Resultados globales: 2 registros encontrados en 0.03 segundos.
Artículos, Encontrados 2 registros
Artículos Encontrados 2 registros  
1.
4 p, 3.8 MB Conductance of threading dislocations in InGaAs/Si stacks by temperature-CAFM measurements / Couso, C. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Claramunt, S. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Domingo Marimon, Neus (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cordes, A. (SEMATECH, United States) ; G. Bersuker (The Aerospace Corporation, United States)
2016 - 10.1109/LED.2016.2537051
IEEE electron device letters, Vol. 37, Issue 5 (May 2016) , p. 640-643  
2.
4 p, 448.3 KB Monitoring defects in III-V materials : a nanoscale CAFM study / Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wu, Q. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bersuker, G. (Sematech) ; Cordes, A. (Sematech)
The implementation of high mobility devices requires growing III-V materials on silicon substrates. However, due to the lattice mismatch between these materials, III-V semiconductors tend to develop structural defects affecting device electrical characteristics. [...]
2015 - 10.1016/j.mee.2015.04.058
Microelectronic engineering, Vol. 147 (Nov. 2015) , p. 176-179  

¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.