Home > Search Results: CMos
  Search Tips
Advanced Search
Search collections:
Sort by: Display results: Output format:
Results overview: Found 36 records in 0.02 seconds.
Articles, 23 records found
Books and collections, 3 records found
Research literature, 10 records found
Articles 23 records found  1 - 10nextend  jump to record:
1.
13 p, 3.3 MB Metal Microelectromechanical Resonator Exhibiting Fast Human Activity Detection / Torres, Francesc 1948- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Uranga del Monte, Aránzazu (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This work presents a MEMS resonator used as an ultra-high resolution water vapor sensor (humidity sensing) to detect human activity through finger movement as a demonstrator example. This microelectromechanical resonator is designed as a clamped-clamped beam fabricated using the top metal layer of a commercial CMOS technology (0. [...]
2023 - 10.3390/s23218945
Sensors (Basel, Switzerland), Vol. 23, Issue 21 (November 2023) , art. 8945  
Detailed record - Creative Commons
2.
CMOS inverter performance degradation and its correlation with BTI, HCI and OFF state MOSFETs aging / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nasarre, C. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garsot, N. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, CMOS inverters are subjected to electrical stress emulating a complete operation cycle and the shifts in the performance parameters (i. e. , peak current and inversion voltage) evaluated. [...]
2022 - 10.1016/j.sse.2022.108264
Solid-state electronics, Vol. 191 (May 2022) , art. 108264  
Detailed record - Creative Commons
3.
18 p, 6.2 MB Multielement Ring Array Based on Minute Size PMUTs for High Acoustic Pressure and Tunable Focus Depth / Ledesma, Eyglis (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Zamora, Iván (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Uranga del Monte, Aránzazu (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This paper presents a multielement annular ring ultrasound transducer formed by individual high-frequency PMUTs (17. 5 MHz in air and 8. 7 MHz in liquid) intended for high-precision axial focalization and high-performance ultrasound imaging. [...]
2021 - 10.3390/s21144786
Sensors (Basel, Switzerland), Vol. 21, Issue 14 (July 2021) , art. 4786  
Detailed record - Creative Commons
4.
12 p, 5.0 MB Enhancing AIN PMUTs' acoustic responsivity within a MEMS-on-CMOS process / Ledesma, Eyglis (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Zamora, Iván (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Uranga del Monte, Aránzazu (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Torres, Francesc 1948- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this paper, guidelines for the optimization of piezoelectrical micromachined ultrasound transducers (PMUTs) monolithically integrated over a CMOS technology are developed. Higher acoustic pressure is produced by PMUTs with a thin layer of AlN piezoelectrical material and SiN as a passive layer, as is studied here with finite element modeling (FEM) simulations and experimental characterization. [...]
2021 - 10.3390/s21248447
Sensors (Basel, Switzerland), Vol. 21, Issue 24 (December 2021) , art. 8447  
Detailed record - Creative Commons
5.
14 p, 5.6 MB Resonant MEMS pressure sensor in 180 nm CMOS technology obtained by BEOL isotropic etching / Mata-Hernandez, Diana (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernández Martínez, Daniel (Institut de Física d'Altes Energies) ; Banerji, Saoni (University of Tartu. Institute of Technology. Intelligent Materials and Systems Laboratory) ; Madrenas, Jordi (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This work presents the design and characterization of a resonant CMOS-MEMS pressure sensor manufactured in a standard 180 nm CMOS industry-compatible technology. The device consists of aluminum square plates attached together by means of tungsten vias integrated into the back end of line (BEOL) of the CMOS process. [...]
2020 - 10.3390/s20216037
Sensors (Basel, Switzerland), Vol. 20, issue 21 (Nov. 2020) , art. 6037  
Detailed record - Creative Commons
6.
5 p, 521.8 KB Unified RTN and BTI statistical compact modeling from a defect-centric perspective / Pedreira Rincon, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In nowadays deeply scaled CMOS technologies, time-dependent variability effects have become important concerns for analog and digital circuit design. Transistor parameter shifts caused by Bias Temperature Instability and Random Telegraph Noise phenomena can lead to deviations of the circuit performance or even to its fatal failure. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108112
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , p. 108112  
Detailed record - Creative Commons
7.
