Results overview: Found 18 records in 0.02 seconds.
Articles, 10 records found
Course materials, 8 records found
Articles 10 records found  
1.
A Smart Measurement System for the Combined Nanoscale and Device Level Characterization of Electron Devices : Implementation Using Ink-Jet Printing Technologies / Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Arrese, Javier (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cirera, Albert (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this article, the integration into a single measurement system of device level and nanoscale measurement equipment is presented and applied to the electrical characterization of emerging electron devices. [...]
2023 - 10.1109/TNANO.2023.3234357
IEEE Transactions on Nanotechnology, Vol. 22 (January 2023) , p. 28-35  
2.
Exploitation of OTFTs variability for PUFs implementation and impact of aging / Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Palau, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Arnal Rus, August (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ogier, Simon (SmartKem Ltd.) ; Ramon, Eloi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Commercial Organic Thin Film Transistors (OTFT) have been characterized to evaluate their variability and reliability. The feasibility of implementing Physical Unclonable Functions (PUFs) based on these devices has been evaluated, taking advantage of the high variation in the electrical characteristics among different OTFTs. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108698
Solid-state electronics, Vol. 207 (Sep. 2023) , art. 108698  
3.
11 p, 1.1 MB A CAFM and device level study of MIS structures with graphene as interfacial layer for ReRAM applications / Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wu, Q. (Sun Yat-Sen University) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Capacitive Metal-Insulator-Semiconductor structures with graphene as interfacial layer between the HfO dielectric and the top electrode have been fabricated and investigated at device level and at the nanoscale with Conductive Atomic Force Microscope. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108080
Solid-state electronics, Vol. 186 (December 2021) , art. 108080  
4.
5 p, 403.8 KB Workfunction fluctuations in polycrystalline TiN observed with KPFM and their impact on MOSFETs variability / Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Seoane, Natalia (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garcia-Loureiro, Antonio (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Couso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
A more realistic approach to evaluate the impact of polycrystalline metal gates on the MOSFET variability is presented. 2D experimental workfunction maps of a polycrystalline TiN layer were obtained by Kelvin Probe Force Microscopy with a nanometer resolution. [...]
2019 - 10.1063/1.5090855
Applied physics letters, Vol. 114, issue 9 (March 2019) , art. 93502  
5.
27 p, 836.1 KB Low-power, high-performance, non-volatile inkjet-printed HfO 2 -based resistive random access memory : from device to nanoscale characterization / Vescio, Giovanni (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ; Martín, Gemma (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Alonso Pérez, Daniel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lopez-Vidrier, Julian (Albert-Ludwigs-Universität Freiburg) ; Estrade, Sonia (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Peiro, Francesca (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cornet, Albert (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Cirera, Albert (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Low-power, high-performance metal-insulator-metal (MIM) non-volatile resistive memories based on HfO2 high-k dielectric are fabricated using a drop-on-demand inkjet printing technique as a low-cost and eco-friendly method. [...]
2019 - 10.1021/acsami.9b01731
ACS applied materials & interfaces, Vol. 11, issue 26 (2019) , p. 23659-23666  
6.
5 p, 697.8 KB Combined nanoscale KPFM characterization and device simulation for the evaluation of the MOSFET variability related to metal gate workfunction fluctuations / Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Seoane, Natalia (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garcia-Loureiro, Antonio (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, a more realistic approximation based on 2D nanoscale experimental data obtained on a metal layer is presented to investigate the impact of the metal gate polycrystallinity on the MOSFET variability. [...]
2019 - 10.1016/j.mee.2019.111048
Microelectronic engineering, Vol. 216 (Aug. 2019) , art. 111048  
7.
5 p, 661.5 KB Exploiting the KPFM capabilities to analyze at the nanoscale the impact of electrical stresses on OTFTs properties / Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Xu, H. (Sun Yat-Sen University) ; Liu, C. (Sun Yat-Sen University) ; Wu, Q. (Sun Yat-Sen University)
Two different Kelvin Probe Force Microscopy (KPFM) measurement configurations have been combined to evaluate at the nanoscale the effects of an electrical stress on Organic Thin Film Transistors (OTFTs) properties. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108061
Solid-state electronics, Vol. 186 (Dec. 2021) , art. 108061  
8.
4 p, 3.8 MB Conductance of threading dislocations in InGaAs/Si stacks by temperature-CAFM measurements / Couso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Domingo Marimon, Neus (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cordes, A. (SEMATECH, United States) ; Bersuker, G. (The Aerospace Corporation, United States)
2016 - 10.1109/LED.2016.2537051
IEEE electron device letters, Vol. 37, Issue 5 (May 2016) , p. 640-643  
9.
4 p, 1.6 MB Non-homogeneuos conduction of conductive filaments in Ni/HfO2/Si resistive switching structures observed with CAFM / Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wu, Qian (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; González, M. B. (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Conductive filaments (CFs) in Ni/HfO₂/Si resistive switching structures are analysed at the nanoscale by means of Conductive Atomic Force Microscopy (CAFM). Differences in the CF conductivity are measured depending on the resistive state of the device. [...]
2015 - 10.1016/j.mee.2015.04.112
Microelectronic engineering, Vol. 147 (November 2015) , p. 335-338  
10.
19 p, 2.8 MB El itinerario de los juristas : un viaje a Bolonia en 1838 / Claramunt, Salvador, 1943-
1990 - 10.5565/rev/medievalia.225
Medievalia, Núm. 9 (1990) , p. 65-83  

Course materials 8 records found  
1.
6 p, 111.1 KB Nanofabricació [103306] / Torres, Francesc 1948- ; Fernández Regúlez, Marta ; Claramunt, Sergi ; Borrisé, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
L'objectiu del mòdul és donar a conèixer les tècniques i mètodes que existeixen de fabricació a escala micro i nanomètrica, de manera que l'alumne queda capacitat per definir una seqüència adient de processos per a la realització de qualsevol tipus de dispositiu o estructura funcional. [...]
The objective of the module is to present the techniques and methods that exist of manufacture at a micro and nanometric scale, so that the student will be capable of defining an appropriate sequence of processes for the realization of any type of device or functional structure. [...]
El objetivo del módulo es dar a conocer las técnicas y métodos de fabricación que existen a escala micro y nanométrica, de manera que el alumno queda capacitado para definir una secuencia adecuada de procesos para la realización de cualquier tipo de dispositivo o estructura funcional. [...]

