situación actual de la nanoelectrónica a partir principalmente del International Technology reoadmap for Semiconductors. Se incluye la comprensión de las principales barreras tecnológicas, los retos de investigación y las principales tendencias evolutivas. [...]
2023-24
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]

3 documents

Detailed record -

5 p, 109.5 KB

Gestió de la Qualitat i de la Fiabilitat [102716] / Suñé Tarruella, Jorge Francisco ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Els objectius són que l'estudiant adquireixi les competències vinculades a la gestió de la qualitat i la fiabilitat, dins del context de la matèria optativa de Qualitat i Producció. L'assignatura està específicament orientada cap l'àmbit de l'enginyeria Electrònica i els sistemes de Telecomunicació. [...]
The objectives are that the student acquires the competences related to the management of the quality and the reliability, within the context of the optional matter of Quality and Production. The subject is specifically oriented towards the field of electronic engineering and telecommunication systems. [...]
Los objetivos son que el estudiante adquiera las competencias vinculadas a la gestión de la calidad y la fiabilidad, dentro del contexto de la materia optativa de Calidad y Producción. La asignatura está específicamente orientada hacia el ámbito de la ingeniería Electrónica y los sistemas de Telecomunicación. [...]
2023-24
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Tecnologies de la Informació) i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1207]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]

3 documents

Detailed record -

6 p, 126.5 KB

Nanotecnologia per a la Informació i les Comunicacions [103295] / Cartoixà Soler, Xavier ; Suñé Tarruella, Jorge Francisco ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Identificar els límits físics de la tecnologies actuals de processat de la informació i conèixer quines alternatives es proposen des de la nanotecnologia. Conèixer els fonaments de les diferents aproximacions al transport electrònic en dispositius. [...]
Identifying the physical limits of present day information processing technologies, and knowing the alternatives proposed from nanotechnology. Knowing the foundations of the different approaches to electron transport in devices. [...]
Identificar los límites físicos de las tecnologías actuales de procesado de la información i conocer qué alternativas se proposen desde la nanotecnología. Conocer los fundamentos de las diferentes aproximaciones al transporte electrónico en dispositivos. [...]
2023-24
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]

3 documents

Detailed record -

14 p, 7.1 MB

Fast Fitting of the Dynamic Memdiode Model to the Conduction Characteristics of RRAM Devices Using Convolutional Neural Networks / Aguirre, Fernando Leonel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Piros, Eszter (Technische Universität Darmstadt) ; Kaiser, Nico (Technische Universität Darmstadt) ; Vogel, Tobias (Technische Universität Darmstadt) ; Petzold, Stephan (Technische Universität Darmstadt) ; Gehrunger, Jonas (Technische Universität Darmstadt) ; Oster, Timo (Technische Universität Darmstadt) ; Hochberger, Christian (Technische Universität Darmstadt) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Alff, Lambert (Technische Universität Darmstadt) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this paper, the use of Artificial Neural Networks (ANNs) in the form of Convolutional Neural Networks (AlexNET) for the fast and energy-efficient fitting of the Dynamic Memdiode Model (DMM) to the conduction characteristics of bipolar-type resistive switching (RS) devices is investigated. [...]
2022 - DOI (Digital Object Identifier)

10.3390/mi13112002
Micromachines, Vol. 13, Issue 11 (November 2022) , art 2002

Detailed record -

10 p, 6.2 MB

SPICE model for complementary resistive switching devices based on anti-serially connected quasi-static memdiodes / Saludes-Tapia, Mercedes (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Gonzalez, Mireia Bargallo (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This paper reports the use of the Quasi-static Memdiode Model (QMM) for simulating Complementary Resistive Switching (CRS) devices. CRS arises from the anti-serial connection of two memristors and it is used for generating low and high-resistance regions in the I-V characteristic with the aim of mitigating the sneak-path conduction problem in crossbar arrays. [...]
2022 - DOI (Digital Object Identifier)

10.1016/j.sse.2022.108312
Solid-state electronics, Vol. 194 (August 2022) , art. 108312

Detailed record -

5 p, 105.4 KB

Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda Castellano, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological drawbacks, the research goals and the main evolution trends. [...]
1) Adquirir una visión general sobre la situación actual de la nanoelectrónica a partir principalmente del International Technology reoadmap for Semiconductors. Se incluye la comprensión de las principales barreras tecnológicas, los retos de investigación y las principales tendencias evolutivas. [...]
2022-23
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]

3 documents

Detailed record -

10.

5 p, 105.4 KB

Nanotecnologia per a la Informació i les Comunicacions [103295] / Cartoixà Soler, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Identificar els límits físics de la tecnologies actuals de processat de la informació i conèixer quines alternatives es proposen des de la nanotecnologia. Conèixer els fonaments de les diferents aproximacions al transport electrònic en dispositius. [...]
Identifying the physical limits of present day information processing technologies, and knowing the alternatives proposed from nanotechnology. Knowing the foundations of the different approaches to electron transport in devices. [...]
Identificar los límites físicos de las tecnologías actuales de procesado de la información i conocer qué alternativas se proposen desde la nanotecnología. Conocer los fundamentos de las diferentes aproximaciones al transporte electrónico en dispositivos. [...]
2022-23
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]