12 p, 988.7 KB Modeling of the degradation of CMOS inverters under pulsed stress conditions from 'on-the-fly' measurements / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ramos, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, an 'on-the-fly' measurement technique for the monitoring of CMOS inverters performance degradation is presented. This technique allows the characterization of the circuit degradation simultaneously with the applications of the stress. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108094
Solid-state electronics, Vol. 184 (October 2021) , art. 108094  
Detailed record - Creative Commons
8.
5 p, 735.0 KB Statistical threshold voltage shifts caused by BTI and HCI at nominal and accelerated conditions / Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In nowadays deeply scaled CMOS technologies, time-zero and time-dependent variability effects have become important concerns for analog and digital circuit design. For instance, transistor parameter shifts caused by Bias Temperature Instability and Hot-Carrier Injection phenomena can lead to progressive deviations of the circuit performance or even to its catastrophic failure. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108037
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , art. 108037  
Detailed record - Creative Commons
9.
8 p, 4.1 MB A smart noise- and RTN-removal method for parameter extraction of CMOS aging compact models / Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In modern nanometer-scale CMOS technologies, time-zero and time-dependent variability (TDV) effects, the latter coming from aging mechanisms like Bias Temperature Instability (BTI), Hot Carrier Injection (HCI) or Random Telegraph Noise (RTN), have re-emerged as a serious threat affecting the performance of analog and digital integrated circuits. [...]
2019 - 10.1016/j.sse.2019.03.045
Solid-state electronics, Vol. 159 (Sep. 2019) , p. 99-105  
Detailed record - Creative Commons
10.
15 p, 3.3 MB A versatile CMOS transistor array IC for the statistical characterization of time-zero variability, RTN, BTI, and HCI / Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Statistical characterization of CMOS transistor variability phenomena in modern nanometer technologies is key for accurate end-of-life prediction. This paper presents a novel CMOS transistor array chip to statistically characterize the effects of several critical variability sources, such as time-zero variability (TZV), random telegraph noise (RTN), bias temperature instability (BTI), and hot-carrier injection (HCI). [...]
2019 - 10.1109/JSSC.2018.2881923
IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 54, issue 2 (Feb. 2019) , p. 476-488  
Detailed record -

Articles : 23 records found   1 - 10nextend  jump to record:
Books and collections 3 records found  
1.
Challenges and solutions to the defect-centric modeling and circuit simulation of time-dependent variability / Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Time-Dependent Variability (TDV) phenomena represent a serious concern for device and circuit reliability. To address the TDV impact at circuit level, Reliability-Aware Design (RAD) tools can be used by circuit designers to achieve more reliable circuits. [...]
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2023 - 10.1109/irps48203.2023.10118334
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Proceedings  
Detailed record -
2.
5 p, 667.4 KB Circuit reliability prediction : challenges and solutions for the device time-dependent variability characterization roadblock / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin-Lloret, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Toro-Frias, Antonio (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
The characterization of the MOSFET Time-Dependent Variability (TDV) can be a showstopper for reliability-aware circuit design in advanced CMOS nodes. In this work, a complete MOSFET characterization flow is presented, in the context of a physics-based TDV compact model, that addresses the main TDV characterization challenges for accurate circuit reliability prediction at design time. [...]
Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2021 - 10.1109/laedc51812.2021.9437920
2021 IEEE Latin America Electron Devices Conference, (2021), p. 1-4  
Detailed record -
3.
5 p, 2.0 MB Simulating the impact of random telegraph noise on integrated circuits / Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Camacho-Ruiz, Eros (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
This paper addresses the statistical simulation of integrated circuits affected by Random Telegraph Noise (RTN). For that, the statistical distributions of the parameters of a defect-centric model for RTN are experimentally determined from a purposely designed integrated circuit with CMOS transistor arrays. [...]
VDE Verlag GmbH, 2021
SSMACD / PRIME 2021; International Conference on SMACD and 16th Conference on PRIME, (2021), p. 1-4  
Detailed record -

Research literature 10 records found  
1.
57 p, 10.9 MB Study of dependencies on the operating conditions of RTN signals in nanoelectronic CMOS devices / El Bouinany El Haitout, Nouhaila ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Over the past years, Complementary Metal Oxide Silicon (CMOS) technology has played an increasingly important role in the world's integrated circuit industry, and for the present and foreseeable future, CMOS will remain the dominant technology used to fabricate integrated circuits (ICs). [...]
2024
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
Detailed record - Creative Commons
2.
