Página principal > Resultados de la búsqueda: Chaves Romero, Ferney Alveiro
  Consejos para la búsqueda
Búsqueda avanzada
Buscar colecciones:
Ordenar por: Mostrar resultados: Formato de visualización:
Resultados globales: 7 registros encontrados en 0.02 segundos.
Artículos, Encontrados 6 registros
Documentos de investigación, Encontrados 1 registros
Artículos Encontrados 6 registros  
1.
28 p, 5.7 MB Compact modeling technology for the simulation of integrated circuits based on graphene field-effect transistors / Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pacheco-Sánchez, Aníbal (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Chaves Romero, Ferney Alveiro (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The progress made toward the definition of a modular compact modeling technology for graphene field-effect transistors (GFETs) that enables the electrical analysis of arbitrary GFET-based integrated circuits is reported. [...]
2022 - 10.1002/adma.202201691
Advanced materials, (May 2022) , art. 2201691  
Registro completo - Creative Commons
2.
11 p, 967.1 KB 2D pn junctions driven out-of-equilibrium / Chaves Romero, Ferney Alveiro (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The pn junction is a fundamental electrical component in modern electronics and optoelectronics. Currently, there is a great deal of interest in the two-dimensional (2D) pn junction. Although many experiments have demonstrated the working principle, there is a lack of fundamental understanding of its basic properties and expected performances, in particular when the device is driven out-of-equilibrium. [...]
2020 - 10.1039/d0na00267d
Nanoscale advances, Vol. 2, Issue 8 (June 2020) , p. 3252-3262  
Registro completo - Creative Commons
3.
11 p, 213.0 KB Physical model of the contact resistivity of metal-graphene junctions / Chaves Romero, Ferney Alveiro (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cummings, Aron (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
While graphene-based technology shows great promise for a variety of electronic applications, including radio-frequency devices, the resistance of the metal-graphene contact is a technological bottleneck for the realization of viable graphene electronics. [...]
2014 - 10.1063/1.4874181
Journal of applied physics, Vol. 115, issue 16 (April 2014) , art. 164513  
Registro completo -
4.
8 p, 2.1 MB Photoresponse of Graphene-Gated Graphene-GaSe Heterojunction Devices / Kim, Wonjae (VTT Technical Research Center of Finland Ltd) ; Arpiainen, Sanna (VTT Technical Research Center of Finland Ltd) ; Xue, Hui (Aalto University) ; Soikkeli, Miika (VTT Technical Research Center of Finland Ltd) ; Qi, Mei (Aalto University) ; Sun, Zhipei (Aalto University) ; Lipsanen, Harri (Aalto University) ; Chaves Romero, Ferney Alveiro (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Prunnila, Mika (Aalto University)
Because of their extraordinary physical properties, low-dimensional materials including graphene and gallium selenide (GaSe) are promising for future electronic and optoelectronic applications, particularly in transparent-flexible photodetectors. [...]
2018 - 10.1021/acsanm.8b00684
ACS applied nano materials, Vol. 1 (07 2018) , p. 3895-3902  
Registro completo - Creative Commons
5.
7 p, 2.4 MB The role of the Fermi level pinning in gate tunable graphene-semiconductor junctions / Chaves Romero, Ferney Alveiro (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Graphene based transistors relying on a conventional structure cannot switch properly because of the absence of an energy gap in graphene. To overcome this limitation, a barristor device was proposed, whose operation is based on the modulation of the graphene-semiconductor (GS) Schottky barrier by means of a top gate, and demonstrating an ON-OFF current ratio up to 10⁵. [...]
2016 - 10.1109/TED.2016.2606139
IEEE transactions on electron devices, Vol. 63, no. 11 (Nov. 2016) , p. 4521-4526  
Registro completo -
6.
5 p, 1.7 MB Impact of graphene polycrystallinity on the performance of graphene field-effect transistors / Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cummings, Aron (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Chaves Romero, Ferney Alveiro (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Dinh, Van Tuan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Kotakoski, Jani (University of Vienna. Faculty of Physics) ; Roche, Stephan (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats) ; American Institute of Physics
We have used a multi-scale physics-based model to predict how the grain size and different grain boundary morphologies of polycrystalline graphene will impact the performance metrics of graphene field-effect transistors. [...]
2014 - 10.1063/1.4863842
Applied physics letters, Vol. 104, Issue 4 (January 2014) , p. 043509/1-043509/4  
Registro completo -

Documentos de investigación Encontrados 1 registros  
1.
121 p, 3.0 MB Study and modeling of multi-gate transistors in the context of CMOS technology scaling / Chaves Romero, Ferney Alveiro ; Jiménez Jiménez, David, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- , dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
L'escalat dels transistors MOSFET convencionals ha portat a aquests dispositius a la nanoescala per incrementar tant les seves prestacions com el nombre de components per xip. En aquest process d'escalat, els coneguts "Short Channel Effects" representen una forta limitació. [...]
The scaling of the conventional MOSFETs has led these devices to the nanoscale to increase both the performance and the number of components per chip. In this process, the so-called "Short Channel Effects" have arisen as a limiting factor. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2012  
Registro completo -

¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.
Depósito Digital de Documentos de la UAB :: Buscar :: Enviar :: Personalizar :: Ayuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantenido por ddd.bib@uab.cat  :: Metadatos sujetos a:
Colaboramos