Warning: Ignoring empty title search term.
Depósito Digital de Documentos de la UAB Encontrados 1 registros  La búsqueda tardó 0.02 segundos. 
1.
141 p, 1.4 MB Theoretical studies of defects in silicon carbide / Rurali, Riccardo ; Hernández, Eduardo Rafael, dir. (Consejo Superior de Investigaciones Científicas (Espanya)) ; Godignon, Philippe, dir. (Consejo Superior de Investigaciones Científicas (Espanya))
Cálculos de estructura electrónica han sido utilizados para el estudio de la estructura, de la difusividad y de la actividad eléctrica de defectos puntuales en carburo de silicio. En particular, se han considerado impurezas de tipo n y de tipo p, boro, nitrógeno y fósforo, juntas con defectos intrínsecos, como las vacantes del cristal. [...]
Electronic structure calculations have been used to study the structure, the diffusivity and the electrical activity of point defects in silicon carbide. Particularly, p-type and n-type impurities have been considered, namely boron, nitrogen and phosphorus, together with intrinsic defects, specifically vacancies of the host crystal. [...]

Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2004  

¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.