18.4 MB Design of a front-end ASIC for a fully integrated ultrasound PMUT array in CMOS / Zamora, Iván ; Uranga del Monte, Aránzazu, dir.
Avui en dia, els avenços en transductors ultrasònics MEMS miniaturitzats requereixen grans esforços en el disseny dels circuits electrònics d'interfície per tal d'aprofitar el seu menor consum d'energia, reduïdes dimensions i baix cost de fabricació. [...]
Hoy en día, los avances en transductores ultrasónicos miniaturizados MEMS requieren de grandes esfuerzos en el diseño de los circuitos electrónicos de la interfaz para aprovechar su bajo consumo de energía, pequeño tamaño y bajo costo de fabricación. [...]
Nowadays, the advances in miniaturized MEMS ultrasonic transducers require major efforts in the design of the interface electronic circuits in order to take advantage of their lower power consumption, small size, and low fabrication cost. [...]
2022  
Detailed record - Creative Commons
3.
36.0 MB Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducers (PMUTs) integrated on CMOS / Ledesma, Eyglis ; Barniol i Beumala, Núria, dir.
La necessitat de nous sistemes d'ultrasò compactes i dimensions molt reduides per a aplicacions no invasives d'àrea limitada (com dispositius portàtils o sistemes d'ultrasò intravascular) ha inspirat recentment la comunitat científica a desenvolupar nous dispositius d'ultrasò basats en materials piezoelèctrics de pel·lícula prima seguint un procés basat en tecnologia MEMS. [...]
La necesidad de nuevos sistemas de ultrasonido compactos y de tamaño reducido para aplicaciones no invasivas de área limitada (como dispositivos portátiles o sistemas de ultrasonido intravascular) ha inspirado recientemente a la comunidad científica a desarrollar nuevos dispositivos de ultrasonido basados en materiales piezoeléctricos de película delgada siguiendo un proceso basado en tecnología MEMS. [...]
The need for new minute and compact ultrasound systems for non-invasive applications in limited area (such as wearables or intravascular ultrasound systems) has recently inspired the scientific community to develop novel ultrasound devices based on thin-film piezoelectrical materials following a MEMS technology process. [...]
2022  
Detailed record - Creative Commons
4.
211 p, 16.9 MB Integration of vertical Single Electron Transistor into CMOS technology / Moral Cejudo, Alberto Jose del ; Amat Bertran, Esteve, dir. ; Pérez Murano, Francesc, dir.
Aquesta tesi presenta les investigacions realitzades cap a la integració de transistors verticals d'un sol electró (SET) en tecnologia metall-òxid-semiconductor complementari (CMOS). Dues de les principals motivacions de la indústria de semiconductors són la miniaturització de dispositius i la reducció del consum d'energia. [...]
Esta tesis presenta las investigaciones realizadas hacia la integración de transistores verticales de un solo electrón (SET) en tecnología metal-óxido-semiconductor complementario (CMOS). Dos de las principales motivaciones de la industria de semiconductores son la miniaturización de dispositivos y la reducción de consumo de energía. [...]
This thesis presents the investigations performed towards the integration of Single Electron Transistor (SET) into Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) technologies. Two of the main drives in semiconductor industry are device miniaturization and power consumption reduction. [...]
2021  
Detailed record - Creative Commons
5.
162 p, 20.5 MB Novel CMOS Devices for High Energy Physics and Medical Applications / Förster, Fabian Alexander ; Grinstein, Sebastian, dir. ; Terzo, Stefano, dir. ; Casado Lechuga, María del Pilar, dir.
Els experiments d'alta energia de física (HEP) a col·lisions de partícules demostren la nostra comprensió de l'estructura i la dinàmica de la matèria. Per avançar en el camp, els sistemes d'acceleradors s'actualitzen periòdicament a energies i lluminositats més elevades. [...]
Los experimentos de física de alta energía (HEP) en colisionadores de partículas sondean nuestra comprensión de la estructura y la dinámica de la materia. Para avanzar en el campo, los sistemas de aceleración se actualizan periódicamente a mayores energías y luminosidades. [...]
High Energy Physics (HEP) experiments at particle colliders probe our understanding of the structure and dynamics of matter. In order to advance the field, the accelerator systems are periodically upgraded to higher energies and luminosities. [...]
2020  
Detailed record -
6.
