Pàgina inicial > Articles > Articles publicats > Resultats de la cerca: 0741-3106_a2016m9v37n9

Articles publicats

  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Articles publicats 1 registres trobats  La cerca s'ha fet en 0.01 segons. 
1.
5 p, 602.1 KB 3C-SiC Transistor with Ohmic Contacts Defined at Room Temperature / Li, Fan (University of Warwick) ; Sharma, Yogesh (University of Warwick) ; Walker, David (University of Warwick) ; Hindmarsh, Steven A. (University of Warwick) ; Jennings, Mike (University of Warwick) ; Martin, David (University of Warwick) ; Fisher, Craig (University of Warwick) ; Gammon, Peter (University of Warwick) ; Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mawby, Phil (University of Warwick)
Among all SiC polytypes, only 3C-SiC has a cubic structure and can be hetero-epitaxial grown on large area Si substrate, thus providing an alternative choice for fabricating cheap wide bandgap power devices. [...]
2016 - 10.1109/LED.2016.2593771
IEEE electron device letters, Vol. 37, Issue 9 (September 2016) , p. 1189-1192  
Registre complet -

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem