Depósito Digital de Documentos de la UAB Encontrados 41 registros  1 - 10siguientefinal  ir al registro: La búsqueda tardó 0.01 segundos. 
1.
10 p, 2.3 MB Large-Area Synthesis of Ferromagnetic Fe5−xGeTe2/Graphene van der Waals Heterostructures with Curie Temperature above Room Temperature / Lv, Hua (Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V) ; da Silva, Alessandra (Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V) ; Figueroa García, Adriana Isabel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Guillemard, Charles (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Fernández Aguirre, Iván (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Camosi, Lorenzo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Aballe, Lucía (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Valvidares, Manuel (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Schubert, Jürgen (Jülich-Aachen Research Alliance) ; Schmidbauer, Martin (Leibniz-Institut für Kristallzüchtung) ; Herfort, Jens (Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V) ; Hanke, Michael (Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V) ; Trampert, Achim (Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V) ; Engel-Herbert, Roman (Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V) ; Ramsteiner, Manfred (Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V) ; Lopes, Joao Marcelo Jordao (Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V)
Van der Waals (vdW) heterostructures combining layered ferromagnets and other 2D crystals are promising building blocks for the realization of ultracompact devices with integrated magnetic, electronic, and optical functionalities. [...]
2023 - 10.1002/smll.202302387
Small, Vol. 19, Issue 39 (September 2023) , art. 2302387  
2.
10 p, 5.6 MB Experimental Demonstration of a Magnetically Induced Warping Transition in a Topological Insulator Mediated by Rare-Earth Surface Dopants / Muñiz Cano, Beatriz (IMDEA Nanociencia) ; Ferreiros, Yago (IMDEA Nanociencia) ; Pantaleón, Pierre A. (IMDEA Nanociencia) ; Dai, Ji (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Tallarida, Massimo (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Figueroa García, Adriana Isabel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Marinova, Vera (Institute of Optical Materials and Technologies Acad. G. Bontchev) ; García-Díez, Kevin (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mugarza, Aitor (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Miranda, Rodolfo (Universidad Autónoma de Madrid) ; Camarero, Julio (Universidad Autónoma de Madrid. Departamento de Física de la Materia Condensada) ; Guinea, Francisco (IMDEA Nanociencia) ; Silva-Guillén, Jose Angel (IMDEA Nanociencia) ; Valbuena, Miguel Ángel (IMDEA Nanociencia)
Magnetic topological insulators constitute a novel class of materials whose topological surface states (TSSs) coexist with long-range ferromagnetic order, eventually breaking time-reversal symmetry. The subsequent bandgap opening is predicted to co-occur with a distortion of the TSS warped shape from hexagonal to trigonal. [...]
2023 - 10.1021/acs.nanolett.3c00587
Nano letters, Vol. 23, Issue 13 (July 2023) , p. 6249-6258  
3.
20 p, 950.6 KB Spin communication over 30 μm long channels of chemical vapor deposited graphene on SiO2 / Gebeyehu, Zewdu M. (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Parui, S. (K.U. Leuven) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Timmermans, Matias (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Esplandiu Egido, Maria José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Brems, S. (Imec) ; Huyghebaert, C. (Imec) ; Garello, Kevin (Imec) ; Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We demonstrate a high-yield fabrication of non-local spin valve devices with room-temperature spin lifetimes of up to 3 ns and spin relaxation lengths as long as 9 μm in platinum-based chemical vapor deposition (Pt-CVD) synthesized single-layer graphene on SiO/Si substrates. [...]
2019 - 10.1088/2053-1583/ab1874
2D Materials, Vol. 6, Num. 3 (July 2019) , p. 034003  
4.
12 p, 1.0 MB Heat dissipation in few-layer MoS2 and MoS2/hBN heterostructure / Arrighi, Aloïs (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Navarro Urrios, Daniel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Watanabe, Kenji (National Institute for Material Science. Advanced Materials Laboratory (Tsukuba, Japó)) ; Taniguchi, Takashi (National Institute for Material Science. Advanced Materials Laboratory (Tsukuba, Japó)) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
State-of-the-art fabrication and characterization techniques have been employed to measure the thermal conductivity of suspended, single-crystalline MoS2 and MoS2/hBN heterostructures. Two-laser Raman scattering thermometry was used combined with real time measurements of the absorbed laser power, which allowed us to determine the thermal conductivities without any assumptions. [...]
2021 - 10.48550/arXiv.2107.06717  
5.
7 p, 891.3 KB Passivation of Bi2Te3 topological insulator by transferred CVD-graphene : toward intermixing-free interfaces / Galceran, Regina (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonell, Frédéric (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Camosi, Lorenzo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sauthier, Guillaume (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Gebeyehu, Zewdu M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Esplandiu Egido, Maria José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Arrighi, Aloïs (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fernández Aguirre, Iván (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Figueroa García, Adriana Isabel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The investigation, and ultimate application, of topological insulators, typically involve exposure to ambient conditions or their integration with metals, which lead to surface oxidation or material intermixing. [...]
2022 - 10.1002/admi.202201997
Advanced materials interfaces, Vol. 9, issue 36 (Des. 2022) , art. 2201997  
6.