196 p, 6.6 MB Modelling, design and integration of new differential architectures for M/NEMS resonant sensors / Prache, Pierre ; Juillard, Jérôme, dir. ; Barniol i Beumala, Núria, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Los sensores M/NEMS resonantes, gracias a su pequeño tamaño, a su bajo consumo y a su carácter quasi-digital (siendo generalmente la señal de salida un tono frecuencial), se han convertido en herramientas muy usadas en sistemas embebidos portátiles y de a bordo tales como en telefonía móvil (es decir, en smartphones) o en la industria aeroespacial. [...]
M/NEMS resonant sensors, due to their small size, consumption and quasi-digital output (a frequency most of the time) are useful tools for on-board systems, from smartphones to aeronautic technology. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
Detailed record - Creative Commons
7.
114 p, 18.3 MB CMOS-MEMS para aplicaciones de RF : osciladores / Sobreviela Falces, Guillermo ; Uranga del Monte, Aranzazu, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
En los últimos años el mercado asociado a los dispositivos MEMS/NEMS para comunicaciones está experimentando un constante aumento debido principalmente al auge en los dispositivos móviles inteligentes que incorporan un gran número de sensores inerciales y que van aumentando en función de las propias exigencias del mercado NEMS. [...]
In recent years the market associated with MEMS / NEMS devices for communications, is experiencing a steady increase mainly due to the popularity of smart mobile devices that incorporate a large number of inertial sensors. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016
3 documents
Detailed record - Creative Commons
8.
182 p, 4.6 MB Low-Power and Compact CMOS Circuit Design of Digital Pixel Sensors for X-Ray Imagers / Figueras i Bagué, Roger ; Terés Terés, Lluís, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Microelectrònica i Sistemes Electrònics) ; Serra Graells, Francesc, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Microelectrònica i Sistemes Electrònics) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Microelectrònica i Sistemes Electrònics
La obtenció d'imatges utilitzant raigs-X ha esdevingut una tecnologia clau per a un ampli rang d'aplicacions tant industrials com mèdiques o científiques, doncs permet estudiar l'interior dels objectes sense necessitat de destruir-los o desmantellar-los. [...]
X-ray imaging has become a key enabling technology for a wide range of industrial, medical and scientific applications since it allows studying the inside of objects without the need to destroy or dismantle them. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2015  
Detailed record - Creative Commons
9.
236 p, 3.6 MB NEMS/MEMS integration in submicron CMOS Technologies / Muñoz Gamarra, Jose Luis ; Barniol i Beumala, Núria, tut. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La reducción de los dispositivos MEMS hasta la nano escala (NEMS) ha permitido el acceso a nuevos dominios de la física y promete revolucionar las aplicaciones de sensado. Sin embargo esta miniaturización ha sido conseguida a costa de procesos de fabicración complicados y no reproducibles. [...]
The reduction of MEMS devices dimensions to the nano scale (NEMS) has allowed them to access a host of new physics and promise to revolutionize sensing applications. However this miniaturization has been obtained at an expense of dedicated, difficult and non reproducible fabrication processes. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2015  
Detailed record - Creative Commons
10.
174 p, 9.8 MB Multiband and Silicon Integrated Antennas for Wireless Sensor Networks / Gemio Valero, Joan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Telecomunicació i Enginyeria de Sistemes) ; Parrón Granados, Josep, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Telecomunicació i Enginyeria de Sistemes) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Telecomunicació i Enginyeria de Sistemes
Les tecnologies sense fils han provocat una important revolució en el món de les xarxes i serveis de telecomunicació. Han apareguts nous sistemes com els telèfons mòbils d'última generació o les xarxes LAN sense fils que han estat acceptats amb entusiasme per la població. [...]
Las tecnologías inalámbricas han provocado una importante revolución en el mundo de las redes y servicios de telecomunicación. Han aparecidos nuevos sistemas, como los teléfonos móviles de última generación o las redes LAN inalámbricas, que han sido aceptados con entusiasmo por la población. [...]
Wireless technologies have triggered an important revolution in the world of telecommunication networks and services. New systems, such as the latest generation mobile phones or wireless LANs, have appeared being enthusiastically accepted by people. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2012  
Detailed record -

Interested in being notified about new results for this query?
Set up a personal email alert or subscribe to the RSS feed.
UAB Digital Repository of Documents :: Search :: Submit :: Personalize :: Help
Powered by Invenio v1.1.6
Maintained by ddd.bib@uab.cat  :: Metadata license:
Working with