|
1.
|
|
245 p, 10.6 MB |
Photoresponsive polar LuMnO3 and nonpolar LaFeO3 oxides in non-centrosymmetric structures
/
Sheng, Yunwei ;
Fina Martinez, Ignasi, dir. ;
Fontcuberta i Griñó, Josep, dir.
La baixa eficiència de conversió d'energia és un factor limitant important per a algunes aplicacions fotovoltaiques. En aquest context, la conversió fotovoltaica emprant materials ferroelèctrics, està rebent un nou interès. [...]
La baja eficiencia es un factor limitante en algunas aplicaciones fotovoltaicas. En este contexto, los materiales ferroeléctricos están recibiendo un nuevo interés. El motivo es que algunas propiedades únicas que muestran pueden contribuir a resolver algunos de los cuellos de botella actuales en las aplicaciones relacionadas con la fotovoltaica. [...]
The low power conversion efficiency is an important limiting factor for extensive photovoltaic applications. Within this context, ferroelectric photovoltaics using ferroelectric materials, are receiving a new interest. [...]
2022
|
|
|
2.
|
|
218 p, 9.7 MB |
Photoresistance and electroresistance in ferroelectric tunnel junctions based on BaTiO3 and Hf0.5Zr0.5O2
/
Long, Xiao ;
Fina Martinez, Ignasi, dir. ;
Fontcuberta i Griñó, Josep, dir.
El desenvolupament de la tecnologia de la informació s'acosta a un coll d'ampolla. Avui dia les memòries FLASH DRAM i NAND han mostrat inconvenients com la baixa retenció de la informació, temps de commutació lents i problemes de robustesa. [...]
El desarrollo de la tecnología de la información se acerca a un cuello de botella crucial debido a la limitación de la arquitectura de Von-Neumann para el almacenamiento de datos y las funciones lógicas. [...]
Informational technology development is approaching a crucial bottleneck due to the limitation of Von-Neumann architecture, for data storage and logic functions. Meanwhile, nowadays the DRAM and NAND flash memories have shown drawbacks such as data volatility, limitations of speed and endurance problem. [...]
2022
|
|
|
3.
|
|
15 p, 793.3 KB |
Voltage-driven strain-mediated modulation of exchange bias in Ir20Mn80/Fe80Ga20/Ta/<011>-oriented PMN-32PT heterostructures
/
Demirci, Erdem (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ;
de Rojas, Julius (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ;
Quintana Puebla, Alberto (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Fina, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Menéndez Dalmau, Enric (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ;
Sort Viñas, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Manipulation of exchange bias with electric field is appealing to boost energy efficiency in spintronic devices. Here, this effect is shown at room temperature in Ir20Mn80/Fe80Ga20/Ta layers grown onto ⟨011⟩-oriented PMN-32PT single crystals. [...]
2022 -  10.1063/5.0091231
Applied physics letters, Vol. 120, Issue 14 (April 2022) , art. 142406
|
|
|
4.
|
|
197 p, 11.3 MB |
Doping and interface effects on the ferroelectric properties of epitaxial HfO2-based thin films
/
Song, Tingfeng ;
Sánchez Barrera, Florencio, dir. ;
Fina, Ignasi, dir. ;
Pellicer Vilà, Eva Maria, dir.
Les capas fines ferroeléctricas basades en HfO2, a causa de la seva alta escalabilidad i a la seva compatibilitat amb processos complementary metal oxide semiconductor - CMOS, han centrat un gran interès en el camp dels dispositius de memòria. [...]
Las capas finas ferroeléctricas basadas en HfO2, debido a su alta escalabilidad y a la compatibilidad con los procesos complementary metal oxide semiconductor - CMOS, han centrado un gran interés en el campo de los dispositivos de memoria. [...]
Ferroelectric HfO2-based thin films have aroused great interest in the research field of memory devices, because it is a complementary metal oxide semiconductor compatible material with excellent scalability. [...]
2022
|
|
|
5.
|
|
6 p, 871.6 KB |
Isothermal anisotropic magnetoresistance in antiferromagnetic metallic IrMn
/
Galceran, Regina (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Fina, Ignasi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Cisneros-Fernández, Jose (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Bozzo, Bernat (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Frontera, Carlos (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
López-Mir, Laura (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Deniz, Hakan (Max Planck Institute of Microstructure Physics) ;
Park, K.-W. (Department of Materials Science and Engineering) ;
Park, B.-G. (Department of Materials Science and Engineering) ;
Balcells Argemí, Lluís (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Martí, X. (Academy of Sciences of the Czech Republic) ;
Jungwirth, Tomas (University of Nottingham. School of Physics and Astronomy) ;
Martínez, B. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Antiferromagnetic spintronics is an emerging field; antiferromagnets can improve the functionalities of ferromagnets with higher response times, and having the information shielded against external magnetic field. [...]
