Artículos publicados

Artículos publicados Encontrados 1 registros  La búsqueda tardó 0.01 segundos. 
1.
22 p, 2.5 MB Optimizing the yield of A-polar GaAs nanowires to achieve defect-free zinc blende structure and enhanced optical functionality / Zamani, Mahdi (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Tütüncüoglu, Gözde (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Francaviglia, Luca (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Güniat, Lucas (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Ghisalberti, Lea (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Potts, Heidi A. (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Friedl, Martin (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Markov, Edoardo. (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Kim, Wonjong (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Leran, Jean-Baptiste (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Dubrovskii, Vladimir G. (ITMO University) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fontcuberta i Morral, Anna (École Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Compound semiconductors exhibit an intrinsic polarity, as a consequence of the ionicity of their bonds. Nanowires grow mostly along the (111) direction for energetic reasons. Arsenide and phosphide nanowires grow along (111)B, implying a group V termination of the (111) bilayers. [...]
2018 - 10.1039/c8nr05787g
Nanoscale, Vol. 10, Issue 36 (September 2018) , p. 17080-17091  

¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.