Depósito Digital de Documentos de la UAB Encontrados 5 registros  La búsqueda tardó 0.01 segundos. 
1.
36 p, 1.5 MB Metallic diluted dimerization in VO2 tweeds / Sandiumenge Ortiz, Felip (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rodríguez Domínguez, Laura (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Pruneda, Miguel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Magen Dominguez, Cesar (Instituto de Nanociencia de Aragón) ; Santiso, José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Catalan, Gustau (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The observation of electronic phase separation textures in vanadium dioxide, a prototypical electron-correlated oxide, has recently added new perspectives on the long standing debate about its metal-insulator transition and its applications. [...]
2021 - 10.1002/adma.202004374
Advanced materials, Vol. 33, issue 9 (March 2021) , art. 2004374  
2.
22 p, 2.2 MB Synthesis of PbI₂ single-layered inorganic nanotubes encapsulated within carbon nanotubes / Cabana Jiménez, Laura (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Ballesteros, Belén (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Batista, Eudar (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Magen Dominguez, Cesar (Instituto de Nanociencia de Aragón) ; Arenal, Raúl (Instituto de Nanociencia de Aragón) ; Orõ-Solé, Judith (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Tobias, Gerard (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
The template assisted growth of single-layered inorganic nanotubes is reported. Single-crystalline lead iodide single-layered nanotubes have been prepared using the inner cavities of carbon nanotubes as hosting templates. [...]
2014 - 10.1002/adma.201305169
Advanced materials, Vol. 26, issue 13 (April 2014) , p. 2016-2021  
3.
12 p, 1.9 MB Orientation symmetry breaking in self-assembled Ce1- : XGdxO2- y nanowires derived from chemical solutions / Queraltó López, Albert (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; De La Mata, Maria (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Martínez, Lidia (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid) ; Magen Dominguez, Cesar (Universidad de Zaragoza. Instituto de Nanociencia y Materiales de Aragón) ; Gibert, Marta (Université de Genève. Département de Physique de la Matière Quantique) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Hühne, Ruben (Institut für Metallische Werkstoffe) ; Obradors, Xavier (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Puig i Molina, Mª Teresa (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Understanding the growth mechanisms of nanostructures obtained from chemical solutions, a high-throughput production methodology, is essential to correlate precisely the growth conditions with the nanostructures' morphology, dimensions and orientation. [...]
2016 - 10.1039/c6ra23717g
RSC advances, Vol. 6, issue 99 (2016) , p. 97226-97236  
4.
8 p, 9.3 MB Position-controlled growth of GaN nanowires and nanotubes on diamond by molecular beam epitaxy / Schuster, Fabian (Walter Schottky Institut, Physics Department, Technische Universität München) ; Hetzl, Martin (Technische Universität München. Walter Schottky Institute) ; Weiszer, Saskia (Technische Universität München. Walter Schottky Institute) ; Garrido, Jose (Technische Universität München. Walter Schottky Institute) ; De La Mata, Maria (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Magen Dominguez, Cesar (Universidad de Zaragoza. Instituto de Nanociencia y Materiales de Aragón) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Stutzmann, Martin (Technische Universität München. Walter Schottky Institute) ; ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró
In this work the position-controlled growth of GaN nanowires (NWs) on diamond by means of molecular beam epitaxy is investigated. In terms of growth, diamond can be seen as a model substrate, providing information of systematic relevance also for other substrates. [...]
2015 - 10.1021/nl504446r
Nano letters, Vol. 15, issue 3 (Nov. 2015) , p. 1773-1779  
5.
32 p, 3.3 MB Twin-induced InSb nanosails : a convenient high mobility quantum system / De La Mata, Maria (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Leturcq, Renaud (Institut d'Electronique, de Microélectronique, et de Nanotechnologie (Lille, França)) ; Plissard, Sébastien R. (Centre national de la recherche scientifique. Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes) ; Rolland, Chloé (Institut d'Electronique, de Microélectronique, et de Nanotechnologie (Lille, França)) ; Magen Dominguez, Cesar (Instituto de Nanociencia de Aragón) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Caroff, Philippe (Institut d'Electronique, de Microélectronique, et de Nanotechnologie (Lille, França))
Ultra narrow bandgap III-V semiconductor nanomaterials provide a unique platform for realizing advanced nanoelectronics, thermoelectrics, infrared photodetection, and quantum transport physics. In this work we employ molecular beam epitaxy to synthesize novel nanosheet-like InSb nanostructures exhibiting superior electronic performance. [...]
2016 - 10.1021/acs.nanolett.5b05125
Nano letters, Vol. 16, issue 2 (Oct. 2016) , p. 825-833  

¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.