|
1.
|
|
20 p, 3.5 MB |
Characterization of optogenetically-induced cortical spreading depression in awake mice using graphene micro-transistor arrays
/
Masvidal Codina, Eduard (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Smith, Trevor M. (University College London. Queen Square Institute of Neurology. Department of Clinical and Experimental Epilepsy) ;
Rathore, Daman (University College London. Queen Square Institute of Neurology. Department of Clinical and Experimental Epilepsy) ;
Gao, Yunan (University College London. Queen Square Institute of Neurology. Department of Clinical and Experimental Epilepsy) ;
Illa, Xavi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Prats-Alfonso, Elisabet (Centro de Investigación Biomédica en Red de Bioingeniería, Biomateriales y Nanomedicina) ;
Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Rius, Gemma (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Martin-Fernandez, Iñigo (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Guger, Christoph (Guger Technologies OG. G.tec Medical Engineering GmbH (Austria)) ;
Reitner, Patrick (Guger Technologies OG. G.tec Medical Engineering GmbH (Austria)) ;
Villa, Rosa (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Wykes, Robert C (University of Manchester. Geoffrey Jefferson Brain Research Centre)
Objective. The development of experimental methodology utilizing graphene micro-transistor arrays to facilitate and advance translational research into cortical spreading depression (CSD) in the awake brain. [...]
2021 -  10.1088/1741-2552/abecf3
Journal of Neural Engineering, Vol. 18, Issue 5 (October 2021) , art. 055002
|
|
|
2.
|
|
11 p, 805.0 KB |
Bias dependent variability of low-frequency noise in single-layer graphene FETs
/
Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Illa, Xavi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Low-frequency noise (LFN) variability in graphene transistors (GFETs) is for the first time researched in this work under both experimental and theoretical aspects. LFN from an adequate statistical sample of long-channel solution-gated single-layer GFETs is measured in a wide range of operating conditions while a physics-based analytical model is derived that accounts for the bias dependence of LFN variance with remarkable performance. [...]
2020 - 10.1039/d0na00632g
Nanoscale advances, Vol. 2, issue 11 (Nov. 2020) , p. 5450-5460
|
|
|
3.
|
|
8 p, 2.6 MB |
Low-frequency noise parameter extraction method for single-layer graphene FETs
/
Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Wei, Wei (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ;
Pallecchi, Emiliano (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ;
Vignaud, Dominique (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ;
Happy, Henri (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ;
Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this article, a detailed parameter extraction methodology is proposed for low-frequency noise (LFN) in single-layer (SL) graphene transistors (GFETs) based on a recently established compact LFN model. [...]
2020 - 10.1109/TED.2020.2978215
IEEE transactions on electron devices, Vol. 67, issue 5 (May 2020) , p. 2093-2099
|
|
|
4.
|
|
6 p, 1.6 MB |
Effect of channel thickness on noise in organic electrochemical transistors
/
Polyravas, Anastasios G. (University of Cambridge. Department of Engineering) ;
Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Curto, Vicenzo Fabio (University of Cambridge. Department of Engineering) ;
Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Malliaras, George (University of Cambridge. Department of Engineering)
Organic electrochemical transistors (OECTs) have been widely used as transducers in electrophysiology and other biosensing applications. Their identifying characteristic is a transconductance that increases with channel thickness, and this provides a facile mechanism to achieve high signal amplification. [...]
2020 - 10.1063/5.0019693
Applied physics letters, Vol. 117, issue 7 (August 2020) , art. 73302
|
|
|
5.
|
|
18 p, 1.0 MB |
Improved metal-graphene contacts for low-noise, high-density microtransistor arrays for neural sensing
/
Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Illa, Xavi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Masvidal Codina, Eduard (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
De la Cruz, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Rodríguez Domínguez, Laura (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Prats Alfonso, Elisabet (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Bousquet, Jessica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Martínez-Aguilar, Javier (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Pérez-Marín, Antonio Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Hébert, Clément (Inserm) ;
Villa, Rosa (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Poor metal contact interfaces are one of the main limitations preventing unhampered access to the full potential of two-dimensional materials in electronics. Here we present graphene solution-gated field-effect-transistors (gSGFETs) with strongly improved linearity, homogeneity and sensitivity for small sensor sizes, resulting from ultraviolet ozone (UVO) contact treatment. [...]
