Depósito Digital de Documentos de la UAB Encontrados 3 registros  La búsqueda tardó 0.00 segundos. 
1.
3 p, 1.0 MB Recovery of the MOSFET and circuit functionality after the dielectric breakdown of ultra-thin high-k gate stacks / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rothschild, A. (Interuniversity Micro-Electronics Center) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The reversibility of the gate dielectric breakdown in ultra-thin high-k dielectric stacks is reported and analyzed. The electrical performance of MOSFETs after the dielectric recovery is modeled and introduced in a circuit simulator. [...]
2010 - 10.1109/LED.2010.2045732
IEEE electron device letters, Vol. 31, Issue 6 (June 2010) , p. 543-545  
2.
6 p, 2.0 MB Injected charge to recovery as a parameter to characterize the breakdown reversibility of ultrathin HfSiON gate dielectric / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rothschild, A. (Interuniversity Micro-Electronics Center) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The injected charge to recovery (QR) is presented as a parameter to characterize the dielectric breakdown (BD)reversibility in MOSFETs with ultrathin high-k hafnium based gate dielectric. The procedure to recover the dielectric is explained and the dependences of QR with the current limit during BD, the polarity of the BD-recovery stresses and the number of stress cycles are analyzed.
2011 - 10.1109/TDMR.2010.2098032
IEEE transactions on device and materials reliability, Vol. 11, Issue 1 (March 2011) , p. 126-130  
3.
12 p, 990.7 KB Resistive switching-like behavior of the dielectric breakdown in ultra-thin Hf based gate stacks in MOSFETs / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rothschild, A. (Interuniversity Micro-Electronics Center) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The gate dielectric breakdown (BD) reversibility in MOSFETs with ultra-thin hafnium based high-k dielectric is studied. The phenomenology is analyzed in detail and the similarities with the resistive switching phenomenon emphasized. [...]
2011 - 10.1016/j.sse.2011.06.033
Solid-state electronics, Vol. 65-66 (Nov.-Dec. 2011) , p. 157-162  

¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.