1.
|
|
2.
|
|
Exploitation of OTFTs variability for PUFs implementation and impact of aging
/
Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Palau, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Arnal Rus, August (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Ogier, Simon (SmartKem Ltd.) ;
Ramon, Eloi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Commercial Organic Thin Film Transistors (OTFT) have been characterized to evaluate their variability and reliability. The feasibility of implementing Physical Unclonable Functions (PUFs) based on these devices has been evaluated, taking advantage of the high variation in the electrical characteristics among different OTFTs. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108698
Solid-state electronics, Vol. 207 (Sep. 2023) , art. 108698
|
|
3.
|
|
4.
|
5 p, 403.8 KB |
Workfunction fluctuations in polycrystalline TiN observed with KPFM and their impact on MOSFETs variability
/
Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Seoane, Natalia (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ;
Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Garcia-Loureiro, Antonio (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Couso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
A more realistic approach to evaluate the impact of polycrystalline metal gates on the MOSFET variability is presented. 2D experimental workfunction maps of a polycrystalline TiN layer were obtained by Kelvin Probe Force Microscopy with a nanometer resolution. [...]
2019 - 10.1063/1.5090855
Applied physics letters, Vol. 114, issue 9 (March 2019) , art. 93502
|
|
5.
|
27 p, 836.1 KB |
Low-power, high-performance, non-volatile inkjet-printed HfO 2 -based resistive random access memory : from device to nanoscale characterization
/
Vescio, Giovanni (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Martín, Gemma (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ;
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Alonso Pérez, Daniel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Lopez-Vidrier, Julian (Albert-Ludwigs-Universität Freiburg) ;
Estrade, Sonia (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Peiro, Francesca (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Cornet, Albert (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ;
Cirera, Albert (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Low-power, high-performance metal-insulator-metal (MIM) non-volatile resistive memories based on HfO2 high-k dielectric are fabricated using a drop-on-demand inkjet printing technique as a low-cost and eco-friendly method. [...]
2019 - 10.1021/acsami.9b01731
ACS applied materials & interfaces, Vol. 11, issue 26 (2019) , p. 23659-23666
|
|
6.
|
5 p, 697.8 KB |
Combined nanoscale KPFM characterization and device simulation for the evaluation of the MOSFET variability related to metal gate workfunction fluctuations
/
Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Seoane, Natalia (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ;
Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Garcia-Loureiro, Antonio (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, a more realistic approximation based on 2D nanoscale experimental data obtained on a metal layer is presented to investigate the impact of the metal gate polycrystallinity on the MOSFET variability. [...]
2019 - 10.1016/j.mee.2019.111048
Microelectronic engineering, Vol. 216 (Aug. 2019) , art. 111048
|
|
7.
|
5 p, 661.5 KB |
Exploiting the KPFM capabilities to analyze at the nanoscale the impact of electrical stresses on OTFTs properties
/
Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Xu, H. (Sun Yat-Sen University) ;
Liu, C. (Sun Yat-Sen University) ;
Wu, Q. (Sun Yat-Sen University)
Two different Kelvin Probe Force Microscopy (KPFM) measurement configurations have been combined to evaluate at the nanoscale the effects of an electrical stress on Organic Thin Film Transistors (OTFTs) properties. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108061
Solid-state electronics, Vol. 186 (Dec. 2021) , art. 108061
|
|
8.
|
4 p, 3.8 MB |
Conductance of threading dislocations in InGaAs/Si stacks by temperature-CAFM measurements
/
Couso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Domingo Marimon, Neus (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Cordes, A. (SEMATECH, United States) ;
Bersuker, G. (The Aerospace Corporation, United States)
2016 - 10.1109/LED.2016.2537051
IEEE electron device letters, Vol. 37, Issue 5 (May 2016) , p. 640-643
|
|
9.
|
4 p, 1.6 MB |
Non-homogeneuos conduction of conductive filaments in Ni/HfO2/Si resistive switching structures observed with CAFM
/
Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Wu, Qian (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
González, M. B. (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Conductive filaments (CFs) in Ni/HfO₂/Si resistive switching structures are analysed at the nanoscale by means of Conductive Atomic Force Microscopy (CAFM). Differences in the CF conductivity are measured depending on the resistive state of the device. [...]
2015 - 10.1016/j.mee.2015.04.112
Microelectronic engineering, Vol. 147 (November 2015) , p. 335-338
|
|
10.
|
|