39 p, 1.5 MB Two-dimensional materials prospects for non-volatile spintronic memories / Yang, Hyunsoo (National University of Singapore. Department of Electrical and Computer Engineering) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Chshiev, Mairbek (SPINtronique et TEchnologie des Composants) ; Couet, Sébastien (Imec) ; Dieny, Bernard (SPINtronique et TEchnologie des Composants) ; Dlubak, Bruno (Unité Mixte de Physique. CNRS. Thales. Université Paris-Saclay) ; Fert, Albert (Université Paris-Saclay. Unité Mixte de Physique) ; Garello, Kevin (SPINtronique et TEchnologie des Composants) ; Jamet, Matthieu (SPINtronique et TEchnologie des Composants) ; Jeong, Dae-Eun (Samsung Electronics Co.) ; Lee, Kangho (Samsung Electronics Co.) ; Lee, Taeyoung (GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.) ; Martin, Marie-Blandine (Université Paris-Saclay. Unité Mixte de Physique) ; Kar, Gouri Sankar (Imec) ; Sénéor, Pierre (Université Paris-Saclay. Unité Mixte de Physique) ; Shin, Hyeon-Jin (Samsung Advanced Institute of Technology) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Non-volatile magnetic random-access memories (MRAMs), such as spin-transfer torque MRAM and next-generation spin-orbit torque MRAM, are emerging as key to enabling low-power technologies, which are expected to spread over large markets from embedded memories to the Internet of Things. [...]
2022 - 10.1038/s41586-022-04768-0
Nature, Vol. 606, issue 7915 (June 2022) , p. 663-673  
7.
41 p, 1.9 MB Van der Waals heterostructures for spintronics and opto-spintronics / Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fabian, Jaroslav (University of Regensburg. Institute for Theoretical Physics) ; Kawakami, Roland (Ohio State University. Department of Physics) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The large variety of 2D materials and their co-integration in van der Waals heterostructures enable innovative device engineering. In addition, their atomically thin nature promotes the design of artificial materials by proximity effects that originate from short-range interactions. [...]
2021 - 10.1038/s41565-021-00936-x
Nature Nanotechnology, Vol. 16, issue 8 (August 2021) , p. 856-868  
8.
21 p, 7.4 MB Control of spin-charge conversion in van der Waals heterostructures / Galceran, Regina (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Tian, Bo (King Abdullah University of Science and Technology) ; Li, Junzhu (King Abdullah University of Science and Technology) ; Bonell, Frédéric (University of Grenoble Alpes. Spintec) ; Jamet, Matthieu (University of Grenoble Alpes. Spintec) ; Vergnaud, Céline (University of Grenoble Alpes. Spintec) ; Marty, Alain (University of Grenoble Alpes. Spintec) ; Garcia, José H. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Manchon, Auréliene (Aix-Marseille Université) ; Zhang, Xixiang (King Abdullah University of Science and Technology) ; Schwingenschlögl, Udo (King Abdullah University of Science and Technology)
The interconversion between spin and charge degrees of freedom offers incredible potential for spintronic devices, opening routes for spin injection, detection, and manipulation alternative to the use of ferromagnets. [...]
2021 - 10.1063/5.0054865
APL materials, Vol. 9, issue 10 (Oct. 2021) , art. 100901  
9.
9 p, 1.5 MB Large-area van der Waals epitaxy and magnetic characterization of Fe3GeTe2films on graphene / Lopes, Joao Marcelo Jordao (Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik) ; Czubak, Dietmar (Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik) ; Zallo, Eugenio (Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik) ; Figueroa García, Adriana Isabel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Guillemard, Charles (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Valvidares, Manuel (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Rubio-Zuazo, Juan (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid) ; López-Sanchéz, J. (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Hanke, Michael (Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik) ; Ramsteiner, Manfred (Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik)
Scalable fabrication of magnetic 2D materials and heterostructures constitutes a crucial step for scaling down current spintronic devices and the development of novel spintronic applications. Here, we report on van der Waals (vdW) epitaxy of the layered magnetic metal Fe3GeTe2 (FGT) - a 2D crystal with highly tunable properties and a high prospect for room temperature ferromagnetism (FM) - directly on graphene by employing molecular beam epitaxy. [...]
2021 - 10.1088/2053-1583/ac171d
2D Materials, Vol. 8, issue 4 (Oct. 2021) , art. 41001  
10.
9 p, 750.9 KB Low-symmetry topological materials for large charge-to-spin interconversion : the case of transition metal dichalcogenide monolayers / Vila Tusell, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Hsu, Chuang-Han (National University of Singapore. Department of Electrical and Computer Engineering) ; Garcia, José H. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Benítez, L. Antonio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Waintal, Xavier (Université Grenoble Alpes. Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Pereira, Víctor M. (National University of Singapore. Centre for Advanced 2D Materials and Graphene Research Centre) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The spin polarization induced by the spin Hall effect (SHE) in thin films typically points out of the plane. This is rooted on the specific symmetries of traditionally studied systems, not in a fundamental constraint. [...]
2021 - 10.1103/PhysRevResearch.3.043230
Physical Review Research, Vol. 3, issue 4 (Dec. 2021) , art. 43230  

Depósito Digital de Documentos de la UAB : Encontrados 41 registros   1 - 10siguientefinal  ir al registro:
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.