Depósito Digital de Documentos de la UAB Encontrados 16 registros  1 - 10siguiente  ir al registro: La búsqueda tardó 0.00 segundos. 
1.
20 p, 950.6 KB Spin communication over 30 μm long channels of chemical vapor deposited graphene on SiO2 / Gebeyehu, Zewdu M. (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Parui, S. (K.U. Leuven) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Timmermans, Matias (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Esplandiu Egido, Maria José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Brems, S. (Imec) ; Huyghebaert, C. (Imec) ; Garello, Kevin (Imec) ; Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We demonstrate a high-yield fabrication of non-local spin valve devices with room-temperature spin lifetimes of up to 3 ns and spin relaxation lengths as long as 9 μm in platinum-based chemical vapor deposition (Pt-CVD) synthesized single-layer graphene on SiO/Si substrates. [...]
2019 - 10.1088/2053-1583/ab1874
2D Materials, Vol. 6, Num. 3 (July 2019) , p. 034003  
2.
12 p, 1.0 MB Heat dissipation in few-layer MoS2 and MoS2/hBN heterostructure / Arrighi, Aloïs (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Navarro Urrios, Daniel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Watanabe, Kenji (National Institute for Material Science. Advanced Materials Laboratory (Tsukuba, Japó)) ; Taniguchi, Takashi (National Institute for Material Science. Advanced Materials Laboratory (Tsukuba, Japó)) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
State-of-the-art fabrication and characterization techniques have been employed to measure the thermal conductivity of suspended, single-crystalline MoS2 and MoS2/hBN heterostructures. Two-laser Raman scattering thermometry was used combined with real time measurements of the absorbed laser power, which allowed us to determine the thermal conductivities without any assumptions. [...]
2021 - 10.48550/arXiv.2107.06717  
3.
7 p, 891.3 KB Passivation of Bi2Te3 topological insulator by transferred CVD-graphene : toward intermixing-free interfaces / Galceran, Regina (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonell, Frédéric (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Camosi, Lorenzo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sauthier, Guillaume (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Gebeyehu, Zewdu M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Esplandiu Egido, Maria José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Arrighi, Aloïs (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fernández Aguirre, Iván (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Figueroa García, Adriana Isabel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The investigation, and ultimate application, of topological insulators, typically involve exposure to ambient conditions or their integration with metals, which lead to surface oxidation or material intermixing. [...]
2022 - 10.1002/admi.202201997
Advanced materials interfaces, Vol. 9, issue 36 (Des. 2022) , art. 2201997  
4.
41 p, 1.9 MB Van der Waals heterostructures for spintronics and opto-spintronics / Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fabian, Jaroslav (University of Regensburg. Institute for Theoretical Physics) ; Kawakami, Roland (Ohio State University. Department of Physics) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The large variety of 2D materials and their co-integration in van der Waals heterostructures enable innovative device engineering. In addition, their atomically thin nature promotes the design of artificial materials by proximity effects that originate from short-range interactions. [...]
2021 - 10.1038/s41565-021-00936-x
Nature Nanotechnology, Vol. 16, issue 8 (August 2021) , p. 856-868  
5.
21 p, 7.4 MB Control of spin-charge conversion in van der Waals heterostructures / Galceran, Regina (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Tian, Bo (King Abdullah University of Science and Technology) ; Li, Junzhu (King Abdullah University of Science and Technology) ; Bonell, Frédéric (University of Grenoble Alpes. Spintec) ; Jamet, Matthieu (University of Grenoble Alpes. Spintec) ; Vergnaud, Céline (University of Grenoble Alpes. Spintec) ; Marty, Alain (University of Grenoble Alpes. Spintec) ; Garcia, José H. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Manchon, Auréliene (Aix-Marseille Université) ; Zhang, Xixiang (King Abdullah University of Science and Technology) ; Schwingenschlögl, Udo (King Abdullah University of Science and Technology)
The interconversion between spin and charge degrees of freedom offers incredible potential for spintronic devices, opening routes for spin injection, detection, and manipulation alternative to the use of ferromagnets. [...]
2021 - 10.1063/5.0054865
APL materials, Vol. 9, issue 10 (Oct. 2021) , art. 100901  
6.
3 p, 391.4 KB Preface / Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bondavalli, Paolo (Thales Research and Technology)
2020 - 10.1088/2515-7639/ab8187
JPhys materials, Vol. 3, issue 3 (July 2020) , art. 30301  
7.
9 p, 1.5 MB Spin precession and spin Hall effect in monolayer graphene/Pt nanostructures / Savero Torres, Williams Fernando (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Benítez, L. Antonio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonell, Frédéric (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Spin Hall effects have surged as promising phenomena for spin logics operations without ferromagnets. However, the magnitude of the detected electric signals at room temperature in metallic systems has been so far underwhelming. [...]
2017 - 10.1088/2053-1583/aa8823
2D Materials, Vol. 4, issue 4 (Dec. 2017) , art. 041008  
8.
18 p, 1.5 MB Tunable room-temperature spin galvanic and spin Hall effects in van der Waals heterostructures / Benítez, L. Antonio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Savero Torres, Williams Fernando (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Timmermans, Matias (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garcia, José H. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Spin-orbit coupling stands as a powerful tool to interconvert charge and spin currents and to manipulate the magnetization of magnetic materials through spin-torque phenomena. However, despite the diversity of existing bulk materials and the recent advent of interfacial and low-dimensional effects, control of this interconversion at room temperature remains elusive. [...]
2020 - 10.1038/s41563-019-0575-1
Nature materials, Vol. 19, issue 2 (Feb. 2020) , p. 170-175  
9.
27 p, 986.9 KB Magnetism, spin dynamics, and quantum transport in two-dimensional systems / Savero Torres, Williams Fernando (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Benítez, L. Antonio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonell, Frédéric (Université Grenoble-Alpes) ; Garcia, José H. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Two-dimensional (2D) quantum materials offer a unique platform to explore mesoscopic phenomena driven by interfacial and topological effects. Their tunable electric properties and bidimensional nature enable their integration into sophisticated heterostructures with engineered properties, resulting in the emergence of new exotic phenomena not accessible in other platforms. [...]
2020 - 10.1557/mrs.2020.121
MRS Bulletin, Vol. 45, issue 5 (May 2020) , p. 357-365  
10.
12 p, 487.8 KB Fingerprints of inelastic transport at the surface of the topological insulator Bi 2 Se 3 : role of electron-phonon coupling / Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Neumann, Ingmar (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Marinova, Vera (Bulgarian Academy of Sciences. Institute of Optical Materials and Technologies) ; Gospodinov, M. M. (Bulgarian Academy of Sciences. Institute of Solid State Physics) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We report on electric-field and temperature-dependent transport measurements in exfoliated thin crystals of the Bi2Se3 topological insulator. At low temperatures (<50 K) and when the chemical potential lies inside the bulk gap, the crystal resistivity is strongly temperature dependent, reflecting inelastic scattering due to the thermal activation of optical phonons. [...]
2014 - 10.1103/PhysRevLett.112.086601
Physical review letters, Vol. 112, issue 8 (Feb. 2014) , art. 86601  

Depósito Digital de Documentos de la UAB : Encontrados 16 registros   1 - 10siguiente  ir al registro:
Vea también: autores con nombres similares
1 Sierra, J
11 Sierra, J.
4 Sierra, J. L.
1 Sierra, J.E.
51 Sierra, Jorge
1 Sierra, José Enrique
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.