2022-23
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]
3 documents
2.
6 p, 111.3 KB Nanofabricació [103306] / Torres Canals, Francesc ; Fernández Regúlez, Marta ; Claramunt, Sergi ; Borrisé, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
L'objectiu del mòdul és donar a conèixer les tècniques i mètodes que existeixen de fabricació a escala micro i nanomètrica, de manera que l'alumne queda capacitat per definir una seqüència adient de processos per a la realització de qualsevol tipus de dispositiu o estructura funcional. [...]
The objective of the module is to present the techniques and methods that exist of manufacture at a micro and nanometric scale, so that the student will be capable of defining an appropriate sequence of processes for the realization of any type of device or functional structure. [...]
El objetivo del módulo es dar a conocer las técnicas y métodos que existen de fabricación a escala micro y nanométrica, de manera que el alumno queda capacitado para definir una secuencia adecuada de procesos para la realización de cualquier tipo de dispositivo o estructura funcional. [...]

2021-22
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]
3 documents
3.
5 p, 104.5 KB Components i Circuits Electrònics [102689] / Miranda, Enrique Alberto ; Claramunt, Sergi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu global d'aquesta assignatura és proporcionar una visió general dels dispositius electrònics bàsics, fonamentalment díodes i transistors i dels models que s'empren per a l'anàlisi i disseny de circuits. [...]
El objetivo central de esta asignatura es la de proporcional al estudiante un marco general sobre la electrónica basica, incluyendo fundamentalmente diodos y transistores. Entender los principios físicos sobre los que se basan el funcionamiento de los semiconductores y dispositivos electrónicos y fotónicos. [...]

2020-21
Màster Universitari en Enginyeria de Telecomunicació / Telecommunication Engineering [1170]
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Tecnologies de la Informació) i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1207]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
4.
6 p, 111.2 KB Nanofabricació [103306] / Torres Canals, Francesc ; Fernández Regúlez, Marta ; Claramunt, Sergi ; Borrisé, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
L'objectiu del mòdul és donar a conèixer les tècniques i mètodes que existeixen de fabricació a escala micro i nanomètrica, de manera que l'alumne queda capacitat per definir una seqüència adient de processos per a la realització de qualsevol tipus de dispositiu o estructura funcional. [...]
El objetivo del módulo es dar a conocer las técnicas y métodos que existen de fabricación a escala micro y nanométrica, de manera que el alumno queda capacitado para definir una secuencia adecuada de procesos para la realización de cualquier tipo de dispositivo o estructura funcional. [...]

2020-21
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]
3 documents
5.
5 p, 109.5 KB Nanofabricació [103306] / Torres Canals, Francesc ; Fernández Regúlez, Marta ; Claramunt, Sergi ; Borrisé, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
L'objectiu del mòdul és donar a conèixer les tècniques i mètodes que existeixen de fabricació a escala micro i nanomètrica, de manera que l'alumne queda capacitat per definir una seqüència adient de processos per a la realització de qualsevol tipus de dispositiu o estructura funcional. [...]
El objetivo del módulo es dar a conocer las técnicas y métodos que existen de fabricación a escala micro y nanométrica, de manera que el alumno queda capacitado para definir una secuencia adecuada de procesos para la realización de cualquier tipo de dispositivo o estructura funcional. [...]

2019-20
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]
3 documents
6.
5 p, 104.1 KB Components i Circuits Electrònics [102689] / Miranda, Enrique Alberto ; Claramunt, Sergi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu global d'aquesta assignatura és proporcionar una visió general dels dispositius electrònics bàsics, fonamentalment díodes i transistors i dels models que s'empren per a l'anàlisi i disseny de circuits. [...]
El objetivo central de esta asignatura es la de proporcional al estudiante un marco general sobre la electrónica basica, incluyendo fundamentalmente diodos y transistores. Entender los principios físicos sobre los que se basan el funcionamiento de los semiconductores y dispositivos electrónicos y fotónicos. [...]

2019-20
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
7.
5 p, 81.2 KB Components i Circuits Electrònics [102689] / Miranda, Enrique Alberto ; Claramunt, Sergi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu global d'aquesta assignatura és proporcionar una visió general dels dispositius electrònics bàsics, fonamentalment díodes i transistors i dels models que s'empren per a l'anàlisi i disseny de circuits. [...]
2018-19
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
8.
5 p, 81.2 KB Components i Circuits Electrònics [102689] / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Claramunt, Sergi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu global d'aquesta assignatura és proporcionar una visió general dels dispositius electrònics bàsics, fonamentalment díodes i transistors i dels models que s'empren per a l'anàlisi i disseny de circuits. [...]
2017-18
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  

See also: similar author names
1 Claramunt, Salvador
1 Claramunt, Salvador,
17 Claramunt, Sergi
Interested in being notified about new results for this query?
Set up a personal email alert or subscribe to the RSS feed.