2020 - 10.1016/j.carbon.2020.01.066
Carbon, Vol. 161 (May 2020) , p. 647-655
|
|
|
6.
|
|
|
7.
|
|
7 p, 1.0 MB |
Impact of contact overlap on transconductance and noise in organic electrochemical transistors
/
Polyravas, Anastasios G. (University of Cambridge. Department of Engineering) ;
Curto, Vicenzo Fabio (University of Cambridge. Department of Engineering) ;
Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Malliaras, George (University of Cambridge. Department of Engineering)
Organic electrochemical transistors (OECTs) from poly(3,4-ethylenedioxythiophene) doped with polystyrene sulfonate (PEDOT:PSS) are used as amplifying transducers for bioelectronics. Although the impact on performance of device geometry parameters such as channel area and thickness has been widely explored, the overlap between the semiconductor film and the source and drain contacts has not been considered. [...]
2019 - 10.1088/2058-8585/ab4dc4
Flexible and printed electronics, Vol. 4, Núm. 4 (December 2019) , art. 44003
|
|
|
8.
|
|
21 p, 2.8 MB |
Velocity Saturation Effect on Low Frequency Noise in Short Channel Single Layer Graphene Field Effect Transistors
/
Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Wei, Wei (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ;
Pallecchi, Emiliano (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ;
Vignaud, Dominique (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ;
Happy, Henri (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ;
Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Graphene devices for analog and radio frequency (RF) applications are prone to low frequency noise (LFN) due to its up conversion to undesired phase noise at higher frequencies. Such applications demand the use of short channel graphene transistors (GFETs) that operate at high electric fields in order to ensure a high speed. [...]
2019 - 10.1021/acsaelm.9b00604
ACS applied electronic materials, Vol. 1, Issue 12 (December 2019) , p. 2626-2636
|
|
|
9.
|
|
12 p, 8.3 MB |
Flexible graphene transistors for recording cell action potentials
/
Blaschke, Benno M. (Technische Universität München. Walter Schottky Institut. Physik-Department) ;
Lottner, Martin (Technische Universität München. Walter Schottky Institut. Physik-Department) ;
Drieschner, Simon (Technische Universität München. Walter Schottky Institut. Physik-Department) ;
Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Stoiber, Karolina (Technische Universität München. Walter Schottky Institut. Physik-Department) ;
Rousseau, Lionel (University Paris EST. École Supérieure d'Ingénieurs en Électrotechnique et Électronique) ;
Lissourges, Gaëlle (University Paris EST. École Supérieure d'Ingénieurs en Électrotechnique et Électronique) ;
Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Graphene solution-gated field-effect transistors (SGFETs) are a promising platform for the recording of cell action potentials due to the intrinsic high signal amplification of graphene transistors. In addition, graphene technology fulfills important key requirements for in-vivo applications, such as biocompability, mechanical flexibility, as well as ease of high density integration. [...]
2016 - 10.1088/2053-1583/3/2/025007
2D Materials, Vol. 3, issue 2 (June 2016) , art. 25007
|
|
|
10.
|
|
21 p, 1.9 MB |
High-resolution mapping of infraslow cortical brain activity enabled by graphene microtransistors
/
Masvidal Codina, Eduard (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Illa, Xavi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Dasilva, Miguel (Institut d'Investigacions Biomèdiques August Pi i Sunyer) ;
Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Dragojević, Tanja (Institut de Ciències Fotòniques) ;
Vidal Rosas, Ernesto E. (Institut de Ciències Fotòniques) ;
Prats Alfonso, Elisabet (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Martínez Aguilar, Javier (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
De la Cruz, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Godignon, Philippe (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Rius, Gemma (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Camassa, Alessandra (Institut d'Investigacions Biomèdiques August Pi i Sunyer) ;
Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Bousquet, Jessica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Hébert, Clément (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Durduran, Turgut (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats) ;
Villa, Rosa (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Sánchez-Vives, María V. (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats) ;
Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Recording infraslow brain signals (<0. 1 Hz) with microelectrodes is severely hampered by current microelectrode materials, primarily due to limitations resulting from voltage drift and high electrode impedance. [...]
2019 - 10.1038/s41563-018-0249-4
Nature materials, Vol. 18, Issue 3 (March 2019) , p. 280-288
2 documentos
|
|
visitante ::
identificación
alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al 
canal RSS.