2016 - 10.1038/srep35471
Scientific reports, Vol. 6 (October 2016) , art. 35471
|
|
|
6.
|
|
25 p, 1.2 MB |
Control of the polarization of ferroelectric capacitors by the concurrent action of light and adsorbates
/
Liu, Fanmao (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Fina, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Sauthier, Guillaume (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Rappe, Andrew M. (University of Pennsylvania. Department of Chemistry) ;
Fontcuberta, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Ferroelectric perovskites hold promise of enhanced photovoltaic efficiency and photocatalytic activity. Consequently, the photoresponse of oxide ferroelectric thin films is an active field of research. [...]
2018 - 10.1021/acsami.8b05751
ACS applied materials & interfaces, Vol. 10, issue 28 (July 2018) , p. 23968-23975
|
|
|
7.
|
|
14 p, 542.4 KB |
Reversible and magnetically unassisted voltage-driven switching of magnetization in FeRh/PMN-PT
/
Fina, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Quintana Puebla, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ;
Martí, Xavier (Academy of Sciences of the Czech Republic. Institute of Physics) ;
Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Foerster, Michael (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ;
Aballe, Lucía (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ;
Sort Viñas, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ;
Fontcuberta, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Reversible control of magnetization by electric fields without assistance from a subsidiary magnetic field or electric current could help reduce the power consumption in spintronic devices. When increasing temperature above room temperature, FeRh displays an uncommon antiferromagnetic to ferromagnetic phase transition linked to a unit cell volume expansion. [...]
2018 - 10.1063/1.5040184
Applied physics letters, Vol. 113, Issue 15 (October 2018) , art. 152901
|
|
|
8.
|
|
8 p, 4.5 MB |
Local manipulation of metamagnetism by strain nanopatterning
/
Foerster, Michael (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ;
Menéndez Dalmau, Enric (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ;
Coy, Emerson (Adam Mickiewicz University. NanoBioMedical Centre (Poland)) ;
Quintana Puebla, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ;
Gómez-Olivella, Carles (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ;
Esqué-de los Ojos, Daniel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ;
Vallcorba Valls, Oriol (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ;
Frontera, Carlos (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Aballe, Lucía (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ;
Nogués, Josep (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Sort Viñas, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ;
Fina, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Among metamagnetic materials, FeRh alloys are technologically appealing due to their uncommon antiferromagnetic-to-ferromagnetic metamagnetic transition which occurs at a temperature T* just above room temperature. [...]
2020 - 10.1039/D0MH00601G
Materials Horizons, Vol. 7, Issue 8 (August 2020) , p. 2056-2062
|
|
|
9.
|
|
16 p, 4.3 MB |
Disentangling Highly Asymmetric Magnetoelectric Effects in Engineered Multiferroic Heterostructures
/
Menéndez Dalmau, Enric (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ;
Sireus, Verònica (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ;
Quintana Puebla, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ;
Fina, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Casals, Blai (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Cichelero, Rafael (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Kataja, Mikko (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Stengel, Massimiliano (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Herranz Casabona, Gervasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Catalan, Gustau (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Baró, M. D.. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ;
Suriñach, Santiago (Suriñach Cornet) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ;
Sort Viñas, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
One of the main strategies to control magnetism by voltage is the use of magnetostrictive-piezoelectric hybrid materials, such as ferromagnetic-ferroelectric heterostructures. When such heterostructures are subjected to an electric field, piezostrain-mediated effects, electronic charging, and voltage-driven oxygen migration (magnetoionics) may simultaneously occur, making the interpretation of the magnetoelectric effects not straightforward and often leading to misconceptions. [...]
2019 - 10.1103/PhysRevApplied.12.014041
Physical review applied, Vol. 12, Issue 1 (July 2019) , art. 14041
|
|
|
10.
|
|
7 p, 853.2 KB |
Four-state ferroelectric spin-valve
/
Quindeau, Andy (Max Planck Institute of Microstructure Physics) ;
Fina, Ignasi (University of Warwick. Department of Physics) ;
Martí Rovirosa, Xavier (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Apachitei, Geanina (University of Warwick. Department of Physics) ;
Ferrer, Pilar (Harwell Science and Innovation Campus. Diamond Light Source) ;
Nicklin, Chris (Harwell Science and Innovation Campus. Diamond Light Source) ;
Pippel, Eckhard (Max Planck Institute of Microstructure Physics) ;
Hesse, Dietrich (Max Planck Institute of Microstructure Physics) ;
Alexe, Marin (University of Warwick. Department of Physics)
Spin-valves had empowered the giant magnetoresistance (GMR) devices to have memory. The insertion of thin antiferromagnetic (AFM) films allowed two stable magnetic field-induced switchable resistance states persisting in remanence. [...]
2015 - 10.1038/srep09749
Scientific reports, Vol. 5 (May 2015) , art. 9749
|
|
visitante ::
identificación
alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al 
canal RSS.
